【技术实现步骤摘要】
一种基片处理装置及腔室内衬
[0001]本专利技术涉及半导体基片处理设备
，尤其涉及一种基片外延处理装置及其腔室内衬。
技术介绍
[0002]目前常采用等离子刻蚀、物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称PVD)、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)等工艺方式对半导体工艺件或基片进行微加工。微加工制造包含多种不同的工艺和步骤，其中，应用较为广泛的为化学气相沉积工艺，该工艺可以沉积多种材料，这种工艺一般在高真空的反应室内进行。
[0003]随着半导体器件特征尺寸的日益缩小以及器件集成度的日益提高，对化学气相沉积的薄膜均匀性提出了越来越高的要求。化学气相沉积装置虽经多次更新换代，性能得到极大提升，但在薄膜沉积均匀性方面仍存在诸多不足，尤其是随着基片尺寸日益增大，现有的气相沉积方法和设备已难以满足薄膜的均匀性要求。
[0004]在薄膜沉积过程中，多种工艺条件都会对基片表面薄膜沉积的均匀性造成影响，例如反应气体流动的方向和分布情况、基片的加...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，用于对基片进行气相外延工艺处理，其特征在于，包括：腔室，所述腔室包括相互套叠设置的腔室内衬和位于腔室内衬外部的腔室外壳，所述腔室内衬整体呈方体结构，包括设有一上内衬开口的内衬上壁和一内衬底壁，以及位于所述内衬上壁和内衬底壁之间的两个相互平行的内衬侧壁；腔室内衬相对的两侧分别设置一进气端和一出气端，用于供应工艺气体；可透过热辐射的上盖，用于覆盖所述上内衬开口，并与所述腔室围成一处理空间；基片承载装置，位于所述处理空间内，并设置于所述上盖下方，用于在工艺过程中承载基片；所述基片上方形成一方体状气体分布空间，所述方体状气体分布空间具有沿着气流方向的纵向方向、与所述气流方向共面且垂直于所述气流方向的横向方向以及垂直于所述基片的高度方向，所述方体状气体分布空间的横向宽度等于所述两平行内衬侧壁之间的距离且大于所述基片的直径。2.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述进气端包括一矩形进气口，所述出气端包括一矩形出气口，所述矩形进气口的横向宽度小于等于所述两平行内衬侧壁之间的距离。3.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述腔室内衬包括一内衬主体，所述内衬主体自所述进气端至所述出气端一体结构设置。4.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述内衬底壁设置一下内衬开口，所述腔室外壳包括一外壳上壁和一外壳底壁，所述外壳上壁和外壳底壁分别设置与所述上内衬开口和下内衬开口对应的上外壳开口和下外壳开口。5.如权利要求4所述的处理装置，其特征在于，所述处理装置包括一下盖，所述下盖覆盖所述下内衬开口和下外壳开口。6.如权利要求4所述的处理装置，其特征在于，所述腔室内衬还包括一上内衬环和一下内衬环，所述上内衬环设置于所述上盖的外围与所述上内衬开口之间，用于避免所述腔室外壳与所述处理空间接触，所述下内衬环设置于所述下盖的外围与所述下内衬开口之间，用于避免所述腔室外壳与所述处理空间接触。7.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，工艺过程中，所述内衬主体的两平行内衬侧壁引导所述方体状气体分布空间两侧的工艺气体直线传输。8.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述上盖包括向远离所述处理空间的方向凸起的窗口区域和环绕所述窗口区域的外沿区域。9.如权利要求5所述的处理装置，其特征在于，所述下盖包括向远离所述处理空间的方向凸起的中部区域，所述中部区域设有一容纳驱动机构的容纳开口，所述驱动机构用于驱动所述基片承载装置升降和/或旋转。10.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述腔室内衬的内部靠近所述进气端设置一气流引导部，所述气流引导部用于将工艺气体水平引导至所述基片表面。11.如权利要求10所述的处理装置，其特征在于，所述基片外围环绕设置一预热环，所述气流引导部至少部分地设置于所述预热环外围。12.如权利要求10所述的处理装置，其特征在于，所述气流引导部包括一气流引导面，所述气流引导面与所述基片上表面位于相同的平面内。
13.如权利要求10所述的处理装置，其特征在于，所述气流引导部将所述处理空间分隔为位于基片上方的反应空间和位于基片下方的操作空间。14.如权利要求10所述的处理装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：庞云玲，姜勇，丛海，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。