一种陶瓷线路板及半导体器件组合结构制造技术

本申请公开了一种陶瓷线路板及半导体器件组合，陶瓷线路板包括陶瓷基板及设置于陶瓷基板的导电层，导电层包括导电种子层、金属过渡层及烧结层，陶瓷基板具有沿厚度方向相对的第一面和第二面，导电种子层设置在陶瓷基板上，金属过渡层设置在导电种子层上，烧结层设置在金属过渡层上。本申请通过烧结银层或烧结金层的烧结层增厚导电层，导电层厚度可达200微米以上，不仅满足了承载更大电流的高功率半导体器件的需求，而且相较电镀加厚导电层，烧结层增厚导电层的工艺更简单，成本更低。成本更低。成本更低。

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷线路板及半导体器件组合结构


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种陶瓷线路板及包括陶瓷线路板的半导体器件组合结构。

技术介绍

[0002]高功率半导体器件如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)，主要用于控制电流和电压的转换，由于IGBT需要承受大电流和高温，相应产生的热量也会急剧增加，因此需要使用高性能基板，例如导电层厚度厚、导热系数高的基板来支撑其工作。
[0003]现有技术中，通常采用直接镀铜陶瓷基板制程技术(DPC，即，Direct Plating Copper)或直接覆铜陶瓷基板制程技术(DBC，即，Direct Bonding Copper)等方式得到导电的陶瓷线路板结构。DPC工艺中利用真空镀膜的方式在陶瓷基板上溅镀一金属种子层薄膜，再以电镀的方式在其上形成一定厚度的导电金属过渡层，接着再以蚀刻制程以完成铜电路的制作，然而，此技术产生的铜电路厚度通常不超过100μm。DBC工艺中利用铜的含氧共晶液直接将一定厚度的铜片贴合在陶瓷基板上，在铜与陶瓷基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷线路板，包括陶瓷基板(10)及设置于所述陶瓷基板(10)的导电层(13)，所述陶瓷基板(10)具有沿厚度方向相对的第一面和第二面，其特征在于，所述导电层(13)包括：导电种子层(20)，所述导电种子层(20)设置在所述陶瓷基板(10)的第一面和/或第二面；金属过渡层(30)，所述金属过渡层(30)设置在所述导电种子层(20)上；烧结层(50)，所述烧结层(50)设置在所述金属过渡层(30)上，所述烧结层(50)是烧结银层或烧结金层。2.根据权利要求1所述的一种陶瓷线路板，其特征在于，所述导电层(13)还包括结合层(40)，所述结合层(40)设置于所述金属过渡层(30)和所述烧结层(50)之间，所述结合层(40)为镀银层或镀金层。3.根据权利要求2所述的一种陶瓷线路板，其特征在于，当所述烧结层(50)是烧结银层时，所述结合层(40)为所述镀银层，所述镀银层的一部分银嵌入所述金属过渡层(30)，所述金属过渡层(30)的一部分金属嵌入所述镀银层；当所述烧结层(50)是烧结金层时，所述结合层(40)为所述镀金层，所述镀金层的一部分金嵌入所述金属过渡层(30)，所述金属过渡层(30)的一部分金属嵌入所述镀金层。4.根据权利要求2所述的一种陶瓷线路板，其特征在于，所述导电层(13)的厚度为200
‑
1000μm。5.根据权利要求2或4所述的一种陶瓷线路板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：余乐，刘星星，诸渊臻，
申请(专利权)人：池州昀海表面处理科技有限公司，
类型：新型
国别省市：