复合铜箔、制造方法及锂离子电池技术

本公开涉及锂离子电池技术领域，具体涉及一种复合铜箔、制造方法及锂离子电池，所述复合铜箔的制造方法，包括：将铜膜部分脱落的复合铜箔作为准基膜，并在所述准基膜的表面附着高分子材料得基膜；在所述基膜的两侧表面沉积铜金属层。上述技术方案通过在铜膜部分脱落的复合铜箔表面附着高分子材料将不良品改进为基膜，并进一步在基膜两侧表面沉积铜金属层得到符合要求的复合铜箔，实现了不良品的重复利用，降低了成本。降低了成本。降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
复合铜箔、制造方法及锂离子电池


[0001]本公开涉及锂离子电池
，具体涉及一种复合铜箔、制造方法及锂离子电池。

技术介绍

[0002]复合铜箔是以高分子材料作为基膜，将金属铜层沉积在基膜的上下两面，形成“铜
‑
高分子
‑
铜”复合的三明治结构，复合铜箔具有密度小、厚度薄、良好的导电性等特点，因此具有替代传统锂电解铜箔的潜力。目前复合铜箔的生产良率在85%左右，不良品往往会出现铜箔脱落的情况，因此如何对不良品进行加工再利用是亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0003]为了解决相关技术中的问题，本公开实施例提供一种复合铜箔、制造方法及锂离子电池。
[0004]第一方面，本公开实施例中提供了一种一种复合铜箔的制造方法，包括：将铜膜部分脱落的复合铜箔作为准基膜，并在所述准基膜的表面附着高分子材料得基膜；在所述基膜的两侧表面沉积铜金属层。
[0005]根据本公开的实施例，采用纳米注塑工艺在所述准基膜的表面附着高分子材料得基膜。
[0006]根据本公开的实施例，所述在所述基膜的两侧表面沉积铜金属层，包括：采用磁控溅射工艺结合水电镀工艺在基膜的两侧表面沉积铜金属层；其中，磁控溅射工艺包括前序和后续阶段，前序阶段在基膜的两侧表面形成10
‑
15nm的薄膜，调整磁控溅射的参数后进入后续阶段，在10
‑
15nm的薄膜上继续镀铜，最后形成25
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40nm的薄膜。
[0007]根据本公开的实施例，所述调整磁控溅射的参数包括如下步骤：获取基膜的表面图像以及基膜厚度方向的图像；根据所述基膜的表面图像以及基膜厚度方向的图像确定前序阶段得到的薄膜表面的平整度；根据薄膜表面的平整度调整磁控溅射的参数。
[0008]第二方面，本公开实施例中提供了一种复合铜箔，采用如第一方面任一项所述的复合铜箔的制造方法得到。
[0009]根据本公开的实施例，所述复合铜箔包括：第一膜层，为高分子材料；第一铜膜，位于所述第一膜层的上方；第二膜层，为高分子材料，位于所述第一铜膜的上方；第二铜膜，位于所述第二膜层的上方；
第三铜膜，位于所述第一膜层的下方；其中，所述第一膜层、第一铜膜构成铜膜部分脱落的复合铜箔；所述第一膜层、第一铜膜、第二膜层构成基膜。
[0010]根据本公开的实施例，所述复合铜箔包括：第一膜层，为高分子材料；第一铜膜，位于所述第一膜层的上方；第二铜膜，位于所述第一膜层的下方；第二膜层，为高分子材料，分别位于所述第一铜膜以及第二铜膜的上方；第三铜膜，分别位于所述第二膜层的上方；其中，所述第一膜层、第一铜膜、第二铜膜构成铜膜部分脱落的复合铜箔；所述第一膜层、第一铜膜、第二铜膜、第二膜层构成基膜。
[0011]根据本公开的实施例，所述第一铜膜为连续铜膜或者不连续铜膜。
[0012]根据本公开的实施例，所述第一铜膜为连续铜膜或者不连续铜膜；和/或，所述第二铜膜为连续铜膜或者不连续铜膜。
[0013]第三方面，本公开实施例提供了一种锂离子电池，包括如第二方面任一项所述的复合铜箔。
[0014]根据本公开实施例提供的复合铜箔的制造方法，包括：将铜膜部分脱落的复合铜箔作为准基膜，并在所述准基膜的表面附着高分子材料得基膜；在所述基膜的两侧表面沉积铜金属层。上述技术方案通过在铜膜部分脱落的复合铜箔表面附着高分子材料将不良品改进为基膜，并进一步在基膜两侧表面沉积铜金属层得到符合要求的复合铜箔，实现了不良品的重复利用，降低了成本。
[0015]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0016][0017]结合附图，通过以下非限制性实施方式的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将变得更加明显。在附图中：图1示出根据本公开一实施例的复合铜箔的结构示意图。
[0018]图2示出根据本公开另一实施例的复合铜箔的结构示意图。
[0019]图3示出根据本公开实施例的复合铜箔的制造方法的流程图。
具体实施方式
[0020][0021]下文中，将参考附图详细描述本公开的示例性实施例，以使本领域技术人员可容易地实现它们。此外，为了清楚起见，在附图中省略了与描述示例性实施例无关的部分。
[0022]在本公开中，应理解，诸如“包括”或“具有”等的术语旨在指示本说明书中所公开的特征、数字、步骤、行为、部件、部分或其组合的存在，并且不欲排除一个或多个其他特征、数字、步骤、行为、部件、部分或其组合存在或被添加的可能性。
[0023]另外还需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
[0024]复合铜箔是以高分子材料作为基膜，将金属铜层沉积在基膜的上下两面，形成“铜
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高分子
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铜”复合的三明治结构，复合铜箔具有密度小、厚度薄、良好的导电性等特点，因此具有替代传统锂电解铜箔的潜力。目前复合铜箔的生产良率在85%左右，不良品往往会出现铜箔脱落的情况，因此如何对不良品进行加工再利用是亟需解决的技术问题。
[0025]图1示出根据本公开一实施例的复合铜箔的结构示意图。
[0026]如图1所示，复合铜箔包括：第一膜层111、第一铜膜112、第二膜层12、第二铜膜13和第三铜膜14。其中，第一膜层111、第一铜膜112、第二膜层12构成基膜。第二铜膜13、第三铜膜14为基膜两侧表面沉积的铜金属层。第二铜膜13位于第二膜层12的上方；第三铜膜14位于第一膜层111的下方。第二铜膜13包括溅射层131以及电镀层132，溅射层131位于基膜的表面，电镀层132位于溅射层131的上方。第三铜膜14包括溅射层141以及电镀层142，溅射层141位于基膜的表面，电镀层142位于溅射层141的上方。
[0027]复合铜箔通常为“铜
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高分子
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铜”复合的三明治结构，本公开方式中，第一膜层111、第一铜膜112构成铜膜部分脱落的复合铜箔11，即三明治结构中的上层或者下层铜箔被剥离掉，这种铜膜部分脱落的复合铜箔通常是不良品，本公开在此不良品的基础上通过形成第二膜层将不良品改进为基膜，并进一步在基膜两侧表面沉积铜金属层得到符合要求的复合铜箔，实现了不良品的重复利用，降低了成本。
[0028]图1示出的复合铜箔11中第一铜膜112为连续铜膜，即第一膜层111的表面不存在铜膜脱落的区域，可以理解的是，第一铜膜112也可以为不连续铜膜，即第一膜层111的表面存在铜膜脱落的区域，这种不良也可以通过形成第二膜层将不良品改进为基膜，在此不予赘述。
[0029]根据本公开的实施例，第一膜层111、第二膜层12均为高分子材料，例如可以为聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）材料、聚丙烯（PP）材料或者聚亚酰胺（PI）材料等等。其中，第一膜层111以及第二膜层1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合铜箔的制造方法，其特征在于，包括：将铜膜部分脱落的复合铜箔作为准基膜，并在所述准基膜的表面附着高分子材料得基膜；在所述基膜的两侧表面沉积铜金属层。2.根据权利要求1所述的复合铜箔的制造方法，其特征在于，采用纳米注塑工艺在所述准基膜的表面附着高分子材料得基膜。3.根据权利要求1所述的复合铜箔的制造方法，其特征在于，所述在所述基膜的两侧表面沉积铜金属层，包括：采用磁控溅射工艺结合水电镀工艺在基膜的两侧表面沉积铜金属层；其中，磁控溅射工艺包括前序和后续阶段，前序阶段在基膜的两侧表面形成10
‑
15nm的薄膜，调整磁控溅射的参数后进入后续阶段，在10
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15nm的薄膜上继续镀铜，最后形成25
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40nm的薄膜。4.根据权利要求3所述的复合铜箔的制造方法，其特征在于，所述调整磁控溅射的参数包括如下步骤：获取基膜的表面图像以及基膜厚度方向的图像；根据所述基膜的表面图像以及基膜厚度方向的图像确定前序阶段得到的薄膜表面的平整度；根据薄膜表面的平整度调整磁控溅射的参数。5.一种复合铜箔，其特征在于，采用如权利要求1
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4任一项所述的复合铜箔的制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋文兰，
申请(专利权)人：河北海伟电子新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：