【技术实现步骤摘要】
一种高温CVD生产制程的控制方法、装置及存储介质
[0001]本专利技术涉及光伏/半导体过程控制与自动化
,特别是涉及一种高温CVD生产制程的控制方法、装置及存储介质。
技术介绍
[0002]随着光伏/半导体行业的不断发展,系统集成度不断提高、晶元尺寸不断增大,生产过程复杂化、精细化,对自动化水平提出了更高的要求。近年来,Run
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to
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Run(R2R)控制即批次控制逐渐在光伏/半导体领域得到应用,其对于提升产品质量一致性、提高产品良率有重要意义。
[0003]指数加权移动平均(Exponentially Weighted Moving Average,EWMA)控制算法是应用最广泛的一种R2R控制算法。但是,传统的EWMA算法大多是“单入单出”(Single
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in
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Single
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out,SISO)模型,无法满足多输入场景的控制需求,如在高温化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)过程中,沉积温度、沉积时间、气体流量等均会影响最终的沉积厚度。另外,实际生产过程存在检测误差,但由于传统的EWMA算法大多是精确控制算法,容易导致控制器对误差产生响应,造成不必要的调整。
[0004]综上,有必要设计一种在高温CVD生产制程中可以提高控制器的鲁棒性和适用性的控制方案。
技术实现思路
[0005]基于此,本专利技术的目的在于提供一种高温CVD生产制程的控制方法
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高温CVD生产制程的控制方法,其特征在于,包括:获取高温CVD工艺机台在生产制程中检测到的膜厚数据;基于所述高温CVD工艺机台的检测维度,将所述膜厚数据分割为若干个样本数据集,并分别将若干个所述样本数据集聚合成设定阈值,获得若干个设定阈值;将若干个所述设定阈值分别对应作为控制器的若干个EWMA控制回路的受控目标反馈值;若确定任一所述EWMA控制回路首次运行,则基于任一所述EWMA控制回路对应的受控目标反馈值,初始化任一所述EWMA控制回路的截距,并跳过当前批次的调整;或者,若确定任一所述EWMA控制回路非首次运行,则采用模糊控制方式更新任一所述EWMA控制回路的截距,以使任一所述EWMA控制回路的预测值始终能够收敛回所述控制范围内;基于所述截距确定所述控制器的输出值,并将所述输出值返给所述高温CVD工艺机台。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述检测维度包括依次递进的第1级检测子维度至第N级检测子维度,N为大于1的整数;基于所述高温CVD工艺机台的检测维度,将所述膜厚数据分割为若干个样本数据集,包括:若N等于2,先基于所述第1级检测子维度,将所述膜厚数据分割成M个第一级样本数据集;再基于所述第N级检测子维度,将任一所述第一级样本数据集分割成L个第二级样本数据集,获得若干个所述样本数据集;或者,若N大于2,先基于所述第1级检测子维度,将所述膜厚数据分割成M个第一级样本数据集;再基于第2级检测子维度,将任一所述第一级样本数据集分割成L个第二级样本数据集,以此类推,最后基于所述第N级检测子维度,将任一第N
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1级样本数据集分割成H个第N级样本数据集,获得若干个所述样本数据集。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述设定阈值为平均值、标准变差、最大值和最小值中的一种。4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,基于任一所述EWMA控制回路对应的受控目标反馈值,初始化任一所述EWMA控制回路的截距,包括:基于任一所述EWMA控制回路对应的受控目标反馈值,按照如下截距初始化公式初始化任一所述EWMA控制回路的截距;所述截距初始化公式表示为:C(i
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1)=y
i
‑
Ax
i
+A
F,i
x
F,i
其中,C(i
‑
1)当前表示为初始化截距,y
i
表示为所述受控目标反馈值,xi表示为第i个过程输入,A表示为增益,A
F,i
表示为xi对应的前馈增益,xF,i表示为xi对应的前馈变量。5.如权利要求1
‑
4任一项所述的方法,其特征在于,任一所述EWMA控制回路的控制逻辑公式为:Y(i)=Ax(i)+A
F,i
x
Fi
+C(i
‑
1)其中,Y(i)表示为任一所述EWMA控制回路的预测值,A表示为增益,xi表示为第i个过程输入,A
F,i
表示为xi对应的前馈增益,xF,i表示为xi对应的前馈变量,C(i
‑
1)当前...
【专利技术属性】
技术研发人员:任振勤,
申请(专利权)人:数语技术广州有限公司,
类型:发明
国别省市:
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