芯片引脚注入波形标定方法及装置制造方法及图纸

本申请提供一种芯片引脚注入波形标定方法及装置，属于芯片电磁兼容测试领域。所述方法包括：获取被测芯片引脚的信号衰减曲线；以相同的采样频率测量获取第一波形；根据所述信号衰减曲线和第一波形进行傅里叶变换和反变换计算芯片引脚的注入波形。通过获取的信号衰减曲线和具有相同频率的第一波形计算得到芯片引脚的注入波形，实现芯片引脚注入波形的标定，从而实现对芯片引脚干扰能量的精确注入，从而进一步用于不同特征的干扰波形对芯片引脚的失效研究中，获取芯片敏感的干扰波形。获取芯片敏感的干扰波形。获取芯片敏感的干扰波形。

【技术实现步骤摘要】
芯片引脚注入波形标定方法及装置


[0001]本申请涉及芯片电磁兼容测试领域，具体地涉及一种芯片引脚注入波形标定方法以及一种芯片引脚注入波形标定装置。

技术介绍

[0002]电力芯片工作在变电站、换流站和配网线路等电力场景的二次设备中，而在此电力场景下，随着隔离开关、断路器等开关操作，其会在周围空间以及与之直接相连的线路上产生瞬态电磁干扰，干扰二次设备及内部芯片的正常工作，甚至会造成设备及芯片的失效。近些年来，随着变电站一、二次设备融合，二次设备及芯片越来越靠近干扰源，其所面临的电磁干扰也越来越严重，因此有必要在芯片应用之前开展电磁抗扰度实验，提高芯片的抗瞬态电磁干扰能力。注入装置用于模拟实际干扰源耦合到设备内部芯片的传导路径，实现对电磁干扰信号的耦合与注入，为芯片的电磁抗扰度测试提供必要的耦合路径与测试方法。
[0003]已有的标准IEC 62215
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3（集成电路 脉冲抗扰度测量 第3部分：非同步瞬态注入法）、IEC 62132
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2（集成电路.电磁抗扰度测量 第2部分：辐射抗干扰的测定.横电磁波传输室和宽带横电磁波传输室方法）和IEC 62132
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8（集成电路.电磁抗扰度的测量 第8部分：辐射抗扰度测量.集成电路(IC)电介质条状线法）也规定了芯片级的传导和辐射的电磁抗扰度实验方法，但是其仅对实验和注入方法进行简单的建议，并未对实验等级和注入能量等信息进行规定。对于干扰注入的方法，在传导测试IEC 62215
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3标准中并未对此进行规定，而只是建议了注入装置所具备的功能，并且也未考虑芯片实际注入的能量、测试限值等信息。在辐射测试IEC 62132
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2和IEC 62132
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8标准中，规定被测芯片放置在标准的辐射源中进行测试，但是其未考虑实际辐射干扰信号在芯片的耦合问题。
[0004]干扰源提供的干扰在注入被测芯片引脚前会与注入装置、被测芯片安装的印制电路板等进行耦合，与干扰源实际提供的干扰存在差异，因此为了实现芯片引脚干扰能量的精确注入，需要对注入波形进行标定。

技术实现思路

[0005]本申请实施方式的目的是提供一种芯片引脚注入波形标定方法及装置，该方法能够实现芯片引脚注入波形的标定，从而实现对芯片引脚干扰能量的精确注入，从而进一步用于不同特征的干扰波形对芯片引脚的失效研究中，获取芯片敏感的干扰波形。
[0006]为了实现上述目的，本申请第一方面提供一种芯片引脚注入波形标定方法，所述芯片引脚注入波形标定方法包括：获取被测芯片引脚的信号衰减曲线；以相同的采样频率测量获取第一波形；根据所述信号衰减曲线和第一波形进行傅里叶变换和反变换计算芯片引脚的注入波形。通过获取的信号衰减曲线和具有相同频率的第一波形计算得到芯片引脚的注入波
形，实现芯片引脚注入波形的标定。
[0007]在本申请实施例中，获取被测芯片引脚的信号衰减曲线，包括：采用屏蔽线缆连接矢量网络分析仪和印制电路板的端口；将印制电路板的端口连接至被测芯片的对应引脚；通过矢量网络分析仪以第一采样频率获取被测芯片引脚的信号衰减曲线。
[0008]通过上述技术手段，能够通过矢量网络分析仪直接获取到被测芯片引脚的准确信号衰减曲线。
[0009]在本申请实施例中，以相同的采样频率测量获取第一波形，包括：采用屏蔽线缆依次连接干扰注入装置、衰减器以及负载为50欧姆的示波器；通过示波器以第一采样频率测量获取第一波形。
[0010]通过上述技术手段，利用衰减器将干扰注入装置产生的干扰衰减后被示波器采集，保障示波器正常工作，同时采集到第一波形用于计算芯片引脚的注入波形。
[0011]在本申请实施例中，采用外接干扰源装置作为干扰注入装置，将外接干扰源装置依次通过屏蔽线缆连接衰减器以及负载为50欧姆的示波器；通过示波器以第一采样频率测量注入传导干扰的第一波形。
[0012]通上述技术手段，外接干扰源装置产生的干扰可以模拟从其他电路传导到芯片引脚的干扰，可以实现基于传导干扰的芯片引脚的注入波形计算。
[0013]在本申请实施例中，采用天线作为干扰注入装置，将天线依次通过屏蔽线缆连接衰减器以及负载为50欧姆的示波器；通过示波器以第一采样频率测量注入辐射干扰的第一波形。
[0014]通过上述技术手段，天线耦合辐射形式的电磁干扰信号，可以模拟辐射场的电磁干扰，可以实现基于辐射干扰的芯片引脚的注入波形计算。
[0015]在本申请实施例中，根据所述信号衰减曲线和第一波形进行傅里叶变换和反变换计算芯片引脚的注入波形，包括：将第一波形进行离散傅里叶变换，得到注入波形的全频段的波形特征；计算注入波形的全频段的波形特征与信号衰减曲线的差值；对所述差值进行离散傅里叶反变换，得到芯片引脚注入波形。
[0016]通过上述技术手段计算得到芯片引脚注入波形。
[0017]本申请第二方面提供一种芯片引脚注入波形标定装置，包括：矢量网络分析仪、被测芯片、印制电路板、衰减器、示波器、干扰注入装置以及多条屏蔽线缆；所述被测芯片安装在印制电路板上，被测芯片的被测引脚与印制电路板上的端口连接，所述印制电路板上的端口通过屏蔽线缆与矢量网络分析仪连接，用于获取被测芯片引脚的信号衰减曲线；所述干扰注入装置通过屏蔽线缆依次与衰减器以及示波器连接，用于以相同的采样频率测量获取第一波形。
[0018]通过上述技术手段，提供了测量得到被测芯片引脚的信号衰减曲线和第一波形的装置，为计算芯片引脚的注入波形提供数据基础。
[0019]在本申请实施例中，所述干扰注入装置采用外接干扰源装置，所述外接干扰源装置产生干扰注入屏蔽线缆。
[0020]通上述技术手段，外接干扰源装置产生的干扰可以模拟从其他电路传导到芯片引脚的干扰，可以为基于传导干扰的芯片引脚的注入波形计算提供数据基础。
[0021]在本申请实施例中，所述干扰注入装置采用天线，所述天线耦合辐射形式的电磁干扰信号，形成干扰注入屏蔽线缆。
[0022]通过上述技术手段，天线耦合辐射形式的电磁干扰信号，可以模拟辐射场的电磁干扰，可以为基于辐射干扰的芯片引脚的注入波形计算提供数据基础。
[0023]在本申请实施例中，所述天线的带宽下限截止频率为零，带宽上限截止频率大于辐射形式的电磁干扰信号的带宽，平坦度小于3dB，特征阻抗为50Ω；所述衰减器的带宽能够覆盖干扰注入装置的带宽，且衰减曲线平坦度小于0.2db。
[0024]通过上述技术方案，实现芯片引脚注入波形的标定，从而实现对芯片引脚干扰能量的精确注入，从而进一步用于不同特征的干扰波形对芯片引脚的失效研究中，获取芯片敏感的干扰波形。
[0025]对于辐射干扰的注入，模拟了实际芯片辐射干扰的耦合路径与传输路径，解决了现有标准中，由于芯片引脚尺寸短小而导致辐射场难以耦合至芯片的问题。
[0026]本申请实施方式的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片引脚注入波形标定方法，其特征在于，所述芯片引脚注入波形标定方法包括：获取被测芯片引脚的信号衰减曲线；以相同的采样频率测量获取第一波形；根据所述信号衰减曲线和第一波形进行傅里叶变换和反变换计算芯片引脚的注入波形。2.根据权利要求1所述的芯片引脚注入波形标定方法，其特征在于，获取被测芯片引脚的信号衰减曲线，包括：采用屏蔽线缆连接矢量网络分析仪和印制电路板的端口；将印制电路板的端口连接至被测芯片的对应引脚；通过矢量网络分析仪以第一采样频率获取被测芯片引脚的信号衰减曲线。3.根据权利要求1所述的芯片引脚注入波形标定方法，其特征在于，以相同的采样频率测量获取第一波形，包括：采用屏蔽线缆依次连接干扰注入装置、衰减器以及负载为50欧姆的示波器；通过示波器以第一采样频率测量获取第一波形。4.根据权利要求3所述的芯片引脚注入波形标定方法，其特征在于，采用外接干扰源装置作为干扰注入装置，将外接干扰源装置依次通过屏蔽线缆连接衰减器以及负载为50欧姆的示波器；通过示波器以第一采样频率测量注入传导干扰的第一波形。5.根据权利要求3所述的芯片引脚注入波形标定方法，其特征在于，采用天线作为干扰注入装置，将天线依次通过屏蔽线缆连接衰减器以及负载为50欧姆的示波器；通过示波器以第一采样频率测量注入辐射干扰的第一波形。6.根据权利要求1所述的芯片引脚注入波形标定方法，其特征在于，根据所述信号衰减曲线和...

【专利技术属性】
技术研发人员：高杰，黄保成，翟振，成睿琦，杨小娟，仝傲宇，倪芳，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：