【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管外延片的制备方法
[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种发光二极管外延片的制备方法。
技术介绍
[0002]目前，Si衬底已经成为III族氮化物外延生长主要选用的衬底之一。Si衬底大尺寸、低成本、制备工艺成熟的优势使得基于Si衬底生长的III族氮化物材料具有优良的应用前景，可广泛应用于功率电子、射频电子、发光器件等应用场景。然而氮化镓(GaN)材料与Si衬底之间存在巨大的晶格失配和热失配，晶格失配使得III族氮化物外延层中存在大量穿透位错，这些高密度位错会在材料中表现为漏电通道、非辐射复合中心、载流子陷阱，也会影响外延结构的组分均匀性，最终对电子器件和光电子器件都会产生许多不利影响。热失配使得III族氮化物外延层在降温中表面很容易产生裂纹，无法进行器件制备工艺。
[0003]3C
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SiC缓冲层具有带隙宽、临界击穿电场高、热导率高、饱和电子漂移速度大等优点，可以用来制备高温、高频、高功率半导体器件。在Si衬底上异质外延生长3C
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SiC缓冲层，既可以降...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S100提供一Si衬底；S201在H2生长气氛下，通入N源、Si源和C源，在所述Si衬底上生长第一缓冲层；S202在H2生长气氛下，通入N源、Si源和C源，在所述第一缓冲层上生长第二缓冲层；S203在H2生长气氛下，通入Si源和C源，在第二缓冲层上生长3C
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SiC层。其中，所述第二缓冲层的N源通入量＞第一缓冲层的N源通入量；所述第二缓冲层的Si源通入量＞第一缓冲层的Si源通入量；S300在所述3C
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SiC层上生长非掺杂GaN层；S400在所述非掺杂GaN层上生长n型GaN层；S500在所述n型GaN层上生长多量子阱层；S600在所述多量子阱层上生长电子阻挡层；S700在所述电子阻挡层上生长p型GaN层。2.如权利要求1所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，还包括：S200在H2生长气氛下，通入Al源和N源，在所述Si衬底上生长AlN层。3.如权利要求1所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述第一缓冲层采用CVD生长，生长温度为700
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900℃，生长压力为10
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100torr，Si源、C源和N源的分压比为1:(5
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8):(10
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15)。4.如权利要求2所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述AlN层采用CVD生长，生长温度为1000
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1400℃，生长压力为100
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500torr。5.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑文杰，程龙，高虹，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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