采用踢脉冲的磁控溅射的波纹管镀膜制造技术

技术编号:39332913 阅读:30 留言:0更新日期:2023-11-12 16:07
描述了一种用于多维结构的等离子体表面改性和高质量镀膜沉积的径向磁控管系统。该系统包括轴向电极、设置在轴向电极的一部分上的靶材材料、来自外部电源的被施加电势、以及附接到轴向电极以用于被施加电势的大电流触点。该系统还包括主永磁体组件和磁体基板,该主永磁体组件包括各个磁性材料元件,其被配置为在向轴向电极施加该被施加电势的情况下产生用于生成霍尔效应致密等离子体区域的靶区磁场,并且该磁体基板在轴向电极内支撑主永磁体组件。磁体基板被配置为提供用于冷却主永磁体组件和轴向电极的通道。件和轴向电极的通道。件和轴向电极的通道。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】采用踢脉冲的磁控溅射的波纹管镀膜
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请是2021年1月20日提交的题为“Bellows Coating by Magnetron Sputtering with Kick Pulse”的美国临时申请号63/139,609的非临时申请,其内容通过引用的方式全部明确并入本文,包括其中的任何引用。
[0003]本申请涉及申请号16/848,353,该申请是2017年11月3日提交的题为“ACOMPACT SYSTEM FOR COUPLING RF POWER DIRECTLY INTO RF LINACS”的美国申请序列号15/803,320(USP 10,624,199)的部分接续申请案,并要求其优先权,该申请是2016年11月3日提交的题为“A COMPACT SYSTEM FOR COUPLING RF POWER DIRECTLY INTO RF LINACS”的美国临时申请序列号62/416,900的非临时申请,其中(上述申请的)每一项的内容均通过引用的方式全部明确并入本文,包括其中的任何引用。
[00本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种径向磁控管系统,用于多维结构的等离子体表面改性和高质量镀膜沉积,所述径向磁控管包括:轴向电极;靶材材料,所述靶材材料被设置在所述轴向电极的一部分上;来自外部电源的被施加电势;大电流触点,所述大电流触点被附接到所述轴向电极以用于所述被施加电势;主永磁体组件,所述主永磁体组件包括各个磁性材料元件,其被配置为在向所述轴向电极施加所述被施加电势的情况下产生用于生成霍尔效应致密等离子体区域的靶区磁场;磁体基板,所述磁体基板在所述轴向电极内支撑所述主永磁体组件;其中,所述磁体基板被配置为提供用于冷却所述主永磁体组件和所述轴向电极的通道。2.根据权利要求1所述的系统,其中,所述系统还包括:至少一个开槽套管,所述开槽套管保持所述主永磁体组件相对于所述轴向电极的同心定向。3.根据权利要求1所述的系统,其中,所述磁体基板被配置为允许所述主永磁体组件的旋转。4.根据权利要求1所述的系统,其中,所述磁体基板被配置为允许所述主永磁体组件的轴向

纵向位移。5.根据权利要求1所述的系统,其中,所述系统还包括:次级内部永磁体组件,所述次级内部永磁体组件被耦合到所述磁体基板,并被配置为允许来自次级外部磁体组件的被施加运动。6.根据权利要求5所述的系统,其中,所述系统还包括:隔离支撑件,所述隔离支撑件被配置为将所述主永磁组件与所述次级内部永磁组件电流隔离。7.根据权利要求1所述的系统,还包括端盖,其中所述端盖被配置为可旋转地支撑所述磁体基板。8.根据权利要求1所述的系统,还包括端盖,其中所述端盖被配置为容纳冷却剂回流通道。9.根据权利要求1所述的系统,其中,所述轴向电极实质上是中空的圆柱形容器。10.根据权利要求1所述的系统,其中,所述主永磁体组件由沿所述轴向电极的外周的离散的各个永磁磁场源之间的间隙分割。11.根据权利要求3所述的系统,其中,所述系统支持所述主永磁体组件的进程内的旋转。12.根据权利要求4所述的系统,其中,所述系统支持所述主永磁体组件的进程内的轴向

纵向位移。13.根据权利要求1所述的系统,其中,所述外部电源还包括场发生电子电路,其被配置为执行:利用施加到所述轴向电极的大电流负直流(DC)脉冲来生成高功率脉冲等离子体磁控管放电,以及在终止负DC脉冲之后,生成提供给所述轴向电极的可配置的持续正电压踢脉冲;并且其中,在所述生成期间,...

【专利技术属性】
技术研发人员:托马斯
申请(专利权)人:星火工业有限公司
类型:发明
国别省市:

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