【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体地涉及一种双载流子ldmos器件及制造方法。
技术介绍
1、ldmos（lateral double-diffusion metal oxide semiconductor，横向双扩散金属氧化物半导体）是一种典型的功率mos器件。ldmos器件具有高工作频率、高线性度以及低噪声的特点，被广泛应用于高频高功率传输系统中。对于ldmos而言，击穿电压（breakdownvoltage，bv）和比导通电阻（specific on-resistance，ron,sp）是主要的技术指标。提高ldmos击穿电压的常规技术方法有以下两种：增加器件漂移区长度和降低漂移区掺杂浓度。但是该两种方法分别会导致器件的有效导通面积增加和电阻率上升，最终导致器件的比导通电阻增加。因此ldmos的研究主要集中在如何解决高击穿电压和低比导通电阻之间的矛盾。随着电子工业的发展，传统优化ldmos的主流技术已经无法满足日益增长的ldmos的性能需求。提出新型的ldmos结构成为了当前亟需解决的问题。
技术实现思路>
1、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种双载流子LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底、埋氧化层、N型漂移区、栅氧化层、正栅极、P型源区、P型漏区、P型体区、N型源区、N型漏区以及背栅极；
2.根据权利要求1所述的双载流子LDMOS器件，其特征在于，所述P型源区的上部与N型源区相接，所述P型漏区的上部与N型漏区相接。
3.根据权利要求1所述的双载流子LDMOS器件，其特征在于，所述P型体区包括横向区及纵向区，所述P型体区的横向区与P型源区相接，所述P型体区的纵向区与栅氧化层相接。
4.根据权利要求3所述的双载流子LDMOS器件，其特征在于，所述P型体区的横向区与所...
【技术特征摘要】
1.一种双载流子ldmos器件，其特征在于，包括：衬底、埋氧化层、n型漂移区、栅氧化层、正栅极、p型源区、p型漏区、p型体区、n型源区、n型漏区以及背栅极；
2.根据权利要求1所述的双载流子ldmos器件，其特征在于，所述p型源区的上部与n型源区相接，所述p型漏区的上部与n型漏区相接。
3.根据权利要求1所述的双载流子ldmos器件，其特征在于，所述p型体区包括横向区及纵向区，所述p型体区的横向区与p型源区相接，所述p型体区的纵向区与栅氧化层相接。
4.根据权利要求3所述的双载流子ldmos器件，其特征在于，所述p型体区的横向区与所述埋氧化层之间的n型漂移区的厚度为100~300nm。
5.根据权利要求1所述的双载流子ldmos器件，其特征在于，所述衬底为绝缘层上硅衬底，所述绝缘层上硅衬底包括绝缘层、埋氧化层以及顶层...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵东艳，吴波，刘芳，郭乾文，张睿，邓永峰，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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