固体材料中电子点缺陷的探测方法、探测装置和系统制造方法及图纸

一种固体材料中电子点缺陷的探测方法、探测装置和系统，该探测方法包括：根据荧光获取每个探针点缺陷对应的谱学信息，根据探针点缺陷对应的谱学信息得到探针点缺陷的局域电场信号，根据跳变前后探针点缺陷的局域电场信号，得到探针点缺陷的跳变信号；在发生多次电荷态跳变后，所有探针点缺陷的跳变信号组合成一个多维空间；对多维空间中的跳变信号进行第一分类；根据第一分类中的每类跳变信号，得到每个电子点缺陷在对应的每个探针点缺陷处的电场信息；获取各个探针点缺陷的相对位置；根据每个电子点缺陷在对应的多个探针点缺陷处的电场信息、电子点缺陷对应的多个探针点缺陷的相对位置，得到电子点缺陷与对应的多个探针点缺陷的相对位置。点缺陷的相对位置。点缺陷的相对位置。

【技术实现步骤摘要】
固体材料中电子点缺陷的探测方法、探测装置和系统


[0001]本专利技术涉及量子
，特别涉及固体材料中电子点缺陷的探测方法、探测装置和系统。

技术介绍

[0002]在各种现代科学和技术的发展中，晶体中的电子点缺陷比完美的晶体更具吸引力，电子点缺陷研究深刻地影响了材料机械工程、光纤、太阳能电池和半导体技术等领域。在新兴的量子信息技术中，有些电子点缺陷已成为量子计算量子网络和量子传感的基本构建单元。相关的光学方法十分适合探测荧光缺陷，但由于绝大多数电子点缺陷都没有足够的荧光强度或稳定性，因此针对电子点缺陷的单独探测和研究十分困难。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，本专利技术提供了一种固体材料中电子点缺陷的探测方法、探测装置和系统，以便于实现体材料中电子点缺陷的探测。
[0004]作为本专利技术的第一个方面，提供了一种固体材料中电子点缺陷的探测方法，包括：
[0005]响应于待测固体样品中的探针点缺陷发出荧光，根据荧光获取每个探针点缺陷对应的谱学信息，根据探针点缺陷对应的谱学信息得到探针点缺陷的局域电场信号本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种固体材料中电子点缺陷的探测方法，包括：响应于待测固体样品中的探针点缺陷发出荧光，根据所述荧光获取每个探针点缺陷对应的谱学信息，根据所述探针点缺陷对应的谱学信息得到所述探针点缺陷的局域电场信号；在所述待测样品中的每个电子点缺陷的电荷态发生跳变的同时，所述待测样品中的多个探针点缺陷的局域电场信号发生跳变，即多个探针点缺陷的局域电场信号发生对应于所述电子点缺陷的关联跳变，根据跳变前后所述探针点缺陷的局域电场信号，得到所述探针点缺陷的跳变信号；在发生多次电荷态跳变后，所有探针点缺陷的跳变信号组合成一个第一多维空间，同一个电子点缺陷引起的关联跳变的多个跳变信号在所述多维空间中的位置相同；对所述多维空间中的跳变信号进行第一分类，其中，第一分类中的每类跳变信号对应同一个电子点缺陷的电荷态跳变；根据第一分类中的每类跳变信号，得到每个电子点缺陷在对应的每个探针点缺陷处的电场信息；获取各个探针点缺陷的相对位置；根据每个电子点缺陷在对应的多个探针点缺陷处的电场信息，以及所述电子点缺陷对应的多个探针点缺陷的相对位置，得到所述电子点缺陷与对应的多个探针点缺陷的相对位置，完成所述电子点缺陷的探测。2.根据权利要求1所述的探测方法，其中，根据第一分类中每类跳变信号，得到每个电子点缺陷在对应的每个探针点缺陷处的电场信息，包括：针对第一分类中的每类，对每个探针点缺陷的多个跳变信号求平均，得到每个探针点缺陷处的电场信息。3.根据权利要求1所述的探测方法，其中，所述探针点缺陷的电荷态发生多次跳变，所述探针点缺陷的电荷态发生跳变引起其他探针点缺陷产生跳变信号；获取所有探针点缺陷的位置包括：将探针点缺陷的电荷态发生跳变的产生跳变信号组和成一个第二多维空间；对所述第二多维空间中的跳变信号进行第二分类，其中，第二分类中的每类对应同一个探针点缺陷的电荷态跳变；根据第二分类中每类跳变信号得到每个探针点缺陷在对应的其他每个探针点缺陷处的电场信息；根据每个探针点缺陷在对应的其他每个探针点缺陷处的电场信息，得到各个探针点缺陷的相对位置。4.据权利要求1所述的探测方法，其中，所述待测样品中的探针点缺陷的产生方式包括：所述待测样品自发产生或者对所述待测样品进行激发光直写、电子辐照或者高温退火。5.根据权利要求1所述的探测方法，其中，所述电子点缺陷的电荷态发生变化来自...

【专利技术属性】
技术研发人员：季文韬，刘昭昕，郭宇航，王亚，杜江峰，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：