【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及将功率注入加速器设备中，并且更具体地，涉及相对紧凑的高功率射频直线加速器(rf linac)系统。
技术介绍
1、高功率rf腔，诸如rf linac中的那些，不仅需要巨大的rf功率(大约几十到几百千瓦及以上)，还需要真空环境来防止由于与这种高功率相关联的强电场而在rf腔内产生电弧和火花。达到谐振腔内特定电场所需的rf功率由品质因数(q)决定，品质因数是存储的积分能量除以每个周期损失的能量。对于谐振rf腔，公式简化为因为rf能量沿着表面传播，并且是表面电阻的函数，该表面电阻与rf频率的平方根成正比。更高的品质因数导致更高的效率、更高的可实现电压和加速梯度。然而，在腔体设计和操作中存在工程折衷，因为ghz频率的电趋肤深度在微米量级。rf腔通常电镀铜以降低表面电阻，或者由室温腔的固体基材块构成。
2、通常，rf功率经由波导和密闭rf窗口被耦合到高功率rf腔中。这种方法虽然在高功率linac应用中可行，但需要额外的硬件，这增加了紧凑型高功率rf linac系统的成本、尺寸和复杂性。上述方法的替代方法是经由安装在r...
【技术保护点】
1.一种系统，其包括用于为等离子体放电源生成电脉冲的受控电源，所述受控电源包括：
2.根据权利要求1所述的系统，进一步包括：
3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述受控脉冲功率晶体管组包括数量Y的晶体管开关堆叠，所述晶体管开关堆叠能够被调制为顺序或串联发射，以调整由以下各项组成的组的一个或多个特性：转移到所述输出脉冲轨道的峰值功率、峰值电流和脉冲重复频率。
4.根据权利要求3所述的系统，其中，所述Y个晶体管开关堆叠中的每一个包括：
5.根据权利要求2所述的系统，其中，在操作期间，利用用于预电离的超级踢模式为所述磁控溅射...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种系统，其包括用于为等离子体放电源生成电脉冲的受控电源，所述受控电源包括：
2.根据权利要求1所述的系统，进一步包括：
3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述受控脉冲功率晶体管组包括数量y的晶体管开关堆叠，所述晶体管开关堆叠能够被调制为顺序或串联发射，以调整由以下各项组成的组的一个或多个特性：转移到所述输出脉冲轨道的峰值功率、峰值电流和脉冲重复频率。
4.根据权利要求3所述的系统，其中，所述y个晶体管开关堆叠中的每一个包括：
5.根据权利要求2所述的系统，其中，在操作期间，利用用于预电离的超级踢模式为所述磁控溅射靶生成类rf电压波形，以在所述主负直流脉冲启动之前激发和填充所述磁控管附近的电子。
6.根据权利要求2所述的系统，其中，在操作期间，选择超级踢模式用于在所述基板处通过受控离子能量进行类rf等离子体维持和自由基生成。
7.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特·A·斯图伯斯，布莱恩·E·尤尔兹克，伊恩·F·亨莱因，伊丽莎白·阿特金森，托马斯·J·霍拉汉，
申请(专利权)人：星火工业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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