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本发明描述了双核钼配位络合物。本发明描述了用于在基板上沉积含钼膜的方法。基板被暴露于双核钼前驱物和反应物以形成含钼膜(例如，元素钼、氧化钼、碳化钼、硅化钼、氮化钼)。所述暴露可以是顺序的或者同时的。述暴露可以是顺序的或者同时的。述暴露可以是...
该专利属于新加坡国立大学所有，仅供学习研究参考，未经过新加坡国立大学授权不得商用。

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