硅电容及其制备方法、芯片及其制备方法技术

本申请提供了硅电容及其制备方法、芯片及其制备方法，硅电容包括硅基体、及设于硅基体一侧且间隔设置的两个焊点，两个焊点之间的中心间距为预设距离，预设距离用于与封装基板中相邻的两个焊盘之间的中心间距相等。本申请通过使两个焊点之间的中心间距与两个焊盘之间的中心间距相等，这样不仅可便于硅电容焊接至封装基板上，还可不影响封装基板中的走线设计，保障最短供电路径，不增大封装面积。避免由于封装基板中两个焊盘之间的中心间距与硅电容中两个焊点之间的中心间距不相等而增加封装基板的走线长度，从而增加芯片的整体尺寸。并且还可提高去耦效果与信号性能。并且还可提高去耦效果与信号性能。并且还可提高去耦效果与信号性能。

【技术实现步骤摘要】
硅电容及其制备方法、芯片及其制备方法


[0001]本申请属于电容
，具体涉及硅电容及其制备方法、芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前通常采用在封装基板的表面或背面贴电容的形成达到降低电容电压降的作用。但现在由于电容的焊点间距与封装基板上的焊球间距不同，导致随着封装基板上管脚密度的不断提高，采用传统贴装标准电容的方法，导致封装基板与焊盘之间需要重新走线互联，需要增加电容焊盘及走线，占用了很大的布线空间，导致芯片面积增加且电性能效果大幅下降。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本申请第一方面提供了一种硅电容，所述硅电容包括硅基体、及设于所述硅基体一侧且间隔设置的两个焊点，所述两个焊点之间的中心间距为预设距离，所述预设距离用于与封装基板中相邻的两个焊盘之间的中心间距相等。
[0004]本申请第一方面提供的硅电容，硅电容中的两个焊点用于焊接至封装基板中相邻的两个焊盘上，从而实现硅电容与封装基板的电连接。本申请通过调整两个焊点之间的中心间距，使两个焊点之间的中心间距与两个焊盘之间的中心间距相等，这样不仅可便于硅电容焊接至封装基板上，还可不影响封装基板中的走线设计，保障最短供电路径，不增大封装面积。避免由于封装基板中两个焊盘之间的中心间距与硅电容中两个焊点之间的中心间距不相等而增加封装基板的走线长度，从而增加芯片的整体尺寸。并且还可提高去耦效果与信号性能。
[0005]其中，所述预设距离为0.35mm或0.4mm。
[0006]其中，所述两个焊点中的任意一个所述焊点朝另一个所述焊点靠近，以使所述两个焊点之间的中心间距为所述预设距离；或者，所述两个焊点中的每个所述焊点均朝另一个所述焊点靠近，以使所述两个焊点之间的中心间距为所述预设距离。
[0007]其中，所述硅基体包括硅基体层、及设于所述硅基层一侧的重布线层，所述重布线层背离所述硅基体层的一侧设有两个连接部，每个所述焊点设置于一个所述连接部上，所述两个连接部之间的中心间距为所述预设距离。
[0008]本申请第二方面提供了一种硅电容的制备方法，所述制备方法包括：
[0009]提供晶圆；
[0010]在所述晶圆上依次进行溅射、电镀、植球，得到含有硅电容组的晶圆；
[0011]在所述含有硅电容组的晶圆的一侧表面进行半切割工艺；
[0012]对所述含有硅电容组的晶圆的另一侧表面进行研磨工艺，得到相互分离的多个硅电容；其中，每个所述硅电容包括硅基体、及设于所述硅基体一侧且间隔设置的两个焊点，所述两个焊点之间的中心间距为预设距离，所述预设距离用于与封装基板中相邻的两个焊盘之间的中心间距相等。
[0013]本申请第二方面提供了一种硅电容的划片流程，通过先把各芯片硅电容之间的划片槽切割一半深度，再通过研磨的手段划开各个硅电容，解决了超薄硅电容外形切割的问题，降低了硅电容的制备难度。并且通过上述制备工艺可制备出本申请上述实施方式提供的硅电容，从而使硅电容在焊接至封装基板上时两个焊点之间的中心间距与两个焊盘之间的中心间距相等，这样不仅可便于硅电容焊接至封装基板上，还可不影响封装基板中的走线设计，保障最短供电路径，不增大封装面积。避免由于封装基板中两个焊盘之间的中心间距与硅电容中两个焊点之间的中心间距不相等而增加封装基板的走线长度，从而增加芯片的整体尺寸。并且还可提高去耦效果与信号性能。
[0014]本申请第三方面提供了一种芯片，所述芯片包括封装基板、及如本申请第一方面提供的硅电容，所述封装基板包括衬底、设于所述衬底一侧且间隔设置的多个焊盘、以及设于所述衬底一侧且间隔设置的多个焊球，相邻两个所述焊盘之间的中心间距等于相邻两个所述焊球之间的中心间距、且等于所述硅电容中两个焊点之间的预设距离，所述焊点焊接于所述焊盘上。
[0015]本申请第三方面提供的芯片，通过采用本申请第一方面提供的硅电容可不增加芯片的整体尺寸，还可提高去耦效果与信号性能。
[0016]其中，所述焊点包括设置于所述硅电容中硅基体的基座、及设于所述基座背离所述硅基体一侧的焊接部，所述焊接部在所述衬底上的正投影位于所述焊盘内。
[0017]其中，所述焊接部在所述衬底上的正投影的中心与所述焊盘的中心相重合。
[0018]其中，在垂直于所述两个焊点的排布方向上，所述硅基体的宽度小于所述焊盘的宽度；或者，所述硅基体的宽度大于或等于所述焊盘的宽度。
[0019]本申请第四方面提供了一种芯片的制备方法，所述制备方法包括：
[0020]提供封装基板，在所述封装基板的一侧贴裸片；
[0021]对所述封装基板的一侧进行模塑工艺；
[0022]提供如本申请第一方面的硅电容，将所述硅电容焊接于所述封装基板的另一侧；
[0023]对焊接所述硅电容的封装基板进行切割工艺，得到芯片。
[0024]本申请第四方面提供的制备方法，通过采用本申请第一方面提供的硅电容可不增加芯片的整体尺寸，还可提高去耦效果与信号性能。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请实施方式中的技术方案，下面将对本申请实施方式中所需要使用的附图进行说明。
[0026]图1为本申请一实施方式中硅电容的结构示意图。
[0027]图2为本申请一实施方式中封装基板结构示意图。
[0028]图3为图1所示的硅电容与图2所示的封装基板相配合时的结构示意图。
[0029]图4为本申请一实施方式中硅电容的焊点的变化过程。
[0030]图5为本申请另一实施方式中硅电容的焊点的变化过程。
[0031]图6为本申请另一实施方式中硅电容的结构示意图。
[0032]图7为本申请一实施方式中硅电容的制备方法的工艺流程图。
[0033]图8为本申请一实施方式中芯片的俯视图。
[0034]图9为本申请另一实施方式中芯片的结构示意图。
[0035]图10为本申请另一实施方式中芯片的俯视图。
[0036]图11为本申请又一实施方式中芯片的俯视图。
[0037]图12为本申请一实施方式中芯片的制备方法的工艺流程图。
[0038]标号说明：
[0039]芯片
‑
1，硅电容
‑
10，硅基体
‑
11，硅基体层
‑
111，重布线层
‑
112，连接部
‑
1120，焊点
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12，基座
‑
121，焊接部
‑
122，封装基板
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20，衬底
‑
21，焊盘
‑
22，焊球
‑
23。
具体实施方式
[0040]以下是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。
[0041]在介绍本申请的技术方案之前本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅电容，其特征在于，所述硅电容包括硅基体、及设于所述硅基体一侧且间隔设置的两个焊点，所述两个焊点之间的中心间距为预设距离，所述预设距离用于与封装基板中相邻的两个焊盘之间的中心间距相等。2.如权利要求1所述的硅电容，其特征在于，所述预设距离为0.35mm或0.4mm。3.如权利要求1所述的硅电容，其特征在于，所述两个焊点中的任意一个所述焊点朝另一个所述焊点靠近，以使所述两个焊点之间的中心间距为所述预设距离；或者，所述两个焊点中的每个所述焊点均朝另一个所述焊点靠近，以使所述两个焊点之间的中心间距为所述预设距离。4.如权利要求3所述的硅电容，其特征在于，所述硅基体包括硅基体层、及设于所述硅基层一侧的重布线层，所述重布线层背离所述硅基体层的一侧设有两个连接部，每个所述焊点设置于一个所述连接部上，所述两个连接部之间的中心间距为所述预设距离。5.一种硅电容的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供晶圆；在所述晶圆上依次进行溅射、电镀、植球，得到含有硅电容组的晶圆；在所述含有硅电容组的晶圆的一侧表面进行半切割工艺；对所述含有硅电容组的晶圆的另一侧表面进行研磨工艺，得到相互分离的多个硅电容；其中，每个所述硅电容包括硅基体、及设于所述硅基体一侧且间隔设置的两个焊点，所述两个焊点之间的中心间距为预设距离，所述预设距离用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力，刘梦琪，刘志农，仇元红，
申请(专利权)人：展讯通信上海有限公司，
类型：发明
国别省市：