半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备，解决了半导体处理领域工艺气体均匀性、红外辐射透过率和承压能力的技术问题，主要通过一承压壳体覆盖处理腔的上盖，并形成一密闭空间，使用一调压装置对密闭空间的气压进行调节，进而调整半导体处理腔的上盖上下表面承受的气压，来优化上盖的结构设计，以达到在半导体工艺过程中，为了实现对基片表面更高均匀性、更高质量的处理，可以对上盖进行更大范围的改进，来获得更优化的处理空间。间。间。

【技术实现步骤摘要】
半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备。

技术介绍

[0002]目前常采用等离子刻蚀、物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称PVD)、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)等工艺方式对半导体工艺件或衬底进行微加工，例如制造柔性显示屏、平板显示器、发光二极管、太阳能电池等。微加工制造包含多种不同的工艺和步骤，其中，应用较为广泛的为化学气相沉积工艺，该工艺可以沉积多种材料，包括大范围的绝缘材料、大多数金属材料和金属合金材料，这种工艺一般在高真空的反应室内进行。
[0003]随着半导体器件特征尺寸的日益缩小以及器件集成度的日益提高，对化学气相沉积的薄膜均匀性提出了越来越高的要求。化学气相沉积装置虽经多次更新换代，性能得到极大提升，但在薄膜沉积均匀性方面仍存在诸多不足，尤其是随着基片尺寸日益增大，现有的气相沉积方法和设备已难以满足薄膜的均匀性要求。/>[0004]在薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体处理腔，用于处理基片，其特征在于，包括：中空的腔室框架，其具有进气口和出气口，所述进气口用于通入工艺气体，所述腔室框架的一侧设置有开孔；可以透过热辐射的上盖，与所述开孔相配合连接并设置于所述腔室框架上，所述上盖与所述腔室框架围成一处理空间，所述处理空间用于容纳所述基片并对所述基片进行工艺处理；承压壳体，其设置于所述上盖上方，并与所述上盖和至少部分所述腔室框架围成一密闭空间；以及，一调压装置，用于对所述密闭空间的压力进行调节。2.如权利要求1所述的半导体处理腔，其特征在于，所述承压壳体通过紧固件与所述腔室框架的外侧壁气密连接。3.如权利要求1所述的半导体处理腔，其特征在于，所述腔室框架包括上框架和下框架，所述开孔设置在所述上框架上。4.如权利要求1所述的半导体处理腔，其特征在于，所述上盖包括位于所述上盖的中部的窗口和环绕所述窗口的外沿。5.如权利要求1所述的半导体处理腔，其特征在于，所述处理腔还包括金属材质的装配环，所述上盖气密地安装在所述装配环上，所述装配环安装于所述开孔上。6.如权利要求4所述的半导体处理腔，其特征在于，所述窗口为透明的石英材质，所述外沿为不透明或透明的石英材质。7.如权利要求4所述的半导体处理腔，其特征在于，所述外沿通过密封圈和所述开孔的边缘气密固定。8.如权利要求1所述的半导体处理腔，其特征在于，所述调压装置包括真空泵，所述承压壳体包括一与所述真空泵连接的抽气口。9.如权利要求1所述的半导体处理腔，其特征在于，所述调压装置包括：监测模块，用于测量所述处理空间和/或所述密闭空间的气压值；控制模块，用于预设一安全气压差，并根据所述气压值，按照所述安全气压差调整所述处理空间和密闭空间的压力。10.如权利要求1所述的半导体处理腔，其特征在于，所述承压壳体包括热交换系统。11.如权利要求10所述的半导体处理腔，其特征在于，所述热交换系统包括通入所述密闭空间的氦气源。12.如权利要求1所述的半导体处理腔，其特征在于，所述腔室框架和/或所述承压壳体为金属材质，所述上盖为石英材质。13.如权利要求1所述的半导体处理腔，其特征在于，所述调压装置用于在工艺过程中调节所述密闭空间的压强小于1个标准大气压。14.如权利要求1所述的半导体处理腔，其特征在于，所述调压装置用于在工艺过程中调节所述密闭空间的压强小于0.5个标准大气压。15.如权利要求1所述的半导体处理腔，其特征在于，所述处理腔还包括下盖，其与所述上盖相对地设置于所述腔室框架的另一侧，所述处理空间由所述上盖、下盖和腔室框架围成，所述调压装置在工艺过程中调节所述密闭空间内的压力，使所述上盖的外表面所承受
的气压大于等于所述处理空间的气压，且小于所述下盖的外表面所承受的气压。16.如权利要求1所述的半导体处理腔，其特征在于，所述处理腔还包括下盖，其与所述上盖相对地设置于所述腔室框架的另一侧，所述处理空间由所述上盖、下盖和腔室框架围成，所述密闭空间通过调压装置与大气环境连通，所述下盖的下表面处于大气环境中。17.如权利要求4所述的半导体处理腔，其特征在于，所述窗口的形状为向上弯曲的穹顶形或平板型或向下弯曲的凹陷形。18.如权利要求17所述的半导体处理腔，其特征在于，所述窗口的上表面设置有环形加强筋，所述环形加强筋将窗口划分为位于所述环形加强筋内部的中心区域和位于所述外沿与环形加强筋之间的边缘区域；所述环形加强筋还设有若干个气体通道，所述气体通道用于连通所述中心区域与边缘区域的空间。19.一种半导体处理腔，用于处理基片，其特征在于，包括：具有密闭的处理空间的腔室，所述腔室包括一可以透过热辐射的上盖，所述处理空间用于容纳所述基片并对所述基片进行工艺处理；承压壳体，与所述腔室的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶珩，庞云玲，丛海，姜勇，尹志尧，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：