用于版图处理的方法、设备和介质技术

根据本公开的示例实施例提供了用于版图处理的方法、设备和介质。在该方法中，获取针对版图的扰动信息，该扰动信息指示分别由版图中的多个采样点对光信号引起的扰动；基于版图中的图形的至少一个顶点在版图上的相应位置和扰动信息，确定分别与至少一个顶点对应的至少一个扰动值；以及基于至少一个扰动值，确定图形的扰动信号，扰动信号用于模拟在基于版图进行光刻的情况下由图形在晶圆上引起的光信号变化。以此方式，可以根据版图的扰动信息来确定图形在晶圆上引起的光信号变化。定图形在晶圆上引起的光信号变化。定图形在晶圆上引起的光信号变化。

【技术实现步骤摘要】
用于版图处理的方法、设备和介质


[0001]本公开的实施例主要涉及集成电路领域，并且更具体地，涉及用于版图处理的方法、设备和介质。

技术介绍

[0002]电路版图（又可以简称为版图）是从设计并模拟优化后的电路所转化成的一系列几何图形，其包含了集成电路尺寸、各层拓扑定义等器件相关的物理信息数据。集成电路制造商根据这些数据来制造掩模。掩模上的版图图案决定着芯片上器件或连接物理层的尺寸。
[0003]随着集成电路制造工艺的技术节点的减小，集成电路中的目标图案之间的距离减小，并且掩模上与目标图案相对应的版图图案的密度增加。由于光波会在掩模的版图图案处发生衍射，导致实际形成的图案与版图图案相比产生失真。为此，已经提出光学邻近效应校正（OPC）来调整掩模的版图图案，以便形成期望的目标图案。OPC通过改变掩模上的图形形状，来改变光刻过程中晶圆表面的光强分布，从而补偿由光学邻近效应导致的图形转移失真。因此，OPC需要确定可能的掩模扰动引起的光信号差异，即扰动信号，进而改变掩膜上的图形形状，改善掩膜质量。

技术实现思路

[0004]在本公开的第一方面中，提供了一种用于版图处理的方法。在该方法中，获取针对版图的扰动信息。该扰动信息指示分别由版图中的多个采样点对光信号引起的扰动。该方法还包括基于版图中的图形的至少一个顶点在版图上的相应位置和扰动信息，确定分别与至少一个顶点对应的至少一个扰动值。该方法还包括基于至少一个扰动值，确定图形的扰动信号，扰动信号用于模拟在基于版图进行光刻的情况下由图形在晶圆上引起的光信号变化。以此方式，可以通过分析扰动图形对光信号变化的影响，来改善版图的质量。
[0005]在本公开的第二方面中，提供了一种电子设备。该电子设备包括处理器、以及与处理器耦合的存储器。该存储器具有存储于其中的指令，指令在被处理器执行时使电子设备执行根据本公开的第一方面的用于版图处理的方法。
[0006]在本公开的第三方面中，提供了一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质上存储有计算机程序。计算机程序在被处理器执行时实现根据本公开的第一方面的用于版图处理的方法。
[0007]根据本公开的实施例，首先获取指示分别由版图中多个采样点引起的光信号变的该版图的扰动信息。对于版图中的图形（例如扰动图形），根据该图形的多个顶点的位置从已获取的版图的扰动信息中匹配得到这多个顶点对应的扰动值。进一步基于这多个顶点对应的扰动值，得到该图形的扰动信号以此方式，通过在版图的优化过程中预先确定版图的扰动信息（多个采样点引起的光信号变化），能够快速确定扰动图形的扰动信号。基于快速确定出的扰动信号，优化版图设计，进而确保经过光刻后在晶圆上形成的图形尽可能地与
期望根据该版图得到的晶圆图形保持一致。
[0008]应当理解，本
技术实现思路
部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键特征或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其他特征将通过以下的描述而变得容易理解。
附图说明
[0009]结合附图并参考以下详细说明，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中，相同或相似的附图标注表示相同或相似的元素，其中：图1示出了本公开的各实施例能够在其中实现的示例环境的示意图；图2示出了根据本公开的一些实施例的用于版图处理的方法的流程图；图3A示出了根据本公开的一些实施例的用于获取版图的扰动信息的示意图；图3B示出了根据本公开的一些实施例的用于获取版图的扰动信息的另一示意图；图4A示出了根据本公开的一些实施例的确定版图中的图形的扰动信号的示意图；图4B示出了根据本公开的一些实施例的确定版图中的图形的扰动信号的另一示意图；图5示出了其中可以实施本公开的一个或多个实施例的电子设备的框图。
具体实施方式
[0010]下面将参照附图更详细地描述本公开的实施例。虽然附图中显示了本公开的某些实施例，然而应当理解的是，本公开可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本公开。应当理解的是，本公开的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本公开的保护范围。
[0011]在本公开的实施例的描述中，术语“包括”及其类似用语应当理解为开放性包含，即“包括但不限于”。术语“基于”应当理解为“至少部分地基于”。术语“一个实施例”或“该实施例”应当理解为“至少一个实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象。下文还可能包括其他明确的和隐含的定义。
[0012]如上文所简要提及的，OPC通过改变掩模上的图形形状，来改变光刻过程中晶圆表面的光强分布，从而补偿由光学邻近效应导致的图形转移失真。在深亚微米的半导体制造中，由于关键图形的临界尺寸已经远远小于光源的波长，由此带来的掩膜图形和晶圆表面实际产生的图形之间的失真更为明显。例如，产生的失真包括线宽的变化，转角的圆化，线长的缩短等。为此，OPC需要确定可能的掩模扰动引起的光信号差异，即扰动信号。本公开实施中的“扰动”是来自掩模上的元素的移动，例如线段的移动。这种掩模上元素的变化，即为掩模扰动。相应地，在晶圆上产生的光信号强度的变化即为扰动信号。在确定出扰动信号后，可进一步确定掩模移动的方向和位移量。进而能够快速可靠地在晶圆上产生良好光刻胶轮廓，从而获得良好的光刻图案。
[0013]为此，本公开的实施例提出了一种用于版图处理的方法。根据本公开的实施例，预先获取版图中多个采样点引起的光信号变化也即该版图的扰动信息。对于版图中的图形（例如扰动图形），根据该图形的多个顶点的位置从预先确定的该版图的扰动信息中匹配得到这多个顶点对应的扰动值基于该多个顶点对应的扰动值，从而能够快速得到该图形的扰
动信号以此方式，通过在版图的优化过程中预先确定多个采样点对应的扰动值，能够快速确定扰动图形的扰动信号。基于该图形的扰动信号，能够优化版图设计，进而确保经过光刻后在晶圆上形成的图形尽可能地与期望根据该版图得到的晶圆图形保持一致。
[0014]以下将参考附图来详细描述该方案的各种示例实现。
[0015]首先参见图1，其示出了本公开的各实施例能够在其中实现的示例环境100的示意图。示例环境100总体上可以包括电子设备110。在一些实施例中，电子设备110可以是诸如个人计算机、工作站、服务器等具有计算功能的设备。本公开的范围在此方面不受限制。
[0016]电子设备110获取待处理的版图120（也称为“掩模版图”）作为输入。待处理的版图120中包括图形121。图形121可以是扰动图形，也可以是版图120中的其他的任意图形。版图120中还可以包括除图形121外的目标图形（未示出）。在本文中，目标图形指的是期望经过光刻后能够在晶圆上得到与其对应的图形。电子设备110可以针对图形121进行模拟计算以确定得到图形121的扰动信号130。
[0017]在一些实施例中，电子设备110还可以与客户端（图中未示出）进行交互。例如，电子设备110可以接收来自客户端的输入消息，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种版图处理方法，其特征在于，包括：获取针对版图的扰动信息，所述扰动信息指示分别由所述版图中的多个采样点对光信号引起的扰动；基于所述版图中的图形的至少一个顶点在所述版图上的相应位置和所述扰动信息，确定分别与所述至少一个顶点对应的至少一个扰动值；以及基于所述至少一个扰动值，确定所述图形的扰动信号，所述扰动信号用于模拟在基于所述版图进行光刻的情况下由所述图形在晶圆上引起的光信号变化。2.根据权利要求1所述的版图处理方法，其特征在于，获取针对版图的扰动信息包括：针对所述多个采样点中的每个采样点，基于该采样点、预定方向和所述版图的边界，确定所述版图中的子区域；基于所述子区域，确定与该采样点对应的参考扰动值，所述参考扰动值用于模拟由所述子区域在晶圆上产生的光信号；以及基于多个参考扰动值，生成所述扰动信息。3.根据权利要求2所述的版图处理方法，其特征在于，基于所述子区域，确定与该采样点对应的参考扰动值包括：确定用于模拟光刻过程的卷积核，所述卷积核是与所述光刻过程相关联的光学特性的量化表示；以及将所述子区域与所述卷积核的卷积值确定为所述参考扰动值。4.根据权利要求2所述的版图处理方法，其特征在于，所述预定方向包括以下至少一项：与所述版图的预定边界呈45度的方向，或者与所述预定边界呈135度的方向。5.根据权利要求1所述的版图处理方法，其特征在于，基于所述版图中的图形的至少一个顶点在所述版图上的相应位置和所述扰动信息，确定分别与所述至少一个顶点对应的至少一个扰动值包括：针对所述至少一个顶点中的第一顶点，基于所述第一顶点在所述版图上的相应位置，从所述多个采样点中选择目标采样点；以及基于所述扰动信息所指示的由所述目标采样点引起的扰动，确定与所述第一顶点对应的扰动值。6.根据权利要求1所述的版图处理方法，其特征在于，所述图形的所述扰动信号指示由所述图形在所述版图的测量点处引起的光信号变化，并且基于所述版图中的图形的至少一个顶点在所述版图上的相应位置和所述扰动信息，确定分别与所述至少一个顶点对应的至少一个扰动值包括：针对所述至少一个顶点中的第一顶点，基于所述第一顶点与所述测量点的相对位置，从所述多个采样点中选择目标采样点；以及基于所述扰动信息所指示的由所述目标采样点引起的扰动，确定与所述第一顶点对应的扰动值。7.根据权利要求6所述的版图处理方法，其特征在于，针对所述多个采样点中的每个采样点，所述扰动信息指示分别与所述版图中的多个预定方向对应的参考扰动值，并且
基于所述扰动信息所指示的所述目标采样点的扰动，确定与所述第一顶点对应的扰动值包括：确定所述第一顶点与所述至少一个顶点中的相邻顶点之间的相对方向；从所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：全芯智造技术有限公司，
类型：发明
国别省市：