【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷热沉及其组合
[0001]本专利技术涉及激光器件
，尤其涉及一种陶瓷热沉及其组合
。
技术介绍
[0002]半导体激光器是一种利用半导体材料产生的受激辐射而工作的激光器，半导体激光器具有小型化
、
低功耗
、
高效率
、
高速调制和长寿命等优点
。
半导体激光器广泛应用于光通信
、
激光打印与扫描
、
医疗技术
、
材料加工和光信息处理等领域
。
[0003]现有技术中，陶瓷热沉的线路层与半导体器件连接，线路层为整体式的平板状结构
。
但是陶瓷热沉加载直流电
、
交流电或脉冲电流时，由于电流通过线路层时产生的趋肤效应，线路层的电流分布不均匀，电流集中在线路层的“皮肤”部分
。
也就是说，当电流流过线路层时，电流会集中在线路层临近外表的薄层，而且电流频率愈高时，临近深度将会愈小，电流越靠近线路层表面，电流密度越大，而线路层内部实际通...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种陶瓷热沉，用于连接半导体器件，其特征在于，包括：陶瓷基材，所述陶瓷基材具有沿所述陶瓷热沉厚度方向相对设置的第一面和第二面；线路层，所述线路层包括设置在所述陶瓷基材的第一面以连接所述半导体器件的上线路层；其中，所述上线路层包括若干间隔设置的凹槽
。2.
根据权利要求1所述的陶瓷热沉，其特征在于，所述上线路层包括分割区域，若干间隔设置的所述凹槽设置于所述分割区域
。3.
根据权利要求2所述的陶瓷热沉，其特征在于，所述上线路层还包括对应于所述半导体器件的保留区域，所述保留区域呈整体式的板状结构，所述分割区域与对应的保留区域一体连接
。4.
根据权利要求3所述的陶瓷热沉，其特征在于，所述凹槽呈长条状并将所述上线路层分割成梳齿状的若干子线路层，或者，所述凹槽呈孔状并将所述上线路层分割成网格状
。5.
根据权利要求4所述的陶瓷热沉，其特征在于，所述凹槽贯穿所述上线路层至所述陶瓷基材的第一面
。6.
根据权利要求4所述的陶瓷热沉，其特征在于，所述凹槽不贯穿所述上线路层，所述上线路层包括位于凹槽下方的底壁及位于凹槽两侧的侧壁，所述凹槽由所述底壁和所述侧壁围设形成
。7.
根据权利要求6所述的陶瓷热沉，其特征在于，所述上线路层包括位于凹槽下方的第一分线路层及叠置在第一分线路层上的第二分线路层，所述底壁形成在所述第一分线路层，所述侧壁形成在所述第二分线路层，所述第一分线路层与所述陶瓷基材接触且为整体式的板状结构
。8.
根据权利要求4所述的陶瓷热沉，其特征在于，若干所述子线路层的端部之间相互连接，以使若干所述子线路层形成线路并联的电流回路
。9.
根据权利要求4所述的陶瓷热沉，其特征在于，所述上线路层包括同时在所述陶瓷基材的第一面间隔设置的第一上线路层和第二上线路层，所述第一上线路层和第二上线路层均包括所述分割区域
。10.
根据权利要求9所述的陶瓷热沉，其特征在于，所述第一上线路层分割形成多个第一子线路层，所述第二上线路层分割形成多个第二子线路层，多个所述第一子线路层设有相对的第一端部和第二端部，多个所述第一端部一体连接至所述保留区域，多个所述第二端部完全隔开设置，多个所述第二子线路层设有相对的第三端部和第四端部，多个所述第三端部及多个所述第四端部之间均完全隔开设置
。11.
根据权利要求
10
所述的陶瓷热沉，其特征在于，多个所述第一子线路层中的第二端部沿横向排列并且每相邻的两个第二端部沿垂直于横向的纵向交错设置；多个所述第二子线路...
【专利技术属性】
技术研发人员：诸渊臻，余乐，刘星星，
申请(专利权)人：池州昀海表面处理科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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