本发明专利技术涉及半导体领域，本发明专利技术公开了基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，包括：基于污染信息将待清洗晶片划分入N个待清洗晶片批次中；根据污染物集合与清洗液成分配比的预设关系，确定清洗液成分配比；获取晶片尺寸规格，基于晶片尺寸规格、污染物集合、污染程度系数、待清洗晶片的数量、清洗液成分配比和预配置第一参数控制预测模型，获取第一参数控制量；获取成分配比后清洗液的设定温度，基于清洗液的设定温度、污染程度系数、待清洗晶片的数量、第一参数控制量和预配置第二参数控制预测模型，获取第二参数控制量；本发明专利技术有利于提高清洗效率，节约清洗能耗。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，更具体地说，本专利技术涉及基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法。
技术介绍
1、磷化铟晶片，指的是铟磷化物（indium phosphide，inp）晶片，其由铟（in）和磷（p）元素组成；因其优越的电学性能，得到广泛应用；在磷化铟晶片生产过程中，会产生很多切削杂质和添加的化学品的残留，同时半导体制造过程中不然会沾染一些灰尘和微粒；这些杂质会显著影响芯片的功能和寿命，因此需要磷化铟晶片生产工序之间穿插大量清洗环节；当前晶片清洗方式主要包括单片清洗和槽式清洗；槽式清洗是把晶片直接批量地浸泡在化学溶剂当中，采用超声波或者兆声波等振动方式将杂质清洗干净，相较于单片清洗，槽式清洗具备批量生产的高生产率，能够有效节省成本，被广泛应用于晶片清洗工序中；然而，现有方式在利用槽式清洗在对磷化铟晶片进行批量清洗时，由于缺乏对于不同晶片状态或情况的细分，导致不同磷化铟晶片的清洗效果偏差较大，且易增加清洗能耗；因此，有必要提供一种基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法以满足如今磷化铟晶片的生产需求。
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【技术保护点】
1.基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，其特征在于，所述污染物集合的确定逻辑如下：
3.根据权利要求2所述的基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，其特征在于，所述污染程度系数的确定逻辑如下：
4.根据权利要求3所述的基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，其特征在于，所述将每个所述待清洗晶片依次划分入N个待清洗晶片批次中，包括：
5.根据权利要求4所述的基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，其...
【技术特征摘要】
1.基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，其特征在于，所述污染物集合的确定逻辑如下：
3.根据权利要求2所述的基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，其特征在于，所述污染程度系数的确定逻辑如下：
4.根据权利要求3所述的基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，其特征在于，所述将每个所述待清洗晶片依次划分入n个待清洗晶片批次中，包括：
5.根据权利要求4所述的基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，其特征在于，所述预配置第...
【专利技术属性】
技术研发人员：李雪峰，肖迪，囤国超，
申请(专利权)人：青岛立昂晶电半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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