包括用于经受灌注化合物体积变化的结构的半导体封装制造技术

一种半导体封装(10)，包括：管芯载体(3)；设置于管芯载体(3)上的至少一个半导体管芯(4)；至少部分覆盖所述管芯载体(3)和所述半导体管芯(4)的灌注化合物(6)；以及至少一个结构(8)，所述至少一个结构被配置成以目标方式经受在变化的外部条件下发生的所述灌注化合物(6)的体积变化。(6)的体积变化。(6)的体积变化。

【技术实现步骤摘要】
包括用于经受灌注化合物体积变化的结构的半导体封装


[0001]本公开涉及包括至少一个被配置成经受灌注化合物体积变化的结构的半导体封装。

技术介绍

[0002]半导体封装通常包含管芯载体、至少一个设置于管芯载体上的半导体管芯、至少部分覆盖管芯载体和半导体管芯的灌注化合物，通常还包含壳体或框架，前述灌注化合物被填充到其内部。
[0003]在其使用过程中，半导体封装被暴露于变化的环境影响，尤其是变化的湿度、压力，尤其是温度。这可能导致封装改变其体积，即，收缩或膨胀。例如，温度变化效应导致的功率电子框架模块的灌注化合物的膨胀和收缩造成灌注化合物中的机械应力。结果，封装可能不合期望地从其他部分(例如电路载体、管芯焊盘或半导体管芯)分离，导致裂纹或剥离或使得湿气扩散进来的空间，并且损伤灌注材料的绝缘性。
[0004]出于这些和其他原因，存在对本公开的需求。

技术实现思路

[0005]本公开的一方面涉及一种半导体封装，包括：管芯载体；设置于所述管芯载体上的至少一个半导体管芯；至少部分覆盖所述管芯载体和所述半导体管芯的灌注化合物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装(10)，包括：管芯载体(3)；设置在所述管芯载体(3)上的至少一个半导体管芯(4)；至少部分覆盖所述管芯载体(3)和所述半导体管芯(4)的灌注化合物(6)；以及至少一个结构(8)，所述至少一个结构被配置成以目标方式经受在变化的外部条件下发生的所述灌注化合物(6)的体积变化。2.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体封装(10)，还包括：壳体(1)，其中，所述灌注化合物(6)被填充到所述壳体(1)的内部中。3.根据权利要求1或2所述的半导体封装(10)，其中所述至少一个结构形成于所述灌注化合物(6)中或形成于所述灌注化合物(6)处。4.根据权利要求3所述的半导体封装(10)，其中所述至少一个结构(8)形成于所述灌注化合物(6)的表面处，所述表面远离所述管芯载体(3)。5.根据权利要求4所述的半导体封装(10)，其中所述灌注化合物(6)在所述表面处被层(7)覆盖，并且所述至少一个结构(8)由插入到所述层(7)中的薄膜(8)形成。6.根据权利要求4或5所述的半导体封装(10)，包括：分布于所述层(7)上方的多个减薄层(8)。7.根据权利要求1或2所述的半导体封装(20)，其中所述至少一个结构(18)由所述灌注化合物(6)中的至少一个腔(18)形成。8.根据权利要求7所述的半导体封装(20)，包括：分布...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：