一种半桥模块制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半桥模块。该半桥模块中，将DC+端口和DC

【技术实现步骤摘要】
一种半桥模块


[0001]本技术涉及半导体
，特别涉及一种半桥模块。

技术介绍

[0002]随着新能源汽车的发展，提高续航能力、缩短充电时间、车辆轻型化等要求成为未来的发展趋势，这使得作为电压驱动的功率半导体模块向高效化，轻型化的方向发展。目前IGBT模块已经到达了硅基材料的物料极限，无法满足新能源汽车发展的未来需求；而碳化硅模块具有的耐高压、耐高温、更低的导通电阻、更高的功率转换效率和功率密度优点，使得在新能源汽车上更倾向使用高效率、轻体积的碳化硅模块。
[0003]在碳化硅模块中，单个碳化硅芯片面积和电流能力比较小，通常会通过并联多个芯片的方式来实现大电流的应用。而目前大部分使用的功率模块封装技术，电流流经路径长，路线重叠性高，封装寄生参数偏大，而且存在明显的非对称性，并联均流性能差，不能发挥碳化硅模块高速开关的优越性能。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种半桥模块，其可以提高模块内的电流互感效应，降低半桥模块内的寄生电感，提升模块功率转换效率。
[0005]为此，本技术提供了一种半桥模块，包括：基板，所述基板沿着第一方向依次定义有第一区域、第二区域和第三区域；第一芯片组和第二芯片组，分别设置在所述第一区域和所述第三区域内；以及，DC+端口、DC
‑
端口和AC端口，其中DC+端口和DC
‑
端口均设置在所述第二区域内，所述AC端口设置在所述第三区域内并且位于所述第二芯片组远离所述第一芯片组的一侧。
[0006]可选的，所述基板上形成有第一金属区，所述第一金属区由所述第一区域延伸至所述第二区域，所述第一芯片组和所述DC+端口均设置在所述第一金属区上，并且所述DC+端口位于所述第一芯片组靠近所述第二芯片组的一侧。
[0007]可选的，所述基板上还形成有第二金属区，所述第二金属区至少位于所述第一金属区沿着第二方向的侧边，所述第一芯片组电连接至所述第二金属区，其中所述第二方向垂直于所述第一方向。
[0008]可选的，所述第一金属区的两侧均设置有所述第二金属区，两侧的第二金属区顺应所述第一金属区的长边延伸至所述第一金属区的短边并相互连接。
[0009]可选的，所述第一芯片组内的芯片沿着第二方向呈两列排布，两列芯片分别与对应侧的第二金属区电连接。
[0010]可选的，所述基板上还形成有第三金属区，所述第三金属区与所述第一金属区沿着第一方向相对位置，所述第二芯片组和所述AC端口均设置在所述第三金属区上，并且所述AC端口位于所述第三金属区远离第一芯片组的端部上。
[0011]可选的，所述第二金属区由所述第一区域延伸至所述第二区域，所述第三金属区
由所述第三区域延伸至第二区域，在所述第二区域内还设置有导电带，所述导电带的两端分别连接所述第二金属区和所述第三金属区。
[0012]可选的，所述基板上还形成有第四金属区，所述第四金属区位于所述第三金属区沿着第二方向的侧边，所述DC
‑
端口设置在所述第四金属区靠近第一芯片组的端部，所述第二芯片组内的芯片电连接至所述第四金属区上。
[0013]可选的，.所述第三金属区的两侧均形成有所述第四金属区，其中可使至少一侧第四金属区其靠近第一芯片组的端部沿着第二方向凸出而具有凸出部，在所述凸出部上设置有所述DC
‑
端口。
[0014]可选的，所述第二芯片组内的芯片沿着第二方向呈两列排布，两列芯片分别与对应侧的第四金属区电连接。
[0015]可选的，所述基板包括沿着第一方向排布的第一基板和第二基板，其中所述第一金属区和所述第二金属区设置在所述第一基板上，所述第三金属区和所述第四金属区设置在所述第二基板上。
[0016]可选的，所述第一金属区、所述第二金属区和所述第一芯片组以所述第一基板的中心线对称设置；所述第三金属区、所述第四金属区和所述第二芯片组以所述第二基板的中心线对称设置。
[0017]可选的，在基板上还设置有第五金属区和第六金属区，所述第一芯片组内的芯片栅极电连接至所述第五金属区，所述第二芯片组内的芯片栅极电连接至所述第六金属区。
[0018]可选的，所述半桥模块包括至少两组第一芯片组和至少两组第二芯片组，所述第五金属区设置在相邻的第一芯片组之间，所述第六金属区设置在相邻的第二芯片组之间。
[0019]在本技术提供的半桥模块中，将DC+端口和DC
‑
端口设置在第一芯片组和第二芯片组之间的区域内，使得DC+端口至第一芯片组的电流和第一芯片组至第二芯片组的电流方向相反，从而可以形成互感；同样的，第一芯片组至第二芯片组的电流和第二芯片组至DC
‑
端口的电流方向也相反，相应的能够形成互感，大大减少了模块内的寄生电感，增强芯片的均流性，提升模块功率转换效率。
附图说明
[0020]图1为本技术一实施例中的半桥电路的等效电路图。
[0021]图2为本技术一实施例中的半桥模块的结构示意图。
[0022]图3为本技术一实施例中的半桥模块其各个金属区的分布示意图。
[0023]图4
‑
图7为本技术一实施例中的半桥模块在其制备过程中的结构示意图。
[0024]其中，附图标记如下：
[0025]110/110a/110b
‑
第一芯片组；
[0026]111
‑
芯片；
[0027]120/120a/120b
‑
第二芯片组；
[0028]121
‑
芯片；
[0029]200
‑
导电带；
[0030]300
‑
基板；
[0031]310
‑
第一基板；
[0032]320
‑
第二基板；
[0033]300A
‑
第一区域；
[0034]300B
‑
第二区域；
[0035]300C
‑
第三区域；
[0036]410
‑
第一金属区；
[0037]411
‑
芯片贴装区；
[0038]420
‑
第二金属区；
[0039]430
‑
第三金属区；
[0040]431
‑
芯片贴装区；
[0041]440/440a/440b
‑
第四金属区；
[0042]441
‑
凸出部；
[0043]450
‑
第五金属区；
[0044]460
‑
第六金属区；
[0045]510
‑
第一导电件；
[0046]520
‑
第二导电将；
[0047]60本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半桥模块，其特征在于，包括：基板，所述基板沿着第一方向依次定义有第一区域、第二区域和第三区域；第一芯片组和第二芯片组，分别设置在所述第一区域和所述第三区域内；以及，DC+端口、DC
‑
端口和AC端口，其中DC+端口和DC
‑
端口均设置在所述第二区域内，所述AC端口设置在所述第三区域内并且位于所述第二芯片组远离所述第一芯片组的一侧。2.如权利要求1所述的半桥模块，其特征在于，所述基板上形成有第一金属区，所述第一金属区由所述第一区域延伸至所述第二区域，所述第一芯片组和所述DC+端口均设置在所述第一金属区上，并且所述DC+端口位于所述第一芯片组靠近所述第二芯片组的一侧。3.如权利要求2所述的半桥模块，其特征在于，所述基板上还形成有第二金属区，所述第二金属区至少位于所述第一金属区沿着第二方向的侧边，所述第一芯片组电连接至所述第二金属区，其中所述第二方向垂直于所述第一方向。4.如权利要求3所述的半桥模块，其特征在于，所述第一金属区的两侧均设置有所述第二金属区，两侧的第二金属区顺应所述第一金属区的长边延伸至所述第一金属区的短边并相互连接。5.如权利要求4所述的半桥模块，其特征在于，所述第一芯片组内的芯片沿着第二方向呈两列排布，两列芯片分别与对应侧的第二金属区电连接。6.如权利要求3所述的半桥模块，其特征在于，所述基板上还形成有第三金属区，所述第三金属区与所述第一金属区沿着第一方向相对位置，所述第二芯片组和所述AC端口均设置在所述第三金属区上，并且所述AC端口位于所述第三金属区远离第一芯片组的端部上。7.如权利要求6所述的半桥模块，其特征在于，所述第二金属区由所述第一区域延伸至所述第二区域，所述第三金属区由所述第三区域延伸至第二区域，在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈海松，陈国炎，
申请(专利权)人：吉光半导体绍兴有限公司，
类型：新型
国别省市：