【技术实现步骤摘要】
电流源简并点过渡控制电路、芯片及电流源、电子设备
[0001]本专利技术涉及电流源电路
,具体涉及一种电流源简并点过渡控制电路、芯片及电流源、电子设备。
技术介绍
[0002]低功耗电流源通常应用在低功耗芯片中,用于为整个芯片及后级电路进行供电。要求电路还需满足电源电压有较宽的变化范围内均保持低功耗的属性,且输出的电流不随电源电压的变化而变化。
[0003]低功耗电流源通常存在两种工作状态的简并点,具体而言,电流源从电流零点的稳定状态过渡到电源稳定输出的稳定状态,为实现电流源工作状态的平稳过渡,通常需要加入启动电路来提供启动偏置,请参考图1,图1为现有技术中的一种电流源电路原理示意图,电路通过晶体管M1和晶体管M2对外提供N型电流源;晶体管M3和晶体管M4构成的电流镜实现对外提供P型电流源。该电流源通过晶体管M5来提供启动偏置,以使电流源摆脱启动时的简并点,从电流零点的稳定状态过渡到电源稳定输出的稳定状态,具体而言,在电源VDD上电时晶体管M5打开,连通晶体管M3、M4的栅极和晶体管M1和M2栅极,由此为电流镜提供偏置电压,在电流镜输出稳定后需关闭晶体管M5才不影响电流源的输出。由于低功耗应用下电源的变化范围较大(1V~5.5V),在不同的电源电压下节点a的电压Va=VDD
‑
VGS
M4
,节点b的电压Vb=VGS
M1
,当电源电压越大;Va与Vb的差值越大,将导致电流镜的镜像失调较大,所以该电路的电流精度随电源电压的变化变化较大。
[000 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电流源简并点过渡控制电路,其特征在于,包括:第一电流镜支路(1)和第二电流镜支路(2),所述第一电流镜支路(1)和所述第二电流镜支路(2)镜像连接构成电流镜,以接收电源(VDD);所述第一电流镜支路(1)的低电位端和所述第二电流镜支路(2)的低电位端接地(GND);电流过渡模块(3),其输入端连接至所述第一电流镜支路(1)的电源输入端,所述电流过渡模块(3)的输出端连接至所述第一电流镜支路(1)中P型晶体管和N型晶体管的连接点,所述电流过渡模块(3)的控制端连接至所述电源(VDD);所述电流过渡模块(3)的输入端和输出端在所述电流过渡模块(3)控制端的控制电压小于阈值时连通,在所述控制电压大于阈值时断开;其中,所述电流过渡模块(3)由有源器件实现;当所述第一电流镜支路(1)的电源输入端接收到电源(VDD)时,电流在所述电流过渡模块(3)的输入端和输出端之间流通,以为所述第一电流镜支路(1)提供偏置电流;当所述控制电压超过阈值时,所述电流过渡模块(3)断开所述电流过渡模块(3)的输入端和输出端,以使所述第一电流镜支路(1)和所述第二电流镜支路(2)工作在输出稳定电源的状态。2.如权利要求1所述的电流源简并点过渡控制电路,其特征在于,还包括:上拉电阻(R2),其一端连接至电源(VDD),所述第一电流镜支路(1)的电源输入端和所述第二电流镜支路(2)的电源输入端连接至所述上拉电阻(R2)的另一端,以接收电源(VDD);所述电流过渡模块(3)的控制端连接至所述上拉电阻(R2)的另一端,以经由所述上拉电阻(R2)连接至所述电源(VDD);所述上拉电阻(R2)的另一端的电位为所述电流过渡模块(3)提供所述控制电压。3.如权利要求1或2所述的电流源简并点过渡控制电路,其特征在于,所述电流过渡模块(3)包括:过渡晶体管(MN4),其阈值电压为负值,所述过渡晶体管(MN4)的第一极为所述电流过渡模块(3)的输入端,所述渡晶体管(MN4)的第二极为所述电流过渡模块(3)的输出端。4.如权利要求1或2所述的电流源简并点过渡控制电路,其特征在于,还包括:增益放大模块(4),其一端连接至所述第一电流镜支路(1)和所述第二电流镜支路(2)的电源输入端,所述增益放大模块(4)的另一端接地,用于增大所述电流镜的负反馈环路增益。5.如权利要求4所述的电流源简并点过渡控制电路,其特征在于,所述第一电流镜支路(1)包括:第一P型晶体管(MP1)和第一N型晶体管(MN1);所述第二电流镜支路(2)包括:第三P型晶体管(MP3)和第三N型晶体管(MN3);所述第一P型晶体管(MP1)的第一极为所述第一电流镜支路(1)的电源输入端,所述第一P型晶体管(MP1)的第二极连接至所述第一N型晶体管(MN1)的第一极,所述第一N型晶体管(MN1)的第二极接地;所述第三P型晶体管(MP3)的第一极为所述第二电流镜支路(2)的电源输入端,所述第三P...
【专利技术属性】
技术研发人员:伍滔,
申请(专利权)人:深圳市思远半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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