本申请提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括硅衬底及其表面上的第一介质层；硅衬底中设有衬底穿孔；第一介质层中设有第一穿孔；第一穿孔和衬底穿孔导通，第一穿孔朝向硅衬底一端的直径和衬底穿孔朝向第一穿孔一端的直径相差在20％以内；衬底穿孔的内壁上设有绝缘层以及位于其中的衬底导体，绝缘层位于衬底导体与衬底穿孔的内壁之间；第一穿孔的内壁上有第一金属阻挡层，第一穿孔中有第一导体，第一金属阻挡层位于第一导体和第一穿孔的内壁之间且与第一穿孔的内壁直接接触。本申请中的半导体器件可避免蚀刻深度过深而造成第一穿孔的损伤，第一介质层中没有设置绝缘层，可避免水汽影响，还具有较好的通流能力。还具有较好的通流能力。还具有较好的通流能力。还具有较好的通流能力。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑辉，高山，刘长泽，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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