一种MOSFET芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOSFET芯片封装结构，包括固定在基岛上的MOSFET芯片本体，在基岛的一侧设置栅极引脚，栅极引脚与MOSFET芯片本体上的芯片栅极区域之间通过栅极键合线连接，其中，栅极键合线一端与芯片栅极区域之间的一次键合连接位置处形成键合部一，另一端与栅极引脚之间的至少两次键合连接位置处形成多个键合部。单颗MOSFET芯片本体封装过程中，即使栅极键合线与栅极引脚之间有一个键合部发生断路，也不影响整体正常的运行，以确保栅极键合线与栅极引脚之间键合稳定性，避免发生断路的情况，保证了产品封装性能。保证了产品封装性能。保证了产品封装性能。

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET芯片封装结构


[0001]本技术涉及芯片封装
，具体涉及一种MOSFET芯片封装结构。

技术介绍

[0002]目前，对于MOSFET芯片的封装，其包含有多种封装形式，pdfn50*60，pdfn3.3*3.3；TO系列以及TOLL系列等。MOSFET芯片下部基本为漏极区域，上面包括源极区域和栅极区域。
[0003]但是，无论哪种封装形式，基本都是将MOSFET芯片用粘结物料(导电胶或锡膏)固定在基岛上，使得MOSFET芯片的漏极与基岛连接；然后利用键合机进行键合操作，通过键合线将MOSFET芯片的源极区域与源极引脚连接，将MOSFET芯片的栅极区域与栅极引脚连接，再经过塑封，电镀和切单工序，形成单颗封装结构。
[0004]在MOSFET芯片的运行过程中，如图1所示，现有技术中的MOSFET芯片封装结构，通过栅极键合线4连接芯片栅极区域3和栅极引脚6，栅极键合线4一般只起到开关作用(不必受到过大电流或电压的冲击)，所以在键合时容易受到忽视，一般栅极键合线4采用单线，并只在栅极键合线4的两端分别键合一次；但在M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET芯片封装结构，其特征在于，包括：MOSFET芯片本体(1)，固定在基岛(2)上；栅极引脚(6)，设置在所述基岛(2)的一侧，且所述栅极引脚(6)与所述MOSFET芯片本体(1)上的芯片栅极区域(3)之间通过栅极键合线(4)连接；其中，所述栅极键合线(4)一端与所述芯片栅极区域(3)之间的一次键合连接位置处形成键合部一(5)，另一端与所述栅极引脚(6)之间的至少两次键合连接位置处形成多个键合部。2.根据权利要求1所述的一种MOSFET芯片封装结构，其特征在于，所述栅极键合线(4)与所述栅极引脚(6)之间的键合连接位置处形成键合部二(7)和键合部三(8)，所述键合部二(7)和所述键合部三(8)之间通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：李联勋，
申请(专利权)人：安徽积芯微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：