【技术实现步骤摘要】
一种光子晶体传感器及其制备方法
[0001]本专利技术涉及一种光子晶体传感器及其制备方法
。
技术介绍
[0002]光子晶体是在某一个频率范围内的波不能在此周期性结构中传播的特殊性结构，这是基于全反射中的通过倏逝波耦合引起的特定波长在谐振腔内共振的光学现象，光子晶体的主要应用集中在高反射镜，滤波器，分光装置，晶体波导，晶体光纤，微型激光器等领域，而其中光子表面也会因为耦合共振现象得到共振波，然而该表面形成的耦合共振波却得不到人们的重视，因此在传感器中的应用，光子晶体也一直受到人们的漠视，未见相关报道
。
技术实现思路
[0003]针对上述
技术介绍
中存在的缺陷，本专利技术提供一种光子晶体传感器及其制备方法
。
所述光子晶体传感器通过倏逝波耦合引起的谐振腔内共振从而在光子晶体表面形成空间波，在暗场条件下检测光子晶体表面空间波的光谱强度和共振波波长位置从而得到光子晶体表面覆盖层
(
即待测物
)
的厚度
。
[0004]本专利技术所采用的技术方案是：
[0005]一种光子晶体传感器的制作方法，首先在
PDMS
，弱的离子液体或者溶胶
‑
凝胶中配置两种浓度不同的纳米微球溶液，微球大小
0.1nm
‑
100nm
，采用匀胶的方法将微球溶液均匀的覆盖在单晶硅上，匀胶速度为
1rpm/s
‑
100000rpm/s,
两种纳米微球...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种光子晶体传感器，其特征在于，所述传感器由第一布拉格光栅周期层
、
谐振微腔层和第二布拉格光栅周期层依次叠加得到；所述第一布拉格光栅周期层由若干周期叠加得到，每个周期由两层折射率不同的纳米层组成；所述谐振微腔层的折射率低于或者等于第二布拉格光栅周期层与第一布拉格光栅周期层的折射率；所述第二布拉格光栅周期层与第一布拉格光栅周期层结构类似
。2.
根据权利要求1所述的一种光子晶体传感器，其特征在于，所述第一布拉格光栅层周期性的周期数为2‑
100
，每个周期的高为
10
‑
1000nm,
谐振微腔层的厚度为
10
‑
1000nm。3.
如权利要求1或2所述的一种光子晶体传感器的制备方法，其特征在于，步骤如下：选择磁控溅射或电子束蒸发沉积两层不同折射率的纳米薄膜得到的一个周期性纳米薄膜，重复沉积若干个周期即可得到第一布拉格光栅周期层，继续沉积一层纳米薄膜得到谐振微腔层，接着继续按照第一布拉格光栅周期层的制备方法制备得到第二布拉格光栅周期层，即可得到光子晶体传感器
。4.
如权利要求1或2所述的一种光子晶体传感器的制备方法，其特征在于，步骤如下：配置两种折射率不同的溶胶
‑
凝胶的溶液，匀胶一层溶胶凝胶后等金属盐水解后，缩聚形成一层纳米薄膜后烘干，依次匀胶缩聚烘干两种不同的溶胶
‑
凝胶，重复若干个周期后即可得到第一布拉格光栅周期层，继续沉积一层纳米薄膜得到谐振微腔层，接着继续按照第一布拉格光栅周期层的制备方法制备得到第二布拉格光栅周期层，即可得到光子晶体传感器
。5.
如权利要求1或2所述的一种光子晶体传感器的制备方法，其特征在于，步骤如下：在
PDMS
中配置两种浓度不同的纳米微球溶液；使用匀胶的方法将纳...
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