【技术实现步骤摘要】
保险丝区块单元、保险丝区块系统，以及存储器装置
[0001]本专利技术关于一种保险丝区块单元，特别是关于一种保险丝区块单元及其存储器装置。
技术介绍
[0002]在传统设计中，保险丝区块单元是分散地设置于整颗芯片中。如此一来，电路和走线必须要避开保险丝区块单元所占据的区域，分散的保险丝区块单元造成芯片面积的浪费，且产品测试的程序要执行多次，导致测试成本上升。有鉴于此，势必要提出一种全新的解决方案，以克服现有技术所面临的问题。
技术实现思路
[0003]本专利技术提出一种保险丝区块单元，包括：第一激光保险丝，输出第一数据；第一激光锁存器，耦接至第一激光保险丝；第二激光保险丝，输出第二数据；第二激光锁存器，耦接至第二激光保险丝；以及分享式触发器，包括：第一切换器，根据第一载入电位来选择性地将第一激光锁存器耦接至第一节点；第二切换器，根据第二载入电位来选择性地将第二激光锁存器耦接至第一节点；第三切换器，根据反相移转电位来选择性地将输入节点耦接至第一节点；第一锁存器，耦接于第一节点和第二节点之间；第四切换器，根据移转电位来选择性地将第二节点耦接至第三节点；以及第二锁存器，耦接于第三节点和输出节点之间。其中第二载入电位的高逻辑脉冲不与第一载入电位的高逻辑脉冲同时发生。
[0004]本专利技术提出一种保险丝区块系统，包括：多个前述的保险丝区块单元；其中所述多个保险丝区块单元的多个分享式触发器是彼此串联耦接。
[0005]本专利技术提出一种存储器装置，包括：多个前述的保险丝区块单元，彼此串联耦接，其...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种保险丝区块单元，其特征在于，包括：一第一激光保险丝，输出一第一数据；一第一激光锁存器，耦接至该第一激光保险丝；一第二激光保险丝，输出一第二数据；一第二激光锁存器，耦接至该第二激光保险丝；以及一分享式触发器，包括：一第一切换器，根据一第一载入电位来选择性地将该第一激光锁存器耦接至一第一节点；一第二切换器，根据一第二载入电位来选择性地将该第二激光锁存器耦接至该第一节点，其中该第二载入电位的高逻辑脉冲不与该第一载入电位的高逻辑脉冲同时发生；一第三切换器，根据一反相移转电位来选择性地将一输入节点耦接至该第一节点；一第一锁存器，耦接于该第一节点和一第二节点之间；一第四切换器，根据一移转电位来选择性地将该第二节点耦接至一第三节点；以及一第二锁存器，耦接于该第三节点和一输出节点之间。2.如权利要求1所述的保险丝区块单元，其特征在于，该第一切换器、该第二切换器、该第三切换器，以及该第四切换器分别以一传输门来实施。3.如权利要求1所述的保险丝区块单元，其特征在于，该第一切换器包括：一第一N型晶体管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中该第一N型晶体管的该控制端是用于接收该第一载入电位，该第一N型晶体管的该第一端是耦接至该第一激光锁存器，而该第一N型晶体管的该第二端是耦接至该第一节点；以及一第一P型晶体管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中该第一P型晶体管是该控制端是用于接收一反相第一载入电位，该第一P型晶体管的该第一端是耦接至该第一激光锁存器，而该第一P型晶体管的该第二端是耦接至该第一节点。4.如权利要求1所述的保险丝区块单元，其特征在于，该第二切换器包括：一第二N型晶体管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中该第二N型晶体管的该控制端是用于接收该第二载入电位，该第二N型晶体管的该第一端是耦接至该第二激光锁存器，而该第二N型晶体管的该第二端是耦接至该第一节点；以及一第二P型晶体管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中该第二P型晶体管的该控制端是用于接收一反相第二载入电位，该第二P型晶体管的该第一端是耦接至该第二激光锁存器，而该第二P型晶体管的该第二端是耦接至该第一节点。5.如权利要求1所述的保险丝区块单元，其特征在于，该第三切换器包括：一第三N型晶体管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中该第三N型晶体管的该控制端是用于接收该反相移转电位，该第三N型晶体管的该第一端是耦接至该输入节点，而该第三N型晶体管的该第二端是耦接至该第一节点；以及一第三P型晶体管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中该第三P型晶体管的该控制端是用于接收该移转电位，该第三P型...
【专利技术属性】
技术研发人员：凃宗逸，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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