【技术实现步骤摘要】
传感器的封装结构和电子设备
[0001]本技术涉及电磁屏蔽
,更具体地,本技术涉及一种传感器的封装结构和电子设备。
技术介绍
[0002]随着电子产品的飞速发展,各类传感器的应用也越来越广泛。传感器通常包括MEMS芯片、ASIC芯片等功能器件,而为了保证传感器的功能,通常会对上述功能器件进行封装,在功能器件外形成封装体。
[0003]在现有技术中,封装体并没有屏蔽功能,导致功能器件周围的射频信号、ESD冲击电波等可以进入传感器的内部,给传感器带来性能干扰,严重时还会击穿内部芯片,造成功能器件损伤。
技术实现思路
[0004]本技术的一个目的是提供一种传感器的封装结构和电子设备,以解决传感器被电磁干扰的问题。
[0005]根据本技术的第一方面,提供一种传感器的封装结构,包括:
[0006]基板和设置在所述基板上的功能器件;
[0007]封装体,所述封装体设置于所述基板上,并塑封所述功能器件;
[0008]第一屏蔽层,所述第一屏蔽层设置于所述封装体的外侧,并与所述基板电连 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种传感器的封装结构,其特征在于,包括:基板和设置在所述基板上的功能器件;封装体,所述封装体设置于所述基板上,并封装所述功能器件;第一屏蔽层,所述第一屏蔽层设置于所述封装体的外侧,并与所述基板电连接,以对所述功能器件实现电磁屏蔽;还包括第二屏蔽层,所述第二屏蔽层设置于所述封装体的内侧或外侧,并与所述基板电连接,以对所述功能器件实现电磁屏蔽。2.根据权利要求1所述的传感器的封装结构,其特征在于,所述第一屏蔽层为导电镀层,所述导电镀层至少覆盖在所述封装体的外表面。3.根据权利要求2所述的传感器的封装结构,其特征在于,所述导电镀层的厚度为0.05um~50um。4.根据权利要求1所述的传感器的封装结构,其特征在于,所述第二屏蔽层为导电壳体。5.根据权利要求4所...
【专利技术属性】
技术研发人员:端木鲁玉,孙万国,张剑,
申请(专利权)人:歌尔微电子股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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