【技术实现步骤摘要】
一种MoCVD系统磁流体密封装置
[0001]本技术涉及MoCVD系统
,特别涉及一种MoCVD系统磁流体密封装置。
技术介绍
[0002]MOCVD是1968年由美国洛克威公司的manasevit等人提出制备化合物单晶薄膜的一项新技术,MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术,在金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术中,反应气体在升高的温度下在反应器中结合以引起化学相互作用,将材料沉积在基板上,在MOCVD中,将超纯气体注入反应器中并精细计量以将非常薄的原子层沉积到半导体晶片上,在MOCVD系统中需要磁流体密封装置用于密封。
[0003]根据公示的一种空心轴磁流体密封装置(公开号:CN216768353U),上述申请中过设置的储水腔、进水管和出水管,通过进水管和出水管可以向外筒的储水腔的内部加入冷却水,使得冷却水能够对磁流体密封装置进行冷却,进而实现了防止空心轴磁流体密封装置因过热损坏的现象发生。
[0004]但是上述设备在实际使用过程中,通过在储水腔的内部灌入冷 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MoCVD系统磁流体密封装置,包括内筒(1),所述内筒(1)的外部设置有外筒(2),所述外筒(2)的外壁贯穿设置有进水管(3),所述进水管(3)的底部设置有储水腔(4),其特征在于:所述储水腔(4)的内部设置有冷却机构,所述冷却机构包括有:电机(5),所述外筒(2)的一端固定连接有电机(5)的一端,所述电机(5)的输出端固定连接有转轴(6)的一端,所述转轴(6)的一侧固定连接有搅拌叶(7)的一端;套环(8),所述转轴(6)的外部设置有套环(8),所述套环(8)的一侧固定连接有安装块(9)的一侧,所述安装块(9)的另一侧转动连接有转杆(10)的一端;混合杆(11),所述转杆(10)的一侧固定连接有混合杆(11)的一侧,所述混合杆(11)的外部设置有接触杆(12)。2.根据权利要求1所述的一种Mo...
【专利技术属性】
技术研发人员:雷世友,张松华,
申请(专利权)人:杭州铂利雅精密机械有限公司,
类型:新型
国别省市:
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