一种芳香胺化合物及包含其的有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术公开一种芳香胺化合物及包含其的有机电致发光器件，该芳香胺化合物具有如式Ⅰ所示的结构通式。该芳香胺化合物分子结构中含有的1,3,3

【技术实现步骤摘要】
一种芳香胺化合物及包含其的有机电致发光器件


[0001]本专利技术涉及有机发光半导体
，具体涉及一种芳香胺化合物及包含其的有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]随着显示技术和材料科学的发展，有机发光半导体取得了显著的进步，其根据电致发光及光电转化原理所制备的电子器件应用也越来越广泛。有机光电材料在合成上所具有多样性、低成本和优良的光电性能使其所制备的显示面板或照明设备具有广视角、响应快、质量轻、厚度薄、低电压、低耗电、高对比度、可挠曲性等优势。
[0003]有机发光元件的通常由阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层/发光辅助层、空穴注入层、阳极构成，当给予两极一定电压时，由阳极向有机层注入空穴，由阴极向有机层注入电子，空穴和电子由阴阳两极两侧向中间的发光层迁移，并相遇形成激子，该激子具有受激发能态的局限化电子
‑
空穴对，该激子通过发光机制松弛而发光。可以看出阴阳两极之间的若干有机层承担着不同的功能，因此在光电性能上具有差异，有机材料性质差异取决于结构差异，因此可以通过合理的结构片段达到材料光电性能需求。
[0004]在有机发光材料中，发光层确定光色，其他有机层对器件性能也有显著影响，使用合适的有机材料与发光层搭配作为空穴及电子辅助层，通过对有机材料设计调整材料的能阶，进而使载子传输得到优化，使空穴或电子有效的传输至发光层，发光层中的空穴或电子的密度更加均衡，提高器件的性能。对于空穴传输层以及发光辅助层材料，当前技术仍面临着许多问题，如热稳定性差导致的升华温度低，有机层之间能级差不适宜导致的空穴传输速率慢、化合物难以溶解或过易溶解等，最终影响生产成本、驱动电压、发光效率和寿命。
[0005]因此，亟需开发一种可以改善有机电致发光器件性能的空穴传输/发光辅助层材料。

技术实现思路

[0006]基于以上事实，本专利技术的目的在于提供一种芳香胺化合物及包含其的有机电致发光器件。该芳香胺化合物的分子结构中含有的1,3,3
‑
三甲基双环[2,2,1]庚基使得该芳香胺化合物具有较为适中的溶解性和适宜的HOMO能级，将该芳香胺化合物用于有机电致发光器件的空穴传输区和/或发光层时，得到的有机电致发光器件具有低的驱动电压、高的外量子效率，长的使用寿命。
[0007]为达到上述目的，本专利技术采用下述技术方案：
[0008]一方面，本专利技术提供一种芳香胺化合物，具有如式Ⅰ所示的结构通式：
[0009][0010]其中，L1、L2、L3各自独立地表示单键、碳原子数为C1～C
10
的亚烷基、碳原子数为C6～C
60
取代或未取代的亚芳基；n表示1或2；
[0011]Ar1、Ar2各自独立地表示苯基、碳原子数为C6～C
60
的芳基、碳原子数为C6～C
60
的杂芳基、碳原子数为C6～C
60
的稠环芳基、R取代的碳原子数为C6～C
60
的稠环芳基、碳原子数为C5～C
60
的杂稠环芳基、R取代的碳原子数为C5～C
60
的杂稠环芳基、碳原子数为C3～C
30
的环烷基或R取代的碳原子数为C3～C
30
的环烷基中的一种，所述环烷基中任意一个或多个不相连的
‑
CH2‑
任选被
‑
RC＝CR
‑
、
‑
C≡C
‑
、
‑
Si(R)2‑
、
‑
Ge(R)2‑
、
‑
Sn(R)2‑
、
‑
C＝O
‑
、
‑
C＝S
‑
、
‑
C＝Se
‑
、
‑
C＝NR
‑
、
‑
P(＝O)(R)
‑
、
‑
SO
‑
、
‑
SO2‑
、
‑
NR
‑
、
‑
O
‑
、S
‑
或
‑
CONR
‑
取代；R表示氢、氘、碳原子数为C1～C
10
的烷基、碳原子数为C6～C
60
的稠环芳基，其中两个或两个以上的取代基R形成单环或多环的酯基或芳烷基。
[0012]进一步地，所述L1、L2、L3各自独立地表示单键、各自独立地表示单键、中的一种，且前述基团的环上任意一个或多个不相邻的C可以被N取代，任意一个H可以被F、D、烷基或环烷基取代。
[0013]可以理解，上述例举的L1、L2、L3表示的基团中，当L1、L2、L3各自选自各自选自时，表示这些基团中，苯环上的任意两个位置均可作为连接位点。
[0014]进一步地，所述Ar1、Ar2各自独立地表示
中的一种，且前述基团的环上任意一个或多个不相邻的C可以被N取代，任意一个H可以各自独立地被F、D、烷基、环烷基或苯基取代。
[0015]进一步地，所述环烷基为环丁基、环戊基、环己基或金刚烷。
[0016]进一步地，所述烷基为碳原子数为C1～C
10
直链烷基或碳原子数为C1～C
10
支链烷基。
[0017]进一步地，所述式Ⅰ所示化合物选自下述所示化合物中的任意一种：
[0018][0019][0020][0021][0022][0023][0024][0025][0026][0027][0028][0029][0030][0031][0032][0033][0034][0035][0036][0037][0038][0039]又一方面，本专利技术提供一种有机电致发光器件，包括依次设置的阳极、空穴传输区、发光层、电子传输区、阴极；其中，所述空穴传输区和所述发光层中的至少一层材料包括一种或多种如权利要求1
‑
6任一项所述的芳香胺化合物。
[0040]进一步地，所述空穴传输区包括空穴注入层和空穴传输/发光辅助层；所述电子传输区包括电子传输层和电子注入层。
[0041]本专利技术的有益效果如下：
[0042]本专利技术提供的芳香胺化合物是一种有机发光功能材料，该芳香胺化合物的结构中引入了1,3,3
‑
三甲基双环[2,2,1]庚基，包含该基团的芳香胺化合物适用于各光色；其结构中的1,3,3
‑
三甲基双环[2,2,1]庚基具有多个烷基取代基，分子结构具有非对称性，进而使得该芳香胺化合物具有较为适中的溶解性，有利于化合物的提纯及生产成本的降低，并且1,3,3
‑
三甲基双环[2,2,1]庚基使得该芳香胺化合物具有适宜的HOMO能级，有利于提高空穴的传输效率；并调整1,3,3
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芳香胺化合物，其特征在于，具有如式Ⅰ所示的结构通式：其中，L1、L2、L3各自独立地表示单键、碳原子数为C1～C
10
的亚烷基、碳原子数为C6～C
60
取代或未取代的亚芳基；n表示1或2；Ar1、Ar2各自独立地表示苯基、碳原子数为C6～C
60
的芳基、碳原子数为C6～C
60
的杂芳基、碳原子数为C6～C
60
的稠环芳基、R取代的碳原子数为C6～C
60
的稠环芳基、碳原子数为C5～C
60
的杂稠环芳基、R取代的碳原子数为C5～C
60
的杂稠环芳基、碳原子数为C3～C
30
的环烷基或R取代的碳原子数为C3～C
30
的环烷基中的一种，所述环烷基中任意一个或多个不相连的
‑
CH2‑
任选被
‑
RC＝CR
‑
、
‑
C≡C
‑
、
‑
Si(R)2‑
、
‑
Ge(R)2‑
、
‑
Sn(R)2‑
、
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C＝O
‑
、
‑
C＝S
‑
、
‑
C＝Se
‑
、
‑
C＝NR
‑
、
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P(＝O)(R)
‑
、
‑
SO
‑
、
‑
SO2‑
、
‑
NR

【专利技术属性】
技术研发人员：刘嵩远，谢再锋，邵哲，梁丰，李冉，邢玉彬，魏天宇，
申请(专利权)人：石家庄诚志永华显示材料有限公司，
类型：发明
国别省市：