用于沉积含钼膜的双核钼前驱物制造技术

本发明专利技术描述了双核钼配位络合物。本发明专利技术描述了用于在基板上沉积含钼膜的方法。基板被暴露于双核钼前驱物和反应物以形成含钼膜(例如，元素钼、氧化钼、碳化钼、硅化钼、氮化钼)。所述暴露可以是顺序的或者同时的。述暴露可以是顺序的或者同时的。述暴露可以是顺序的或者同时的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于沉积含钼膜的双核钼前驱物


[0001]本公开内容的实施方式涉及用于沉积含钼膜的钼前驱物和方法。更特别地，本公开内容的实施方式针对含有空间和电子适应的膦配体的双核钼前驱物和使用所述钼前驱物的方法。

技术介绍

[0002]半导体处理工业持续需求更大的生产产量，同时增加沉积在具有更大表面积的基板上的层的均匀性。这些相同的因素与新材料的结合还在每单位面积的基板上提供更高的电路集成度。随着电路集成度增加，对于关于层厚度的更大均匀性和工艺控制的需求上升。结果，已形成以成本效益好的方式在基板上沉积层，同时保持对层特性的控制的各种技术。
[0003]化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition；CVD)是用于在基板上沉积层的最普遍的沉积工艺。CVD是一种通量相关(flux
‑
dependent)的沉积技术，所述技术需要精确控制基板温度和引入处理腔室中的前驱物，以产生具有均匀厚度的所需层。随着基板尺寸增加，这些要求变得越来越关键，从而需要更复杂的腔室设计和气流技术来保持足够的均匀性。
[0004]展示优异本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种金属配位络合物，包含双核钼和空间或电子适应的膦配体或所述空间或电子适应的膦配体的衍生物，所述金属配位络合物实质上没有氧、卤素和羰基。2.如权利要求1所述的金属配位络合物，所述金属配位络合物具有式(I)、式(II)、式(III)或式(IV)的结构：其中Mo
‑
Mo是双核钼，L和独立地是所述空间或电子适应的膦配体或所述空间或电子适应的膦配体的衍生物，并且L1和L2的一个或多个独立地是所述空间或电子适应的膦配体或所述空间或电子适应的膦配体的衍生物，或者羰基配体或所述羰基配体的衍生物。3.如权利要求2所述的金属配位络合物，其中L独立地是或者独立地是并且R独立地是取代或未取代的C1‑
C
10
烷基。4.如权利要求3所述的金属配位络合物，其中R独立地是选自Me
‑
、Et
‑
、iPr
‑
、tBu
‑
和
取代基。5.一种沉积膜的方法，所述方法包含：将基板暴露于具有式(I)、式(II)、式(III)或式(IV)的结构的双核钼配体络合物将基板暴露于具有式(I)、式(II)、式(III)或式(IV)的结构的双核钼配体络合物其中Mo
‑
Mo是双核钼，L和独立地是空间或电子适应的膦配体或所述空间或电子适应的膦配体的衍生物，和L1和L2的一个或多个独立地是空间或电子适应的膦配体或所述空间或电子适应的膦配体的衍生物，或者羰基配体或所述羰基配体的衍生物；并且将所述基板暴露于反应物以在所述基板上形成含钼膜。6.如权利要求5所述的方法，其中L独立地是并且独立地是R独立地是取代或未取代的C1‑
C
10
烷基。7.如权利要求6所述的方法，其中R独立地选自Me
‑
,Et
‑
,iPr
‑
,t...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德里亚，
申请(专利权)人：新加坡国立大学，
类型：发明
国别省市：