显示面板的制备方法、显示面板与显示装置制造方法及图纸

技术编号:39260323 阅读:18 留言:0更新日期:2023-10-30 12:12
本申请涉及一种显示面板的制备方法、显示面板与显示装置。其中,显示面板的制备方法,包括:在衬底上沉积形成绝缘层。在绝缘层远离衬底的一侧沉积形成走线层。对位于非显示区的走线层与部分绝缘层进行刻蚀,形成至少两个贴近显示区与非显示区的交界处的区域隔离柱。在走线层远离衬底的一侧沉积形成平坦层,并去除平坦层位于非显示区的部分形成第一中间结构。在第一中间结构远离衬底一侧沉积形成隔断材料层,并涂布光刻胶,再设置第一掩膜版以进行刻蚀工艺。对隔断材料层进行刻蚀,以在第一中间结构位于显示区的部分形成隔断结构。移去第一掩膜版,并设置第二掩膜版以进行刻蚀工艺,去除第一中间结构位于非显示区部分的隔断材料层。层。层。

【技术实现步骤摘要】
显示面板的制备方法、显示面板与显示装置


[0001]本申请涉及显示
,尤其涉及一种显示面板的制备方法、显示面板与显示装置。

技术介绍

[0002]在相关技术中,随着显示技术的发展,显示器的应用范围越来越广。而随着显示器在各种生活场景中的使用,人们对显示器的要求也日渐增加,对显示器的色域、视角、对比度、响应与功耗等性能提出了更高的要求。
[0003]目前,有机自发光二极管(OLED)器件结构主要为单层发光材料(Single EL)器件结构,但是随着目前客户对中大尺寸产品的寿命和功耗的要求越来越高,当前的单层发光材料器件已无法满足寿命长与功耗低的需求。因此,双层发光材料器件的优势逐渐体现出来。双层发光材料器件相当于两层发光材料串联,极大的提升了器件的发光效率,从而起到延长使用寿命和降低功耗的作用。但是双层发光材料器件中的电荷生成层(CGL)有较强的横向导电性。为避免RGB像素间电流的串扰,需在像素间设置隔断结构,来降低像素间的串扰,从而提升产品的显示效果。
[0004]但是,隔断结构的设置容易造成显示面板的非发光区产生封装失效的不良。

技术实现思路

[0005]根据本申请实施例的第一方面,提供一种显示面板的制备方法。其中,所述显示面板包括显示区与非显示区,所述显示区与所述非显示区相邻,且所述显示区至少部分围绕所述非显示区;位于所述显示区的所述显示面板用于执行发光功能;所述制备方法包括:
[0006]提供衬底;
[0007]在所述衬底上沉积形成绝缘层;在所述绝缘层远离所述衬底的一侧沉积形成走线层;并在所述显示面板的厚度方向上对位于所述非显示区的所述走线层与部分所述绝缘层进行刻蚀,形成至少两个区域隔离柱;所述区域隔离柱还贴近所述显示区与所述非显示区的交界处;
[0008]在所述走线层远离所述衬底的一侧沉积形成平坦层,并去除所述平坦层位于所述非显示区的部分形成第一中间结构;
[0009]在所述第一中间结构远离所述衬底一侧沉积形成隔断材料层,并在所述第一中间结构远离所述衬底一侧涂布光刻胶;在涂布所述光刻胶后,设置第一掩膜版;通过所述第一掩膜版进行刻蚀工艺,对所述隔断材料层进行刻蚀,以在所述第一中间结构位于所述显示区的部分形成隔断结构;所述隔断结构用于隔断发光层之间的电流串扰;
[0010]在形成所述隔断结构后,移去所述第一掩膜版,并在所述第一中间结构远离所述衬底的一侧设置第二掩膜版;通过所述第二掩膜版进行刻蚀工艺,去除所述第一中间结构位于所述非显示区部分的隔断材料层。
[0011]根据上述实施例可知,由于通过第二掩膜版进行刻蚀工艺去除了区域隔离柱表面
留存的隔断材料层,从而,可以避免隔断材料层影响到在区域隔离柱表面的刻蚀效果,使刻蚀量符合预设值,进而,可以避免显示面板在区域隔离柱处产生封装失效而导致水汽进入显示面板内的问题。
[0012]并且,通过设置第二掩膜版进行刻蚀工艺,可以避免采用横向刻蚀气体去除区域隔离柱表面留存的隔断材料层,从而,可以在避免损伤隔断结构的同时,去除区域隔离柱表面留存的隔断材料层,进而,可以在避免损伤隔断结构的同时,避免显示面板在区域隔离柱处产生封装失效而导致水汽进入显示面板内的问题。
[0013]在一些实施例中,在所述第一中间结构位于所述显示区的部分形成所述隔断结构,还包括:
[0014]通过所述第一掩膜版对所述第一中间结构位于所述显示区部分的所述隔断材料层进行刻蚀,以在所述第一中间结构位于所述显示区的部分形成所述隔断结构。
[0015]在一些实施例中,去除所述第一中间结构位于所述非显示区的表面上的所述隔断材料层,还包括:
[0016]移去所述第一掩膜版,并在所述第一中间结构远离所述衬底的一侧设置诉搜狐第二掩膜版;通过所述第二掩膜版在所述第一中间结构位于所述非显示区的部分进行刻蚀工艺,去除所述第一中间结构位于所述非显示区的表面上的所述隔断材料层。
[0017]在一些实施例中,在所述第一中间结构位于所述显示区的部分形成所述隔断结构,还包括:
[0018]通过所述第一掩膜版在所述第一中间结构远离所述衬底的表面进行刻蚀工艺;以在所述第一中间结构位于所述显示区的部分形成所述隔断结构,并部分去除所述第一中间结构位于所述非显示区的表面上的所述隔断材料层。
[0019]在一些实施例中,去除所述第一中间结构位于所述非显示区的表面上的所述隔断材料层,还包括:
[0020]移去所述第一掩膜版,并在所述第一中间结构远离所述衬底的一侧设置第二掩膜版;通过所述第二掩膜版在所述第一中间结构位于所述非显示区的部分进行刻蚀工艺,去除所述第一中间结构位于所述非显示区的表面上剩余的所述隔断材料层。
[0021]在一些实施例中,所述走线层包括金属材料;
[0022]在去除所述第一中间结构位于所述非显示区的表面上的所述隔断材料层后,还包括:
[0023]进行湿刻工艺,在所述平坦层远离衬底的一侧形成第一电极,所述第一电极用于与所述显示面板的发光层电连接;并刻蚀所述区域隔离柱的金属部,以使所述区域隔离柱的所述金属部在所述显示面板的厚度方向上形成三层结构;
[0024]所述三层结构包括第一层、第二层与第三层,所述第二层位于所述第一层与所述第三层之间,所述第三层位于所述第二层靠近所述衬底一侧;所述第二层的宽度小于所述第一层与所述第三层的宽度。
[0025]在一些实施例中,在进行湿刻工艺时,所述第二层采用的材料受到侵蚀的速度高于所述第一层与所述第三层采用的材料受到侵蚀的速度。
[0026]在一些实施例中,所述第一层的宽度大于等于0.5微米。
[0027]在一些实施例中,所述第一层与所述第二层的交界处到所述第一层的边缘的最小
距离大于等于0.25微米。
[0028]在一些实施例中,所述显示面板包括发光层;所述发光层包括至少两层发光材料。
[0029]根据本申请实施例的第二方面,提供一种显示面板,采用上述任一种显示面板的制备方法形成。
[0030]根据本申请实施例的第三方面,提供一种显示装置,包括前述的显示面板。
[0031]应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本申请。
附图说明
[0032]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本申请的实施例,并与说明书一起用于解释本申请的原理。
[0033]图1是根据本申请实施例示出的一种显示面板的示意图。
[0034]图2是根据本申请实施例示出的一种显示面板的制备方法的流程图。
[0035]图3是根据本申请实施例示出的一种第一中间结构的结构示意图。
[0036]图4是根据本申请实施例示出的另一种中间结构。
[0037]图5是根据本申请实施例示出的另一种中间结构。
[0038]图6是根据本申请实施例示出的另一种中间结构。
[0039]图7是根据本申请实施例示出的另本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制备方法,其中,所述显示面板包括显示区与非显示区,所述显示区与所述非显示区相邻,且所述显示区至少部分围绕所述非显示区;位于所述显示区的所述显示面板用于执行发光功能;其特征在于,所述制备方法包括:提供衬底;在所述衬底上沉积形成绝缘层;在所述绝缘层远离所述衬底的一侧沉积形成走线层;并在所述显示面板的厚度方向上对位于所述非显示区的所述走线层与部分所述绝缘层进行刻蚀,形成至少两个区域隔离柱;所述区域隔离柱还贴近所述显示区与所述非显示区的交界处;在所述走线层远离所述衬底的一侧沉积形成平坦层,并去除所述平坦层位于所述非显示区的部分形成第一中间结构;在所述第一中间结构远离所述衬底一侧沉积形成隔断材料层,并在所述第一中间结构远离所述衬底一侧涂布光刻胶;在涂布所述光刻胶后,设置第一掩膜版;通过所述第一掩膜版进行刻蚀工艺,对所述隔断材料层进行刻蚀,以在所述第一中间结构位于所述显示区的部分形成隔断结构;所述隔断结构用于隔断发光层之间的电流串扰;在形成所述隔断结构后,移去所述第一掩膜版,并在所述第一中间结构远离所述衬底的一侧设置第二掩膜版;通过所述第二掩膜版进行刻蚀工艺,去除所述第一中间结构位于所述非显示区部分的隔断材料层。2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述第一中间结构位于所述显示区的部分形成所述隔断结构,还包括:通过所述第一掩膜版对所述第一中间结构位于所述显示区部分的所述隔断材料层进行刻蚀,以在所述第一中间结构位于所述显示区的部分形成所述隔断结构。3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,去除所述第一中间结构位于所述非显示区的表面上的所述隔断材料层,还包括:移去所述第一掩膜版,并在所述第一中间结构远离所述衬底的一侧设置诉搜狐第二掩膜版;通过所述第二掩膜版在所述第一中间结构位于所述非显示区的部分进行刻蚀工艺,去除所述第一中间结构位于所述非显示区的表面上的所述隔断材料层。4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述第一中间结构位于所述显示区的部分形成所述隔断结构,还...

【专利技术属性】
技术研发人员:王玉张微董向丹王红丽
申请(专利权)人:成都京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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