一种电磁屏蔽封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种电磁屏蔽封装结构，重布线层，重布线层上设置至少一个晶片；重布线层，重布线层上设置至少一个晶片；电磁屏蔽层，重布线层与电磁屏蔽层形成腔体；两个以上导电柱，每个导电柱的底部与重布线层相连接，顶部与电磁屏蔽层相连接，每个导电柱置于腔体内；每个晶片设置于至少两个导电柱之间。本实用新型专利技术在晶片两侧设计和重布线层相连的导电柱，导电柱底部与重布线层相连接，导电柱顶部与电磁屏蔽层相连接，形成一个完整的法拉第笼，赋予该先进封装单元电磁屏蔽效果，用于扇出型封装技术中，可使线路扇出超出晶片覆盖的区域在电磁屏蔽范围内，避免这个区域受到电磁干扰。干扰。干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种电磁屏蔽封装结构


[0001]本技术属于半导体
，尤其涉及一种电磁屏蔽封装结构。

技术介绍

[0002]近年来，扇出型晶片级封装(FO
‑
WLP)和扇出型面板级封装(FO
‑
PLP)以其高度的异构集成能力、小的形状因子和低的系统总成本在IC封装
获得了广泛关注。随着TSMC的“InFO”(集成扇出)FO
‑
WLP解决方案的大量采用，扇出型封装已从芯体扇出应用(例如基带，电源管理和RF收发器)转变为更高级的高密度扇出型应用。
[0003]电磁干扰源所产生的干扰信号在一些特定的情况下(比如在一些电磁环境比较恶劣的情况下)若无法有效消除，将会进入CPU/GP等高端处理器的核心单元，从而干扰大规模集成电路，其导致不能正常工作或在错误状态下工作。
[0004]但是在现有技术中，由于扇出型封装技术中的很多线路扇出超过了晶片覆盖区域，导致这一块区域会受到电磁干扰风险，亟需重新设计电磁屏蔽封装结构。
[0005]因此，亟需开发一种电磁屏蔽封装结构，解决线路扇出超过了晶片覆盖区域，导致这一块区域受到电磁干扰的问题。

技术实现思路

[0006]本技术提供了一种电磁屏蔽封装结构，用于扇出型封装技术中，可使线路扇出超出晶片覆盖的区域在电磁屏蔽范围内，避免这个区域受到电磁干扰。
[0007]第一方面，本技术提供了一种电磁屏蔽封装结构，包括：
[0008]重布线层(RDL)，所述重布线层上设置至少一个晶片(chip)；/>[0009]电磁屏蔽层，所述重布线层与所述电磁屏蔽层形成腔体；
[0010]两个以上导电柱，每个所述导电柱的底部与所述重布线层相连接，顶部与所述电磁屏蔽层相连接，每个所述导电柱置于所述腔体内；
[0011]每个所述晶片设置于至少两个所述导电柱之间。
[0012]根据本技术的一些实施例，所述导电柱的厚度大于位于所述导电柱之间的晶片厚度。
[0013]根据本技术的一些实施例，所述重布线层设有接地线，所述导电柱与所述重布线层的接地线相连。
[0014]根据本技术的一些实施例，所述腔体内设置有胶材。
[0015]根据本技术的一些实施例，所述胶材的厚度为200
‑
1000um。
[0016]根据本技术的一些实施例，所述导电柱的厚度为100
‑
500um。
[0017]根据本技术的一些实施例，所述晶片为方形，所述晶片的边长为0.5
‑
2mm。
[0018]根据本技术的一些实施例，所述导电柱的材质为Cu、Ag、Al或可导电合金材料中的任意一种。
[0019]根据本技术的一些实施例，所述胶材为环氧树脂注塑化合物(EMC)。
[0020]根据本技术的一些实施例，所述电磁屏蔽层的材质为Ti、Ta、W、Ni、Al、Cu中的任意一种。
[0021]根据本技术的一些实施例，所述重布线层下方还设置有焊料球。
[0022]根据本技术的一些实施例，所述导电柱的一端与重布线层相切，另一端与电磁屏蔽层相切，并且两个导电柱平行放置。
[0023]根据本技术的一些实施例，所述电磁屏蔽封装结构为扇出型电磁屏蔽封装结构。
[0024]本技术实施例包括：重布线层，重布线层上设置至少一个晶片；电磁屏蔽层，重布线层与电磁屏蔽层形成腔体；两个以上导电柱，每个导电柱的底部与重布线层相连接，顶部与电磁屏蔽层相连接，每个导电柱置于腔体内；每个晶片设置于至少两个导电柱之间。本技术在晶片两侧设计有导电柱，导电柱底部与重布线层相连接，导电柱顶部与电磁屏蔽层相连接，从而形成一个完整的法拉第笼，赋予该电磁屏蔽封装结构先进的电磁屏蔽效果，本技术的电磁屏蔽封装结构用于扇出型封装技术中，可使线路扇出超出晶片覆盖的区域在电磁屏蔽范围内，避免这个区域受到电磁干扰(FO
‑
PLP技术，线路的面积大于晶片覆盖的面积)。
附图说明
[0025]图1是本技术一个实施例提供的电磁屏蔽封装结构的主视图；
[0026]图2是本技术一个实施例提供的电磁屏蔽封装结构的俯视方向的剖面图。
具体实施方式
[0027]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0028]需要说明的是，虽然在装置示意图中进行了功能模块划分，在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于装置中的模块划分，或流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。说明书、权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“目标”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
[0029]本技术实施例包括：重布线层，重布线层上设置至少一个晶片；电磁屏蔽层，重布线层与电磁屏蔽层形成腔体；两个以上导电柱，每个导电柱的底部与重布线层相连接，顶部与电磁屏蔽层相连接，每个导电柱置于腔体内；每个晶片设置于至少两个导电柱之间。根据本实施例的技术方案，在晶片两侧设计和重布线层相连的导电柱，导电柱底部与重布线层相连接，导电柱顶部与电磁屏蔽层相连接，形成一个完整的法拉第笼，赋予该先进封装单元的电磁屏蔽效果，本技术的电磁屏蔽封装结构用于扇出型封装技术中，可使线路扇出超出晶片覆盖的区域在电磁屏蔽范围内，避免这个区域受到电磁干扰。
[0030]参照图1至图2，电磁屏蔽封装结构包括有：
[0031]重布线层50，重布线层上设置至少一个晶片40；
[0032]电磁屏蔽层10，重布线层50与电磁屏蔽层10形成腔体；
[0033]导电柱20，每个导电柱20的底部与重布线层50相连接，顶部与电磁屏蔽层10相连
接，每个导电柱20置于腔体内，每个晶片40设置于至少两个导电柱20之间。
[0034]在另一实施例中，每个导电柱20的厚度大于位于所述导电柱之间的晶片40厚度，以保证晶片40不与电磁屏蔽层10接触。
[0035]在另一实施例中，重布线层50设有接地线，每个导电柱20与重布线层的接地线相连。电磁屏蔽层10通过导电柱20和重布线层50内的接地线相连，形成一个完整的法拉第笼，赋予封装电磁屏蔽结构优异的电磁屏蔽效果。
[0036]在另一实施例中，腔体内设置有胶材30。利用胶材30将重布线层50、晶片40、导电柱20完全覆盖住，胶材填充了所述重布线层和所述电磁屏蔽层形成的腔体，使得凝固后的胶材能固定在所述腔体内的导电柱，使封装产品定型。
[0037]在另一实施例中，胶材30的厚度为200
‑
1000um。
[0038]在另一实施例中，导电柱20的厚度为100
‑
500um。
[0039]在另一实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽封装结构，其特征在于，包括：重布线层，所述重布线层上设置至少一个晶片；电磁屏蔽层，所述重布线层与所述电磁屏蔽层形成腔体；两个以上导电柱，每个所述导电柱的底部与所述重布线层相连接，顶部与所述电磁屏蔽层相连接，每个所述导电柱置于所述腔体内；每个所述晶片设置于至少两个所述导电柱之间。2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述导电柱的厚度大于位于所述导电柱之间的晶片厚度。3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述重布线层设有接地线，所述导电柱与所述重布线层的接地线相连。4.根据权利要求1所述的电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述腔体内设置有胶材。5.根据权利要求4所述的电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述胶材的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小波，张晓军，陈志强，方安安，姜鹭，
申请(专利权)人：深圳市矩阵多元科技有限公司，
类型：新型
国别省市：