一种具有红外隐身性能的抗氧化薄膜结构制造技术

技术编号:39243901 阅读:23 留言:0更新日期:2023-10-30 11:56
本发明专利技术公开了一种具有红外隐身性能的抗氧化薄膜结构。其特征在于,所述具备红外隐身性能的功能层包括硅基底、沉积在基底的双层抗氧化金属薄膜层和半导体薄膜层以及抗氧化增强薄膜层,所述多层薄膜结构由上至下分别为二氧化硅薄膜层、锗薄膜层、钼薄膜层、锗薄膜层、钼薄膜层以及硅基底。本发明专利技术的红外隐身性能是通过设计优化薄膜层材料及其厚度等参数,来实现红外波段3.0

【技术实现步骤摘要】
一种具有红外隐身性能的抗氧化薄膜结构


[0001]本专利技术属于功能材料领域,尤其涉及一种基于抗氧化金属及半导体材料的红外隐身薄膜结构。

技术介绍

[0002]近年来,红外隐身技术在现代战争、安防监控和军事研究领域和军事研究领域发挥着越来越重要的作用。但目前许多红外隐身材料存在结构复杂和高温下容易被氧化等问题,这些问题仍需要我们深入研究解决。
[0003]红外隐身技术主要是通过设计材料参数及结构,使其贴于物体表面时可以降低发射率和实际温度,进而减小物体与环境的红外辐射差异。传统的红外隐身技术主要是通过降低全波段的发射率来实现红外隐身的性能,但根据史蒂芬

玻尔兹曼定理,物体的红外辐射特性是与物体的温度相关联的,全波段的发射率降低会导致物体温度升高进而发射率增高,因此对于温度本身较高的物体更难满足红外隐身的需求。对于红外光的大气窗口3.0

5.0μm和8.0

14.0μm波段,大气的吸收非常弱;而非大气窗口5.0

8.0μm波段,大气吸收和散射现象较强。总之,可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有红外隐身性能的抗氧化薄膜结构。其特征在于,具备单红外吸收共振腔结构及抗氧化层,所述具备红外隐身性能的功能层包括硅基底、沉积在基底的双层抗氧化金属薄膜层和半导体薄膜层以及抗氧化增强薄膜层,所述多层薄膜结构由上至下分别为二氧化硅薄膜层、锗薄膜层、钼薄膜层、锗薄膜层、钼薄膜层以及硅基底。2.根据权利要求1所述的红外隐身薄膜结构,其特征在于,所述薄膜的总层数为5层,且与基底接触的为钼薄膜层。3.根据权利要求1所述的红外隐身薄膜结构,其特征在于,所述基底材料为硅。4....

【专利技术属性】
技术研发人员:刘爽王昕李维吴根林
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:

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