用于调整内存装置的参考电压信号的电压控制电路制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电压控制电路。电压控制电路用以调整内存装置的参考电压信号。参考电压信号的电压值对应于温度具有负斜率。电压控制电路包括第一平移电路、调整电路以及第二平移电路。第一平移电路接收参考电压信号，并基于参考电压信号的高温电压值来向下平移参考电压信号的电压电平以产生具有所述负斜率的第一电压信号。调整电路依据对应于参考电压信号的低温电压值的第一修整值以及对应于高温电压值的第二修整值来将第一电压信号的负斜率调整为预设负斜率，从而产生第二电压信号。第二平移电路基于参考电压值来向上平移第二电压信号的电压电平以产生经调整的参考电压信号。号。号。

【技术实现步骤摘要】
用于调整内存装置的参考电压信号的电压控制电路


[0001]本专利技术是有关于一种电压控制电路，且特别是有关于一种用于调整内存装置的参考电压信号的电压控制电路。

技术介绍

[0002]就内存装置的性能而言，内存装置的参考电压信号需要具备温度相依性。举例来说，基于严格的写入时间长度的规范，内存装置在低温环境下需要高操作电压。基于性赖性以及低漏电的规范，内存装置在高温环境下在高温下需要低操作电压。因此，参考电压信号在低温环境下的低温电压值被设计以高于在高温环境下的高温电压值。参考电压信号的电压值基于温度具有呈现负斜率。
[0003]然而，基于制造工艺的差异，不同内存装置的参考电压信号的负斜率可能会有差异。参考电压信号的差异可能对搭载不同内存装置的不同电子装置的操作发生差异。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种电压控制电路，能够将内存装置的参考电压信号的负斜率调整为预设负斜率。
[0005]本专利技术的电压控制电路用以调整内存装置的参考电压信号。参考电压信号的电压值对应于温度具有负斜率。电压控制电路包括第一平移电路、调整电路以及第二平移电路。第一平移电路接收参考电压信号，并基于参考电压信号的高温电压值来向下平移参考电压信号的电压电平以产生具有所述负斜率的第一电压信号。调整电路耦接于第一平移电路。调整电路接收第一电压信号、对应于参考电压信号的低温电压值的第一修整值以及对应于高温电压值的第二修整值，并依据第一修整值以及第二修整值来将负斜率调整为预设负斜率，从而产生第二电压信号。第二平移电路耦接于调整电路。第二平移电路基于参考电压值来向上平移第二电压信号的电压电平以产生经调整的参考电压信号。
[0006]基于上述，本专利技术的电压控制电路能够基于参考电压信号的高温电压值来向下平移参考电压信号以产生第一电压信号，并基于参考电压信号的高温电压值以及低温电压值来将参考电压信号的负斜率调整为预设负斜率，从而产生第二电压信号。接下来，电压控制电路还基于参考电压值来向上平移第二电压信号以产生经调整的参考电压信号。电压控制电路能够使具有不同负斜率的多个参考电压信号调整为具有相同预设负斜率的多个参考电压信号。如此一来，参考电压信号的温度相依性能够一致。
[0007]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
[0008]图1是依据本专利技术第一实施例所绘示的电压控制电路的示意图。
[0009]图2是依据本专利技术一实施例所绘示的参考电压信号的调整示意图。
[0010]图3是依据本专利技术第二实施例所绘示的电压控制电路的示意图。
[0011]图4是依据本专利技术一实施例所绘示的感测电路的示意图。
[0012]图5是依据本专利技术一实施例所绘示的依据低温电压值、高温电压值来调整负斜率的示意图。
具体实施方式
[0013]本专利技术的部份实施例接下来将会配合附图来详细描述，以下的描述所引用的元件符号，当不同附图出现相同的元件符号将视为相同或相似的元件。这些实施例只是本专利技术的一部份，并未揭示所有本专利技术的可实施方式。更确切的说，这些实施例只是本专利技术的专利申请范围中的范例。
[0014]请参考图1，图1是依据本专利技术第一实施例所绘示的电压控制电路的示意图。电压控制电路100用以调整内存装置的参考电压信号VBEREF。在本实施例中，参考电压信号VBEREF的电压值对应于温度具有负斜率SL。一般来说，在低温环境下的参考电压信号VBEREF的电压值会高于在高温环境下的参考电压信号VBEREF的电压值。此外，负斜率SL被设计为单一斜率。在本实施例中，电压控制电路100包括第一平移电路110、调整电路120以及第二平移电路130。第一平移电路110接收参考电压信号VBEREF，并基于参考电压信号VBEREF的高温电压值VTH来向下平移参考电压信号VBEREF的电压电平以产生第一电压信号VA。第一电压信号VA也具有相同的负斜率SL。
[0015]在本实施例中，调整电路120耦接于第一平移电路110。调整电路120接收第一电压信号VA、对应于参考电压信号VBEREF的低温电压值的第一修整值TRIM1以及对应于高温电压值VTH的第二修整值TRIM2，并依据第一修整值TRIM1以及第二修整值TRIM2来将第一电压信号VA的负斜率SL调整为预设负斜率DSL，从而产生第二电压信号VB。因此，第二电压信号VB具有负斜率DSL。
[0016]在本实施例中，第二平移电路130耦接于调整电路120。第二平移电路130基于参考电压值VR来向上平移第二电压信号VB的电压电平以产生经调整的参考电压信号VBEREF
’
。
[0017]在此值得一提的是，电压控制电路100能够使参考电压信号VBEREF转换为具有预设负斜率DSL的参考电压信号VBEREF
’
。如此一来，基于相同的预设负斜率DSL，不同内存装置内部的参考电压信号的温度相依性能够一致。
[0018]请同时参考图1以及图2，图2是依据本专利技术一实施例所绘示的参考电压信号的调整示意图。波形图C1示出了3个参考电压信号VBEREF1～VBEREF3。在本实施例中，参考电压信号VBEREF1～VBEREF3例如分别具有不同的负斜率。在本实施例中，参考电压信号VBEREF1在低温TL下具有低温电压值VTL1。参考电压信号VBEREF1在高温TH下具有低温电压值VTH1。在本实施例中，低温TL例如是
‑
20℃。高温TH例如是100℃。参考电压信号VBEREF2在低温TL下具有低温电压值VTL2。参考电压信号VBEREF2在高温TH下具有低温电压值VTH2。参考电压信号VBEREF3在低温TL下具有低温电压值VTL3。参考电压信号VBEREF3在高温TH下具有低温电压值VTH3。
[0019]波形图C2示出了第一平移电路110对具有不同的负斜率的参考电压信号VBEREF1～VBEREF3进行向下平移的结果。在本实施例中，当第一平移电路110接收到参考电压信号VBEREF1时，第一平移电路110会基于高温电压值VTH1来向下平移参考电压信号VBEREF1的
电压电平以产生电压信号VA1。电压信号VA1的负斜率相同于参考电压信号VBEREF1的负斜率。当第一平移电路110接收到参考电压信号VBEREF2时，第一平移电路110会基于高温电压值VTH2来向下平移参考电压信号VBEREF2的电压电平以产生电压信号VA2。电压信号VA2的负斜率相同于参考电压信号VBEREF2的负斜率。当第一平移电路110接收到参考电压信号VBEREF3时，第一平移电路110会基于高温电压值VTH3来向下平移参考电压信号VBEREF3的电压电平以产生电压信号VA3。电压信号VA3的负斜率相同于参考电压信号VBEREF3的负斜率。因此，第一电压信号VA1～VA3在高温TH下具有相同的高温电压值(例如是0伏特)。
[0020]波形图C3示出了调整电路120对第一电压信号本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电压控制电路，用以调整一内存装置的一参考电压信号，其中该参考电压信号的电压值对应于温度具有一负斜率，其中该电压控制电路包括：一第一平移电路，经配置以接收一参考电压信号，并基于该参考电压信号的一高温电压值来向下平移该参考电压信号的电压电平以产生具有该负斜率的一第一电压信号；一调整电路，耦接于该第一平移电路，经配置以接收该第一电压信号、对应于该参考电压信号的一低温电压值的一第一修整值以及对应于该高温电压值的一第二修整值，并依据该第一修整值以及该第二修整值来将该负斜率调整为一预设负斜率，从而产生一第二电压信号；以及一第二平移电路，耦接于该调整电路，经配置以基于一参考电压值来向上平移该第二电压信号的电压电平以产生经调整的该参考电压信号。2.如权利要求1所述的电压控制电路，其中该第一平移电路包括：一模拟减法器，经配置以将该参考电压信号的电压值减去该高温电压值以产生该第一电压信号。3.如权利要求1所述的电压控制电路，其中该第二平移电路包括：一模拟加法器，经配置以将该第二电压信号的电压值加上该参考电压值以产生经调整的该参考电压信号。4.如权利要求1所述的电压控制电路，其中该调整电路对该第一修整值与该第二修整值进行加总以产生一调整值，并依据该调整值来将该负斜率调整为该预设负斜率。5.如权利要求4所述的电压控制电路，其中该调整电路包括：一运算电路，经配置以接收该第一修整值以及该第二修整值，对该第一修整值以及该第二修整值进行逻辑加法运算以产生该调整值；以及一增益电路，耦接于该运算电路以及该第一平移电路，经配置以接收该第一电压信号，并反应于该调整值来调整该负斜率。6.如权利要求5所述的电压控制电路，其中该增益电路包括：一放大器，该放大器的第一输入端耦接于该第一平移电路；以及一可调式分压电路，耦接于该放大器的第二输入端、该放大器的输出端以及该运算电路，经配置以反应于该调整值来调整位于该放大器的第二输入端与该放大器的输出端之间的一第一分压电阻值以及位于该放大器的第二输入端与一低电压源之间的一第二分压电阻值的至少其中之一，其中该放大器基于该第一分压电阻值以及该第二分压电阻值来调整该负斜率。7.如权利要求5所述的电压控制电路，其中：该调整值越大，表示该负斜率越小，当该负斜率小于该预设负斜率时，该增益电路增加该负斜率以产生该预设负斜率，...

【专利技术属性】
技术研发人员：广田彰宏，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：