一种芯片倒膜方法技术

本发明专利技术提供一种芯片倒膜方法，通过将芯片由初始蓝膜上倒膜至UV膜上，并将带有芯片的UV膜进行扩晶处理，以减小芯片的点接触面积粘力影响；将扩晶后的UV膜进行解胶处理，以使芯片更容易从UV膜上抓取；将解胶处理后的UV膜上的芯片重排至目标蓝膜上，以完成芯片的倒膜，有效解决芯片倒膜失败的问题，从而提高了生产良率和效率。率和效率。率和效率。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片倒膜方法


[0001]本专利技术涉及LED
，特别涉及一种芯片倒膜方法。

技术介绍

[0002]随着电子产品不断升级换代，智能手机、6G、AI技术等新兴市场对芯片封装技术提出了更高要求，使得封装技术朝着高度集成、三维、超细节距互连等方向发展。而晶圆级封装技术可以减小芯片尺寸、布线长度、焊球间距等，因此可以提高集成电路的集成度、处理器的速度等，降低功耗，提高可靠性，顺应了电子产品日益轻薄短小、低成本的发展要需求。
[0003]如今，随着晶圆级植球技术的不断改进，倒装芯片结构越来越复杂，对芯片端下游的封装技术提出了越来越高要求。针对芯片端的芯片出货方式来说，由于Bump芯片的焊盘面(凸焊点)朝上，造成封装端固晶前需要再次倒膜，将Bump芯片的焊盘面(凸焊点)朝下，通常会使用蓝膜进行翻膜，但可能存在倒膜的蓝膜粘度不够的情况，进而导致芯片倒膜失败，影响生产良率和效率。

技术实现思路

[0004]基于此，本专利技术的目的是提供一种芯片倒膜方法，旨在解决现有技术中，通过使用蓝膜进行翻膜时，由于可能存在倒膜的蓝膜粘度不够本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片倒膜方法，应用于Bump芯片中，其特征在于，所述方法包括：将芯片由初始蓝膜上倒膜至UV膜上，并将带有所述芯片的UV膜进行扩晶处理；将扩晶后的UV膜进行解胶处理，以使芯片更容易从UV膜上抓取；将解胶处理后的UV膜上的芯片重排至目标蓝膜上，以完成芯片的倒膜。2.根据权利要求1所述的芯片倒膜方法，其特征在于，所述将芯片由初始蓝膜上倒膜至UV膜上的步骤包括：将带有芯片的初始蓝膜平铺于平整的板面上，其中，芯片面朝上；将UV膜覆盖在初始蓝膜上，并将UV膜和初始蓝膜之间多余的气泡和褶皱刮除，以使UV膜和初始蓝膜贴合，其中，芯片位于UV膜和初始蓝膜之间；将UV膜和初始蓝膜翻转，使UV膜平铺于平整的板面上，并将初始蓝膜撕去，以完成芯片由初始蓝膜上倒膜至UV膜上。3.根据权利要求2所述的芯片倒膜方法，其特征在于，所述将带有所述芯片的UV膜进行扩晶处理的步骤中，通过扩晶设备将带有所述芯片的UV膜进行扩晶处理，其中，扩晶机的工作气压为5kg/cm2～7kg/cm2，上气缸的行程为145mm～155mm，下气缸行程为95mm～105mm，扩晶倍率为1.1倍～1.3倍。4.根据权利要求3所述的芯片倒膜方法，其特征在于，所述将扩晶后的UV膜进行解胶处理的步骤中，将扩晶后的UV膜放入解胶机中进行解胶处理，其中，解胶机的UV能量设置为95％～100％，解UV时间为10s～15s。5.根据权利要求4所述的芯片倒膜方法，其特征在于，所述目标蓝膜的粘度介于初始蓝膜的粘度与UV膜的粘度之间。6.根据权利要求5所述的芯片倒膜方法，其特征在于，所述将解胶处理后的UV膜上的芯片重排至目标蓝膜上的步骤中，重排至目标蓝膜上的芯片与目标蓝膜的位置关系应满足：H
‑
h＜1/3*H，h≤10μm其中，H表示为芯片凸焊点与目标蓝膜贴合时，芯片凸焊点的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨起，秦友林，张星星，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：