本实用新型专利技术涉及磷化铟加工技术领域，公开了一种磷化铟晶体生长除杂装置，所述第一传动轴的轴杆外侧套设有第一搅拌扇叶，所述第二传动轴的轴杆外侧套设有第二搅拌扇叶，所述积水槽的腔体内部沿其周向排布设置有包裹于第二搅拌扇叶外侧且正对于拨水槽槽口处的多组分隔框架，且分隔框架的内部放置有置料斗。本实用新型专利技术传动机构驱动除杂清洗机构两组搅拌扇叶的同步运转，利用两组搅拌扇叶的同步运转，能够驱动水流以对流的方式，对置料斗内磷化铟晶体进行对流冲刷式除杂清洗工作，其一方面能够提高清洗除杂效率，节省清洗除杂时长，另一方面能够确保磷化铟晶体的清洗除杂全面性。方面能够确保磷化铟晶体的清洗除杂全面性。方面能够确保磷化铟晶体的清洗除杂全面性。
【技术实现步骤摘要】
一种磷化铟晶体生长除杂装置
[0001]本技术涉及磷化铟加工
，特别涉及一种磷化铟晶体生长除杂装置。
技术介绍
[0002]磷化铟是一种化学物质，是沥青光泽的深灰色晶体，主要用作半导体材料，用于光纤通讯技术，通常采用高压单晶炉制备磷化铟，然而在利用磷化铟晶体生长炉合成晶体的过程中，其晶体往往带有一些絮状的杂质，无论是测定结构还是表征性质，都需要把晶体与其它杂质分开，例如现有专利技术所示：经检索，中国专利网公开了一种磷化铟晶体生长除杂装置(公开公告号CN213287900U)，此类装置通过操作控制台启动电动推杆向下延伸推动层板，当传动杆位于水箱顶部开设的开口内侧时关闭电动推杆，此时隔网位于水箱的内部，然后启动驱动马达带动侧板旋转，从而对磷化铟晶体进行除杂。
[0003]但是，针对上述公开专利以及现有市场所采取的磷化铟晶体除杂装置，还存在一些不足之处：此类利用电动推杆推动隔网下移，将晶体推送至水箱内部进行清洗的方式，由于隔网为固定结构形式，其一方面上下料较为困难，对于磷化铟晶体的取放较为不便捷，另一方面利用电动推杆推动隔网下移至水箱内部进行清洗的方式，操作较为繁琐，无法精准的控制隔网的下移量，导致磷化铟晶体极易出现除杂清洗不全面的情况。为此，本领域技术人员提供了一种磷化铟晶体生长除杂装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
技术实现思路
[0004]本技术的主要目的在于提供一种磷化铟晶体生长除杂装置，可以有效解决
技术介绍
中现有对于磷化铟晶体除杂清洗的方式，一方面上下料较为困难，对于磷化铟晶体的取放较为不便捷，另一方面利用电动推杆推动隔网下移至水箱内部进行清洗的方式，操作较为繁琐，无法精准的控制隔网的下移量，导致磷化铟晶体极易出现除杂清洗不全面的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术采取的技术方案为：一种磷化铟晶体生长除杂装置，包括除杂箱，所述除杂箱的箱体上半部设置有除杂清洗机构，且除杂箱的箱体下半部设置有传动机构；
[0006]所述除杂清洗机构包括开设在除杂箱箱体上半部的积水槽，所述积水槽为环形结构，且积水槽的内壁沿其周向排布开设有多组拨水槽，所述拨水槽的腔体内部转动连接有第一传动轴，且第一传动轴的轴杆外侧套设有第一搅拌扇叶，所述积水槽的腔体中部转动连接有第二传动轴，且第二传动轴的轴杆外侧套设有第二搅拌扇叶，所述积水槽的腔体内部沿其周向排布设置有包裹于第二搅拌扇叶外侧且正对于拨水槽槽口处的多组分隔框架，且分隔框架的内部放置有置料斗。
[0007]作为本技术再进一步的方案：所述置料斗包括置料架，所述置料架的框架之间安装有置料网框，且置料架的顶部框架对称安装有两组提拉把手。
[0008]作为本技术再进一步的方案：所述分隔框架与拨水槽的数量相同，且分隔框
架与拨水槽相互一一对应。
[0009]作为本技术再进一步的方案：所述传动机构包括安装在除杂箱下半部的驱动电机、连接在多组第一传动轴底部输出端的传动带以及安装在第二传动轴底部输出端的传动齿轮，所述驱动电机的上半部输出端设置有与传动齿轮相啮合的驱动齿轮，且驱动电机的下半部输出端与传动带连接。
[0010]作为本技术再进一步的方案：多组所述第一传动轴的底部输出端均设置有皮带轮B，所述驱动电机的下半部输出端设置有皮带轮A，且皮带轮A与皮带轮B之间通过传动带连接。
[0011]作为本技术再进一步的方案：所述驱动齿轮的齿盘大小为传动齿轮齿盘大小的三分之一。
[0012]作为本技术再进一步的方案：所述除杂箱的箱体下半部位于一侧位置处安装有与积水槽连通的注水泵，且除杂箱的箱体下半部位于另一侧位置处安装有与积水槽连通的抽水泵。
[0013]与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：
[0014]1.本技术通过置料斗与分隔框架的组合对应，具有简单、便捷的取放性能，工作人员只需将磷化铟晶体放入置料斗内，而后放入分隔框架内，即可进行上料除杂清洗工作，且在除杂清洗完毕后，只需将置料斗提出，即可对磷化铟晶体进行取料，操作便捷的同时，效率又更为高效。
[0015]2.本技术传动机构驱动除杂清洗机构两组搅拌扇叶的同步运转，利用两组搅拌扇叶的同步运转，能够驱动水流以对流的方式，对置料斗内磷化铟晶体进行对流冲刷式除杂清洗工作，其一方面能够提高清洗除杂效率，节省清洗除杂时长，另一方面能够确保磷化铟晶体的清洗除杂全面性。
附图说明
[0016]图1为本技术一种磷化铟晶体生长除杂装置的结构示意图；
[0017]图2为本技术一种磷化铟晶体生长除杂装置的平面示意图；
[0018]图3为本技术一种磷化铟晶体生长除杂装置中除杂清洗机构的结构示意图；
[0019]图4为本技术一种磷化铟晶体生长除杂装置中传动机构的结构示意图；
[0020]图5为本技术一种磷化铟晶体生长除杂装置中置料斗的结构示意图。
[0021]图中：1、除杂箱；2、封闭端盖；3、积水槽；4、拨水槽；5、第一搅拌扇叶；6、第二搅拌扇叶；7、分隔框架；8、网板；9、置料斗；91、置料架；92、提拉把手；93、置料网框；10、第一传动轴；11、第二传动轴；12、注水泵；13、抽水泵；14、传动齿轮；15、驱动齿轮；16、驱动电机；17、传动带；18、皮带轮A；19、皮带轮B。
具体实施方式
[0022]为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本技术。
[0023]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关
系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0024]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0025]请参照图1
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5所示，一种磷化铟晶体生长除杂装置，包括除杂箱1，除杂箱1的箱体上半部设置有除杂清洗机构，除杂清洗机构包括开设在除杂箱1箱体上半部的积水槽3，积水槽3的腔体内部沿其周向排布设置有包裹于第二搅拌扇叶6外侧且正对于拨水槽4槽口处的多组分隔框架7，且分隔框架7的内部放置有置料斗9，置料斗9包括置料架91，置料架91的框架之间安装有置料网框93，且置料架91的顶部框架对称安装有两组本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种磷化铟晶体生长除杂装置，包括除杂箱(1)，其特征在于，所述除杂箱(1)的箱体上半部设置有除杂清洗机构，且除杂箱(1)的箱体下半部设置有传动机构；所述除杂清洗机构包括开设在除杂箱(1)箱体上半部的积水槽(3)，所述积水槽(3)为环形结构，且积水槽(3)的内壁沿其周向排布开设有多组拨水槽(4)，所述拨水槽(4)的腔体内部转动连接有第一传动轴(10)，且第一传动轴(10)的轴杆外侧套设有第一搅拌扇叶(5)，所述积水槽(3)的腔体中部转动连接有第二传动轴(11)，且第二传动轴(11)的轴杆外侧套设有第二搅拌扇叶(6)，所述积水槽(3)的腔体内部沿其周向排布设置有包裹于第二搅拌扇叶(6)外侧且正对于拨水槽(4)槽口处的多组分隔框架(7)，且分隔框架(7)的内部放置有置料斗(9)。2.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶体生长除杂装置，其特征在于，所述置料斗(9)包括置料架(91)，所述置料架(91)的框架之间安装有置料网框(93)，且置料架(91)的顶部框架对称安装有两组提拉把手(92)。3.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶体生长除杂装置，其特征在于，所述分隔框架(7)与拨水槽(4)的数量相同，且分隔框架(7)与拨...
【专利技术属性】
技术研发人员：李雪峰，郑东，周一，
申请(专利权)人：青岛立昂晶电半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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