【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】评估背景泄漏以选择存储器装置中的写入电压
[0001]相关申请案
[0002]本申请案主张2021年2月4日申请的标题为“评估背景泄漏以选择存储器装置中的写入电压(EVALUATION OF BACKGROUND LEAKAGE TO SELECT WRITE VOLTAGE IN MEMORY DEVICES)”的第17/167,618号美国专利申请案的优先权，所述申请案的全部公开内容以引用的方式并入本文中。
[0003]本文公开的至少一些实施例大体上涉及存储器装置，更特定来说(但不限于)评估背景泄漏以选择用于在执行写入操作时施加到存储器单元的写入电压的存储器装置。
技术介绍
[0004]存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、照相机、数字显示器及类似者)中存储信息。信息通过编程存储器装置的不同状态来存储。举例来说，二进制装置具有通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示的两个状态。在其它系统中，可存储两个以上状态。为了存取经存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的经存储状态。为了存储信...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种系统，其包括：存储器阵列，其包含存储器单元；及控制器，其经配置以：通过将第一写入电压或第二写入电压施加到相应存储器单元来对所述存储器单元中的每一者进行编程，其中所述第二写入电压大于所述第一写入电压；将预感测电压施加到所述存储器阵列的第一存储器单元；感测源自施加所述预感测电压的第一电流；确定所述第一电流是否超过第一阈值；将预读取电压施加到所述第一存储器单元；感测源自施加所述预读取电压的第二电流；确定所述第二电流是否低于第二阈值，其中所述第二阈值大于所述第一阈值；以及响应于确定所述第一电流超过所述第一阈值，且确定所述第二电流低于所述第二阈值，通过施加所述第二写入电压来对所述第一存储器单元进行编程。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一存储器单元处于对应于第一阈值电压的第一逻辑状态，对所述第一存储器单元进行编程包括将所述第一存储器单元编程为对应于第二阈值电压的第二逻辑状态，且所述第二阈值电压低于所述第一阈值电压。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述预读取电压是第一预读取电压，且所述控制器进一步经配置以：将预感测电压施加到第二存储器单元；感测源自将所述预感测电压施加到所述第二存储器单元的第三电流；确定所述第三电流是否超过所述第一阈值；将第二预读取电压施加到所述第二存储器单元；感测源自将所述第二预读取电压施加到所述第二存储器单元的第四电流；确定所述第四电流是否低于所述第二阈值；以及响应于确定所述第三电流超过所述第一阈值，且确定所述第四电流不低于所述第二阈值，通过施加所述第一写入电压来对所述第二存储器单元进行编程。4.根据权利要求3所述的系统，其中所述第二存储器单元处于对应于第一阈值电压的第一逻辑状态，对所述第二存储器单元进行编程包括将所述第二存储器单元编程为对应于第二阈值电压的第二逻辑状态，且所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压。5.根据权利要求3所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：将预感测电压施加到第三存储器单元；感测源自将所述预感测电压施加到所述第三存储器单元的第五电流；确定所述第五电流是否超过所述第一阈值；以及响应于确定所述第五电流不超过所述第一阈值，通过施加所述第一写入电压来对所述第三存储器单元进行编程。6.根据权利要求5所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：将第三预读取电压施加到所述第三存储器单元以确定所述第三存储器单元处于第一逻辑状态；其中对所述第三存储器单元进行编程包括将所述第三存储器单元编程为与所述第一
逻辑状态相反的第二逻辑状态。7.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一存储器单元包括硫属化物、所述硫属化物上方的顶部电极及所述硫属化物下方的底部电极。8.根据权利要求1所述的系统，其中所述预感测电压具有与所述第二写入电压相同的极性。9.根据权利要求1所述的系统，其中作为编程操作的部分将所述预感测电压及所述预读取电压施加到所述第一存储器单元，且响应于所述控制器从主机装置接收写入命令而执行所述编程操作。10.根据权利要求1所述的系统，其中施加所述预读取电压来确定所述第一存储器单元的现有逻辑状态，且所述控制器进一步经配置以：将所述第一存储器单元的目标逻辑状态与所述现有逻辑状态进行比较；其中对所述第一存储器单元进行编程是进一步响应于确定所述目标逻辑状态与所述现有逻辑状态不同。11.根据权利要求10所述的系统，其中所述目标逻辑状态对应于从主机装置接收的写入命令。12.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一阈值为25微安，且所述第二写入电压比所述第一写入电压大至少200毫伏。13.根据权利要求1所述的系统，...
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