本发明专利技术提供了一种硅片吸附装置，包括旋转机构；圆形的硅片吸附台，吸附台安装在旋转机构上，旋转机构用于驱动硅片吸附台旋转，吸附台的吸附表面设有至少一圈第一吸附槽及环绕在第一吸附槽外的一圈第二吸附槽，吸附台内设置有第一负压腔和第二负压腔，其中，第一负压腔与第一吸附槽的底部相通，第一负压腔的一端自硅片吸附台的侧壁穿出形成第一抽气口，第二负压腔与第二吸附槽的底部相通，第二负压腔的一端自硅片吸附台的侧壁穿出形成第二抽气口；和抽气管路，抽气管路分别与第一抽气口和第二抽气口对接，抽气管路被配置对第一负压腔和第二负压腔实施独立抽气。本发明专利技术的硅片吸附装置可实现对更多尺寸的硅片的吸附固定，从而提升兼容性。兼容性。兼容性。
【技术实现步骤摘要】
一种硅片吸附装置
[0001]本专利技术涉及硅片加工领域，具体地说是一种硅片吸附装置。
技术介绍
[0002]在对硅片进行划切及减薄等加工时，需要通过硅片吸附装置实施对硅片的吸附固定。硅片吸附装置的吸附台上设有用于吸附硅片的吸附结构(如吸附槽或吸附孔)。
[0003]现有的硅片吸附装置，其吸附台上的吸附结构由统一的抽气腔来抽气，因此其一般仅能实施对单一尺寸的硅片的吸附固定。如，硅片尺寸过大时，硅片的边缘部分无法被吸附牢固，加工过程中容易出现崩边、裂片等情况。又如，当硅片过小时，吸附台靠近边缘位置处的未被硅片覆盖的吸附结构出现漏气情况，从而导致被硅片覆盖的吸附结构内无法产生足够大的负压，最终导致硅片无法被吸紧。
技术实现思路
[0004]针对现有的硅片吸附台存在的上述技术问题，本专利技术提供了一种能够实施对不同尺寸硅片吸附的硅片吸附台，其技术方案如下：
[0005]一种硅片吸附装置，包括：
[0006]旋转机构；
[0007]圆形的硅片吸附台，硅片吸附台安装在旋转机构上，旋转机构用于驱动硅片吸附台旋转，吸附台的吸附表面设有至少一圈第一吸附槽及环绕在第一吸附槽外的一圈第二吸附槽，吸附台内设置有第一负压腔和第二负压腔，其中，第一负压腔与第一吸附槽的底部相通，第一负压腔的一端自硅片吸附台的侧壁穿出形成第一抽气口，第二负压腔与第二吸附槽的底部相通，第二负压腔的一端自硅片吸附台的侧壁穿出形成第二抽气口；和
[0008]抽气管路，抽气管路分别与第一抽气口和第二抽气口对接，抽气管路被配置对第一负压腔和第二负压腔实施独立抽气。
[0009]本专利技术提供的硅片吸附装置，其硅片吸附台上设有位于内侧的第一吸附槽和位于外侧的第二吸附槽，且第一吸附槽和第二吸附槽被实施独立抽气。当需要实施对较大尺寸的硅片的吸附时，第一吸附槽和第二吸附槽同时被抽气，从而确保对较大尺寸的硅片吸附效果。而当需要实施对小大尺寸的硅片的吸附时，可仅实施对位于内侧的第一吸附槽抽气，即可确保对较小尺寸的硅片吸附效果。即，与现有的硅片吸附装置，本专利技术提供的硅片吸附装置能够实现对更多尺寸的硅片的吸附固定，从而提升兼容性。
[0010]在一些实施例中，抽气管路包括抽气主管、气路控制组件、第一抽气支管及第二抽气支管，其中：抽气主管的第一端连接在气路控制组件的进气口上，抽气主管的第二端用于连接抽气装置；第一抽气支管的第一端连接气路控制组件的第一出气口上，第一抽气支管的第二端与第一抽气口密封对接；第二抽气支管的第一端连接气路控制组件的第二出气口上，第一抽气支管的第二端与第二抽气口密封对接；气路控制组件用于控制第一出气口打开及关闭，以及用于控制第二出气口打开及关闭。
[0011]提供了一种抽气管路的实现方式，其通过气路控制组件控制第一抽气支管、第二抽气支管的打开及关闭，从而实现对第一吸附槽、第二吸附槽的独立抽气。
[0012]在一些实施例中，抽气管路包括第一抽气管路和第二抽气管路，其中：第一抽气管路的第一端用于连接第一抽气装置，第一抽气管路的第二端与第一抽气口密封对接。第二抽气管路的第一端用于连接第二抽气装置，第二抽气管路的第二端与第二抽气口密封对接。
[0013]提供了另一种抽气管路的实现方式，其通过第一抽气管路、第二抽气管路分别实施对第一吸附槽、第二吸附槽的独立抽气。
[0014]在一些实施例中，第一负压腔与第一吸附槽之间设置有第一连通孔，第二负压腔与第二吸附槽之间设置有第二连通孔。
[0015]通过设置第一连通孔、第二连通孔，实现了对第一负压腔与第一吸附槽、第二负压腔与第二吸附槽之间的连通。
[0016]在一些实施例中，第一吸附槽和第二吸附槽的圆心均位于硅片吸附台的中心位置处。
[0017]第一吸附槽和第二吸附槽按同心圆设置，可进一步提升对硅片的吸附均匀性。
[0018]在一些实施例中，第一吸附槽设置有三圈。
[0019]三圈第一吸附槽从不同位置处实施对较小尺寸的硅片的吸附，从而进一步提升对较小尺寸的硅片的吸附效果。
[0020]在一些实施例中，硅片吸附装置还包括转接板，其中，转接板安装在旋转机构上，转接板的中部设有供硅片吸附台穿过的通孔；抽气管路支撑在转接板上。
[0021]通过设置转接板，实现了对抽气管路的安装固定。
[0022]在一些实施例中，转接板上还安装有压圈，压圈环绕在硅片吸附台外，压圈的上表面低于硅片吸附台的吸附表面，压圈用于实施对硅片吸附台的压紧限位。
[0023]通过设置压槽和压圈，实现了对硅片吸附台的限位，防止硅片吸附台在旋转过程中产生窜动。
[0024]在一些实施例中，第二吸附槽与硅片吸附台的周侧边缘之间的间距小于预定值；硅片吸附装置还包括设置在压圈上的感应组件，当第二吸附槽被硅片覆盖时，感应组件产生感应信号并将感应信号提供给抽气管路的控制器，以触发抽气管路对第二负压腔抽气。
[0025]在实施对尺寸较小的硅片的吸附操作时，抽气管路不对第二负压腔抽气，第二吸附槽保持为非吸附状态。而当将较大尺寸的硅片放置至硅片吸附台上时，抽气管路即可自动实施对第二压腔抽气的抽气，以实施对较大尺寸的硅片的吸附。
[0026]在一些实施例中，感应组件包括成对设置的激光反生器和激光探测器，激光反生器的发射口向上并朝向硅片吸附台倾斜，当第二吸附槽被硅片覆盖时，激光反生器发出的光线投射至硅片的下表面上，自硅片的下表面反射回的激光进入激光探测器内从而触发激光探测器产生感应信号。
[0027]提供了一种结构简单的感应组件，其通过激光反生器和激光探测器的配合，实施对较大尺寸的硅片的到位感应。
附图说明
[0028]图1为本专利技术实施例中的硅片吸附装置的结构示意图；
[0029]图2为本专利技术实施例中的硅片吸附台的剖视结构示意图；
[0030]图1至图2中包括：
[0031]旋转机构1；
[0032]硅片吸附台2：第一吸附槽21、第二吸附槽22、第一负压腔23、第二负压腔24、第一连通孔25、第二连通孔26；
[0033]抽气管路3：抽气主管31、气路控制组件32、第一抽气支管33、第二抽气支管34；
[0034]转接板4；
[0035]压圈5。
具体实施方式
[0036]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0037]现有的硅片吸附装置，其吸附台上的吸附结构由统一的抽气腔来抽气，因此其一般仅能实施对单一尺寸的硅片的吸附固定。为了解决现有的硅片吸附装置存在的兼容性不够的技术问题，本专利技术提供了一种硅片吸附装置，能够实现对更多尺寸的硅片的吸附固定，从而提升兼容性。
[0038]如图1至图2所示，本专利技术实施例提供的硅片吸附装置包括旋转机构1、硅片吸附台2和抽气管路3，其中：
[0039]吸附台2为圆形台面，其安装在旋转机构1上，旋转机构1用于驱动吸附台2旋转，从而带本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅片吸附装置，其特征在于，所述硅片吸附装置包括：旋转机构；硅片吸附台，所述硅片吸附台为圆形，所述硅片吸附台安装在所述旋转机构上，所述旋转机构用于驱动所述硅片吸附台旋转，所述吸附台的吸附表面设有至少一圈第一吸附槽及环绕在所述第一吸附槽外的一圈第二吸附槽，所述吸附台内设置有第一负压腔和第二负压腔，其中，所述第一负压腔与所述第一吸附槽的底部相通，所述第一负压腔的一端自所述硅片吸附台的侧壁穿出形成第一抽气口，所述第二负压腔与所述第二吸附槽的底部相通，所述第二负压腔的一端自所述硅片吸附台的侧壁穿出形成第二抽气口；和抽气管路，所述抽气管路分别与所述第一抽气口和所述第二抽气口对接，所述抽气管路被配置对所述第一负压腔和所述第二负压腔实施独立抽气。2.如权利要求1所述的硅片吸附装置，其特征在于，所述抽气管路包括抽气主管、气路控制组件、第一抽气支管及第二抽气支管，其中：所述抽气主管的第一端连接在所述气路控制组件的进气口上，所述抽气主管的第二端用于连接抽气装置；所述第一抽气支管的第一端连接所述气路控制组件的第一出气口上，所述第一抽气支管的第二端与所述第一抽气口密封对接；所述第二抽气支管的第一端连接所述气路控制组件的第二出气口上，所述第一抽气支管的第二端与所述第二抽气口密封对接；所述气路控制组件用于控制所述第一出气口打开及关闭，以及用于控制所述第二出气口打开及关闭。3.如权利要求1所述的硅片吸附装置，其特征在于，所述抽气管路包括第一抽气管路和第二抽气管路，其中：所述第一抽气管路的第一端用于连接第一抽气装置，所述第一抽气管路的第二端与所述第一抽气口密封对接。所述第二抽气管路的第一端用于连接第二抽气装置，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕超，贺东葛，闫伟文，
申请(专利权)人：北京中电科电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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