半导体结构的监控方法、监控装置制造方法及图纸

本公开提供了一种半导体结构的监控方法及监控装置，涉及半导体技术领域。该监控方法包括：获取半导体结构上预定数量的第一量测点位，确定第一量测方案；利用第一监控机制对第一量测方案中获得的第一数据信息进行监控；基于第一量测点位，确定数量小于第一量测点位数量的第二量测点位；基于第二量测点位的数量，确定第二量测方案；依据第二量测方案，形成对第二量测方案中获得的第二数据信息进行监控的第二监控机制；判断第一数据信息与第二数据信息之间的相关性是否满足预设条件；若满足预设条件，将第一监控机制替换为第二监控机制。本公开通过定义不同数量的量测点位的监控机制，满足产品不同阶段的不同监控需求，提高了量测机台的产能。量测机台的产能。量测机台的产能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的监控方法、监控装置


[0001]本公开涉及半导体
，涉及但不限于一种半导体结构的监控方法、监控装置。

技术介绍

[0002]在半导体结构的生产周期过程中，需要对半导体结构的部分结构或者部分参数的点位进行量测，并基于量测点位制定统计过程控制(Statistical Process Control，SPC)的监控方案，从而有助于操作者实时监控半导体结构制程中的相关参数信息，提高半导体结构制程的稳定性和半导体结构的产品良率。
[0003]被选择的量测点位的数量与量测机台的产能息息相关，并且量测点位一经确认往往不会再进行产品层面的更改。而半导体结构产品批量生产时，需要依据量测点位在半导体结构(比如晶圆)上的分布，选择预定数量的量测点位制定多个统计过程控制(SPC)的监控方案，如果监控方案制定不佳，影响量测效率。

技术实现思路

[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开提供一种半导体结构的监控方法、监控装置及计算机可读存储介质。
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的监控方法，其特征在于，包括：获取所述半导体结构上预定数量的第一量测点位，确定对所述半导体结构的第一量测方案；利用第一监控机制对所述第一量测方案中获得的第一数据信息进行监控；基于预定数量的所述第一量测点位，确定第二量测点位的数量，其中，所述第二量测点位的数量小于所述第一量测点位的数量；基于所述第二量测点位的数量，确定第二量测方案；依据所述第二量测方案，形成第二监控机制，所述第二监控机制用于对所述第二量测方案中获得的第二数据信息进行监控；判断所述第一数据信息与所述第二数据信息之间的相关性是否满足预设条件；若满足所述预设条件，将所述第一监控机制替换为所述第二监控机制。2.根据权利要求1所述的半导体结构的监控方法，其特征在于，所述获取所述半导体结构上预定数量的第一量测点位，确定对所述半导体结构的第一量测方案，包括：获取预定数量的所述第一量测点位的量测数据，其中，所述量测数据包括至少一种参数信息；根据预设规则，从所述量测数据中选取预设种类的参数信息；基于所述预设种类的参数信息，以及与所述预设种类的参数信息对应的所述第一量测点位的数量，确定所述半导体结构的第一量测方案。3.根据权利要求2所述的半导体结构的监控方法，其特征在于，所述根据预设规则，从所述量测数据中选取预设种类的参数信息，包括：根据所述半导体结构的产品设计图，或者，所述第一量测点位在所述半导体结构上的分布信息，或者，所述第一量测点位对于所述半导体结构的制程监控能力的影响参数，确定所述预设种类的参数信息对应的所述第一量测点位的数量。4.根据权利要求3所述的半导体结构的监控方法，其特征在于，所述基于所述预设种类的参数信息，以及与所述预设种类的参数信息对应的所述第一量测点位的数量，确定所述半导体结构的第一量测方案，包括：基于与所述预设种类的参数信息对应的所述第一量测点位的数量，确定该数量的第一量测点位的第一分布位置信息；根据所述第一分布位置信息，确定所述第一量测图；将所述第一量测图作为所述第一量测方案。5.根据权利要求4所述的半导体结构的监控方法，其特征在于，所述参数信息包括厚度参数；所述基于与所述预设种类的参数信息对应的所述第一量测点位的数量，确定该数量的第一量测点位的第一分布位置信息，包括：依据所述半导体结构上各所述第一量测点位的厚度参数，确定所述第一分布位置信息；所述根据第一分布位置信息，确定所述第一量测图，包括：依据所述半导体结构上各所述第一量测点位在预设时间内的厚度平均值的变化趋势，确定所述第一量测图。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的监控方法，其特征在于，所述利用第一监控机制对所述第一量测方案中获得的第一数据信息进行监控，包括：依据所述第一量测图，确定对所述半导体结构的第一统计过程控制图，其中，所述第一统计过程控制图包括所述第一数据信息的第一阈值，所述第一统计过程控制图作为所述第一监控机制，以对所述半导体结构的生产工艺进行监控；当其中任一所述第一数据信息超出所述第一阈值时，所述第一监控机制发出警报信息。7.根据权利要求6所述的半导体结构的监控方法，其特征在于，所述基于预定数量的所述第一量测点位，确定第二量测点位的数量，其中，所述第二量测点位的数量小于所述第一量测点位的数量，包括：从预定数量的所述第一量测点位中选取部分第一量测点位作为第二量测点位；所述基于所述第二量测点位的数量，确定第二量测方案，包括：根据所述第二量测点位的数量，确定所述第二量测点位的第二分布位置信息；根据所述第二分布位置信息，确定第二量测图；将所述第二量测图作为所述第二量测方案。8.根据权利要求7所述的半导体结构的监控方法，其特征在于，所述从预定数量的第一量测点位中选取部分第一量测点位作为第二量测点位，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱贺，吕振兴，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：