一种BTC元器件引脚去氧化装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种BTC元器件引脚去氧化装置和方法，所述装置包括：底板、嵌板、盖板、钢网，底板的四角设置有用于定位嵌板的第一定位销，底板的四边中间部位设置有与盖板的第二定位销相匹配的第一定位孔；嵌板的四角以及四边中间部位设置有与第一和第二定位销相匹配的第二定位孔，嵌板上设置有用于吸附钢网的耐高温磁性填料阵列和用于放置BTC元器件的方框阵列；钢网的四边中间部分设置有与第二定位销相匹配的第三定位孔，钢网上与方框阵列对应设置有第一开孔阵列；盖板的四边中间部位设置有第二定位销，盖板的四角设置有与第一定位销相匹配的第四定位孔，盖板上与方框阵列对应设置有第二开孔阵列。本发明专利技术能够提升BTC元器件引脚可焊性，保证产品装联质量。保证产品装联质量。保证产品装联质量。

【技术实现步骤摘要】
一种BTC元器件引脚去氧化装置和方法


[0001]本专利技术属于电子装联
，具体涉及一种BTC元器件引脚去氧化装置和方法。

技术介绍

[0002]BTC(Bottom Termination Component)元器件即底部端子元器件，在印制电路板组装件中应用非常普遍，如图1所示的QFN(Quad Flat No
‑
leads Package，方形扁平无引脚封装)、图2所示的BGA(Ball Grid Array，球栅阵列封装)、图3所示的LGA(Land Grid Array，栅格阵列封装)。BTC元器件一般为进口器件，器件生产、储存、转运和装联过程中极易导致器件焊端氧化，导致器件引脚可焊性差，SMT(Surface Mounted Technology，表面贴装技术)焊接焊点质量不良。因此需要对器件引脚进行氧化层去除，提高器件引脚可焊性。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种BTC元器件引脚去氧化装置和方法，能够提升BTC元器件引脚可焊性，保证产品装联质量。
[0004]本专利技术的一个方面提供一种BTC元器件引脚去氧化装置，包括：底板、嵌板、盖板、钢网，
[0005]所述底板的四角设置有用于定位所述嵌板的第一定位销，所述底板的四边中间部位设置有与所述盖板的第二定位销相匹配的第一定位孔；
[0006]所述嵌板的四角以及四边中间部位设置有与所述第一定位销和所述第二定位销相匹配的第二定位孔，所述嵌板上设置有用于吸附所述钢网的耐高温磁性填料阵列和用于放置BTC元器件的方框阵列；
[0007]所述钢网的四边中间部分设置有与所述盖板的所述第二定位销相匹配的第三定位孔，所述钢网上与所述方框阵列对应设置有第一开孔阵列；
[0008]所述盖板的四边中间部位设置有用于定位所述嵌板的所述第二定位销，所述盖板的四角设置有与所述第一定位销相匹配的第四定位孔，所述盖板上与所述方框阵列对应设置有第二开孔阵列。
[0009]优选地，所述嵌板的厚度比BTC元器件的厚度大0.1
‑
0.3mm。
[0010]优选地，所述耐高温磁性填料阵列是通过阵列填充耐高温磁性填料而形成，所述方框阵列是通过阵列排布方框而形成。
[0011]优选地，所述方框的四边比BTC元器件的四边外扩0.2mm。
[0012]优选地，BTC元器件为QFN器件，第一开孔阵列的每个第一开孔为四边型，包括四个长条开孔和中间接地开孔。
[0013]优选地，BTC元器件为QFN器件，第一开孔阵列的每个第一开孔为米字型，包括四个三角形开孔。
[0014]优选地，BTC元器件为BGA器件或LGA器件，第一开孔阵列的每个第一开孔与BGA器件或LGA器件的引脚阵列对应开孔。
[0015]优选地，所述底板的上下两边设置有第一导槽，所述盖板的上下两边设置有与所述第一导槽相配合的第二导槽。
[0016]优选地，第二开孔阵列的每个第二开孔与方框阵列的每个方框相对应，在第二开孔的四角开圆孔。
[0017]本专利技术的另一个方面提供一种BTC元器件引脚去氧化方法，使用上述的装置去除BTC元器件引脚的氧化层，所述方法包括：
[0018]将嵌板放于底板上组成贴片工装；
[0019]将贴片工装和BTC器件放于贴片机中，利用贴片机将BTC器件放于贴片工装中，取出贴片工装；
[0020]将盖板放于贴片工装上，将其180
°
翻转，使BTC器件底面朝上，取下底板组成丝印工装；
[0021]将钢网放于丝印工装上组成回流工装，使钢网开孔与BTC器件引脚位置一致；
[0022]采用刮刀将助焊膏通过钢网漏印到BTC器件引脚上；
[0023]将回流工装放于回流炉中进行回流去除氧化层，将回流工装放于清洗设备中清洗去除BTC器件引脚残留的助焊剂；
[0024]取下回流工装的钢网，检查BTC器件引脚外观及可焊性。
[0025]根据本专利技术上述方面的BTC元器件引脚去氧化装置和方法，能够提升BTC元器件引脚可焊性，保证产品装联质量。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图：
[0027]图1是现有的QFN器件的示意图。
[0028]图2是现有的BGA器件的示意图。
[0029]图3是现有的LGA器件的示意图。
[0030]图4是本专利技术一种实施方式的BTC元器件引脚去氧化装置的结构示意图。
[0031]图5是图4中的底板的结构示意图。
[0032]图6是图4中的嵌板的结构示意图。
[0033]图7是图4中的钢网的结构示意图。
[0034]图8是图4中的盖板的结构示意图。
[0035]图9是QFN器件的情况下钢网的开孔示意图。
[0036]图10是BGA器件的情况下钢网的开孔示意图。
[0037]图11是LGA器件的情况下钢网的开孔示意图。
具体实施方式
[0038]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图，对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全
部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0039]本专利技术的实施方式提供一种BTC元器件引脚去氧化装置。图4是本专利技术一种实施方式的BTC元器件引脚去氧化装置的结构示意图。如图4所示，本专利技术实施方式的BTC元器件引脚去氧化装置包括：底板1、嵌板2、盖板3、钢网4。
[0040]图5
‑
图8分别是图4中的底板、嵌板、盖板和钢网的结构示意图。结合图1
‑
图5所示，底板的四角设置有用于定位所述嵌板2的第一定位销11，第一定位销的尺寸例如为2.0mm，所述底板1的四边中间部位设置有与所述盖板的第二定位销相匹配的第一定位孔12，第一定位孔12的直径例如为2.1mm。底板1的厚度例如为3
‑
5mm。
[0041]所述嵌板2的四角以及四边中间部位设置有与所述第一定位销和所述第二定位销相匹配的第二定位孔21，所述嵌板2上设置有用于吸附所述钢网3的耐高温磁性填料阵列，耐高温磁性填料阵列是通过阵列填充耐高温磁性填料22而形成，填料阵列例如是3*3阵列，阵列间距例如为80mm*80mm。所述嵌板2的中间位置设置有用于放置BTC元器件的方框阵列，方框阵列是通过阵列排布方框23而得到，方框阵列例如是8*8阵列，间距例如为20mm*20mm。方框23的四边比BTC元器件的四边外扩0.2mm，方框23的四边双面倒钝，四角可以做R＝1mm圆孔。嵌板2的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种BTC元器件引脚去氧化装置，其特征在于，包括：底板、嵌板、盖板、钢网，所述底板的四角设置有用于定位所述嵌板的第一定位销，所述底板的四边中间部位设置有与所述盖板的第二定位销相匹配的第一定位孔；所述嵌板的四角以及四边中间部位设置有与所述第一定位销和所述第二定位销相匹配的第二定位孔，所述嵌板上设置有用于吸附所述钢网的耐高温磁性填料阵列和用于放置BTC元器件的方框阵列；所述钢网的四边中间部分设置有与所述盖板的所述第二定位销相匹配的第三定位孔，所述钢网上与所述方框阵列对应设置有第一开孔阵列；所述盖板的四边中间部位设置有用于定位所述嵌板的所述第二定位销，所述盖板的四角设置有与所述第一定位销相匹配的第四定位孔，所述盖板上与所述方框阵列对应设置有第二开孔阵列。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述嵌板的厚度比BTC元器件的厚度大0.1
‑
0.3mm。3.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述耐高温磁性填料阵列是通过阵列填充耐高温磁性填料而形成，所述方框阵列是通过阵列排布方框而形成。4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述方框的四边比BTC元器件的四边外扩0.2mm。5.如权利要求1
‑
4中任一项所述的装置，其特征在于，BTC元器件为QFN器件，第一开孔阵列的每个第一开孔为四边型，包括四个长条开孔和中间接地开孔。6.如权利要求1
‑
4中任一项所述的装置，其特征在于，B...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋乐，王季，王长平，张恒，
申请(专利权)人：北京无线电测量研究所，
类型：发明
国别省市：