发射线圈参数的配置方法、射频线圈组件和设备技术

本申请涉及一种发射线圈参数的配置方法、射频线圈组件和设备，该方法包括：计算机设备获取发射线圈的初始电容值和屏蔽组件的初始高度，其中，初始电容值包括发射线圈中第一端部上的第一电容的第一初始电容值和发射线圈中第二端部上的第二电容的第二初始电容值，计算机设备获取待成像部位处于发射线圈的目标区域，根据目标区域的位置和预设的B1场分布条件，调整初始电容值或屏蔽组件的初始高度，得到目标电容值或屏蔽组件的目标高度。在本方案中，计算机设备可以通过调整屏蔽组件的高度和/或发射线圈的初始电容值，适应性地增大目标区域的B1场强度，从而解决成像结果存在图像较暗的问题，优化发射线圈磁共振呈成像的成像结果。结果。结果。

【技术实现步骤摘要】
发射线圈参数的配置方法、射频线圈组件和设备


[0001]本申请涉及磁共振成像
，特别是涉及一种发射线圈参数的配置方法、射频线圈组件和设备。

技术介绍

[0002]在磁共振扫描场景中，常见的头部线圈为收发一体的射频线圈，发射线圈和接收线圈主要都是基于保证大脑区域位于中心设计的，发射线圈采用的是常规的鸟笼线圈。由鸟笼线圈的原理可知，当鸟笼线圈无线长或直径无限大时，线圈内部B1场可以达到各向均匀，因此，理论上人体大脑和小脑均可以处在相对均匀的B1场分布区域。
[0003]但是，实际鸟笼线圈受限于尺寸影响，线圈的特性是在中心区域B1场分布最强，往外侧其分布逐渐减弱。临床使用时，因人体脖子长短不同，头部可能无法完全进入发射线圈中心区域，使得小脑区域处于线圈外侧，导致小脑区域B1场分布较弱。
[0004]在高场磁共振扫描成像时，由于小脑区域B1场分布较弱，小脑区域图像存在图像较暗的情况。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够改善B1场分布的发射线圈参数的配置方法、射频线圈组件和设备。
[0006]第一方面，本申请提供了一种发射线圈参数的配置方法，该方法包括：
[0007]获取发射线圈的初始电容值和屏蔽组件的初始高度；初始电容值包括发射线圈中第一端部上的第一电容的第一初始电容值和发射线圈中第二端部上的第二电容的第二初始电容值；
[0008]获取待成像部位处于发射线圈的目标区域；
[0009]根据目标区域的位置和预设的B1场分布条件，调整初始电容值或屏蔽组件的初始高度，得到目标电容值或屏蔽组件的目标高度。
[0010]在其中一个可选的实施例中，根据目标区域的位置和预设的B1场分布条件，调整初始电容值或屏蔽组件的初始高度，得到目标电容值或屏蔽组件的目标高度，包括：
[0011]根据目标区域的位置和预设的B1场分布条件，保持初始电容值不变，将屏蔽组件的初始高度调整为目标高度；
[0012]或者，根据目标区域的位置和预设的B1场分布条件，保持屏蔽组件的初始高度不变，将第一初始电容值调整为第一目标电容值，将第二初始电容值调整为第二目标电容值。
[0013]在其中一个可选的实施例中，根据目标区域的位置和预设的B1场分布条件，保持初始电容值不变，将初始高度调整为目标高度，包括：
[0014]在目标区域的位置与第一端部所在平面之间的最短距离小于预设距离阈值，且目标区域的位置所在B1场的场强满足B1场分布条件的情况下，将屏蔽组件的初始高度调整为目标高度，目标高度小于发射线圈的高度，屏蔽组件的底端处于第二端部所在平面。
[0015]在其中一个可选的实施例中，根据目标区域的位置和预设的B1场分布条件，保持初始电容值不变，将初始高度调整为目标高度，包括：
[0016]在目标区域的位置与第二端部所在平面之间的最短距离小于预设距离阈值，且目标区域的位置所在B1场的场强满足B1场分布条件的情况下，将屏蔽组件的初始高度调整为目标高度，目标高度小于发射线圈的高度，屏蔽组件的顶端处于第一端部所在平面。
[0017]在其中一个可选的实施例中，根据目标区域的位置和预设的B1场分布条件，保持屏蔽组件的初始高度不变，将第一初始电容值调整为第一目标电容值，将第二初始电容值调整为第二目标电容值，包括：
[0018]在目标区域的位置与第一端部所在平面之间的最短距离小于预设距离阈值，且目标区域的位置所在B1场的场强满足B1场分布条件的情况下，将第一初始电容值调整为第一目标电容值，将第二初始电容值调整为第二目标电容值；第一目标电容值大于第二目标电容值。
[0019]在其中一个可选的实施例中，根据目标区域的位置和预设的B1场分布条件，保持屏蔽组件的初始高度不变，将第一初始电容值调整为第一目标电容值，将第二初始电容值调整为第二目标电容值，包括：
[0020]在目标区域的位置与第二端部所在平面之间的最短距离小于预设距离阈值，且目标区域的位置所在B1场的场强满足B1场分布条件的情况下，将第一初始电容值调整为第一目标电容值，将第二初始电容值调整为第二目标电容值；第二目标电容值大于第一目标电容值。
[0021]第二方面，提供一种射频线圈组件，射频线圈组件包括发射线圈和屏蔽组件；
[0022]发射线圈包括第一端部、第二端部和多个横档部；多个横档部沿周向并排环绕设置，第一端部、第二端部分别位于多个横档部的两端；
[0023]屏蔽组件设置于发射线圈的外周，且屏蔽组件沿着横档部的长度方向延伸；
[0024]第一端部上设置至少一个第一电容；第二端部上设置至少一个第二电容；各横档部上设置至少一个电感组件；各第一电容、各第二电容和各电感组件组成B1场激发电路；B1场激发电路用于在待成像部位处于发射线圈的情况下，根据外部输入的电流激发B1场；
[0025]其中，第一端部的目标电容值、第二端部的目标电容值以及屏蔽组件的目标高度，均为采用上述第一方面任一项的发射线圈参数的配置方法确定的。
[0026]第三方面，提供一种发射线圈参数的配置装置，其特征在于，装置包括：
[0027]第一获取模块，用于获取发射线圈的初始电容值和屏蔽组件的初始高度；初始电容值包括发射线圈中第一端部上的第一电容的第一初始电容值和发射线圈中第二端部上的第二电容的第二初始电容值；
[0028]第二获取模块，用于获取待成像部位处于发射线圈的目标区域；
[0029]调整模块，用于根据目标区域的位置和预设的B1场分布条件，调整初始电容值或屏蔽组件的初始高度，得到目标电容值或屏蔽组件的目标高度。
[0030]第四方面，本申请还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下第一方面提供的方法。
[0031]第五方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，
其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现第一方面提供的方法。
[0032]第六方面，本申请还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现第一方面提供的方法。
[0033]上述发射线圈参数的配置方法、射频线圈组件、设备和介质，计算机设备获取发射线圈的初始电容值和屏蔽组件的初始高度，其中，初始电容值包括发射线圈中第一端部上的第一电容的第一初始电容值和发射线圈中第二端部上的第二电容的第二初始电容值，计算机设备获取待成像部位处于发射线圈的目标区域，根据目标区域的位置和预设的B1场分布条件，调整初始电容值或屏蔽组件的初始高度，得到目标电容值或屏蔽组件的目标高度。在本方案中，计算机设备可以根据待成像部位处于发射线圈中的目标区域的位置，通过调整屏蔽组件的高度和/或发射线圈的初始电容值，适应性地增大目标区域的B1场强度，来改善现有技术中待成像部分处于发射线圈中的区域B1场较弱的情况，从而解决成像本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发射线圈参数的配置方法，其特征在于，所述方法包括：获取发射线圈的初始电容值和屏蔽组件的初始高度；所述初始电容值包括所述发射线圈中第一端部上的第一电容的第一初始电容值和所述发射线圈中第二端部上的第二电容的第二初始电容值；获取待成像部位处于发射线圈的目标区域；根据所述目标区域的位置和预设的B1场分布条件，调整所述初始电容值或所述屏蔽组件的初始高度，得到目标电容值或所述屏蔽组件的目标高度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标区域的位置和预设的B1场分布条件，调整所述初始电容值或所述屏蔽组件的初始高度，得到目标电容值或所述屏蔽组件的目标高度，包括：根据所述目标区域的位置和所述预设的B1场分布条件，保持所述初始电容值不变，将所述屏蔽组件的初始高度调整为目标高度；或者，根据所述目标区域的位置和所述预设的B1场分布条件，保持所述屏蔽组件的初始高度不变，将所述第一初始电容值调整为第一目标电容值，将所述第二初始电容值调整为第二目标电容值。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标区域的位置和预设的B1场分布条件，保持所述初始电容值不变，将初始高度调整为目标高度，包括：在所述目标区域的位置与所述第一端部所在平面之间的最短距离小于预设距离阈值，且所述目标区域的位置所在B1场的场强满足所述B1场分布条件的情况下，将所述屏蔽组件的初始高度调整为所述目标高度，所述目标高度小于所述发射线圈的高度，所述屏蔽组件的底端处于所述第二端部所在平面。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标区域的位置和预设的B1场分布条件，保持所述初始电容值不变，将初始高度调整为目标高度，包括：在所述目标区域的位置与所述第二端部所在平面之间的最短距离小于预设距离阈值，且所述目标区域的位置所在B1场的场强满足所述B1场分布条件的情况下，将所述屏蔽组件的初始高度调整为所述目标高度，所述目标高度小于所述发射线圈的高度，所述屏蔽组件的顶端处于所述第一端部所在平面。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标区域的位置和所述预设的B1场分布条件，保持所述屏蔽组件的初始高度不变，将所述第一初始电容值调整为第一目标电容值，将所述第二初始电容值调整为第二目标电容值，包括：在所述目标区域的位置与所述第一端部所在平面之间的最短距离小于预设距离阈值，且所述目标区域的位置所在B1场的场强满足所述B1场分布条件的情况下，将所述第一初始电容值调整为第...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍远顶，方福衣，吴建星，陆凯华，徐烽，
申请(专利权)人：上海联影医疗科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：