多晶硅还原炉及多晶硅还原系统技术方案

本申请提供一种多晶硅还原炉及多晶硅还原系统。其中，多晶硅还原炉包括：还原炉本体，还原炉本体包括外壳和设置在外壳内的多个电极，每个电极内均设置有冷却腔、与冷却腔连通的进液口以及与冷却腔连通的出液口；进液系统，包括多个进液支管，每个进液口均与对应的进液支管连通；回液系统，包括多个出液支管，每个出液口均与出液支管连通，每个出液支管上均设置有流量监测装置。应用本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中进入还原炉内的冷却液流量监测不准确的问题。液流量监测不准确的问题。液流量监测不准确的问题。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅还原炉及多晶硅还原系统


[0001]本申请涉及化工领域，尤其涉及一种多晶硅还原炉及多晶硅还原系统。

技术介绍

[0002]多晶硅还原炉是生产多晶硅的主要设备，三氯氢硅与氢气按比例混合后，在一定的温度和压力下引入多晶硅还原炉内，在硅棒电极上进行还原反应沉积生成多晶硅，还原反应在高温下进行，最终生成棒状多晶硅。由于在还原炉中多晶硅生成产生高温，每一路硅棒电极需要通入一路脱盐水作为冷源进行换热冷却。因此每一路脱盐水的稳定供给就十分重要，一但脱盐水断流或流量减少，都会对还原炉造成致命的损坏。
[0003]相关技术中，多晶硅还原炉一般包括还原炉本体和设置在还原炉本体底部的进水管和回水管，进水管上设置有流量监测装置，通过进水流量监测装置监测进入多晶硅还原炉内的冷却液的流量，在流量小时及时对水量进行调节，以放置还原炉的损坏。
[0004]但上述流量监测方式不精确，导致实际进入硅棒电极内的实际流量与监测流量形成差异，影响还原炉的工作。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种多晶硅还原炉及多晶硅还原系统，用以解决相关技术中进入还原炉内的冷却液流量监测不准确的问题。
[0006]一方面，本申请提供一种多晶硅还原炉，包括：还原炉本体，包括外壳和设置在外壳内的多个电极，每个电极内均设置有冷却腔、与冷却腔连通的进液口以及与冷却腔连通的出液口；进液系统，包括多个进液支管，每个进液口均与对应的进液支管连通；回液系统，包括多个出液支管，每个出液口均与出液支管连通，每个出液支管上均设置有流量监测装置。/>[0007]在一些实施例中，回液系统还包括：现场指示仪，每个流量监测装置均与现场指示仪电连接。
[0008]在一些实施例中，现场指示仪包括控制单元以及与控制单元电连接的进线接口单元，每个流量监测装置均通过电缆与进线接口单元电连接。
[0009]在一些实施例中，现场指示仪还包括：信号电缆接口单元，与控制单元电连接；信号电缆，信号电缆的第一端与信号电缆接口单元连接，第二端与上位机连接。
[0010]在一些实施例中，现场指示仪还包括：通讯单元，通讯单元与控制单元电连接，通讯单元具有通讯电缆接口，通讯电缆，通讯电缆的第一端与通讯电缆接口连接，通讯电缆的第二端与上位机连接。
[0011]在一些实施例中，流量监测装置为导热式流量开关。
[0012]在一些实施例中，回液系统还包括：出液主管，每个出液支管均与出液主管连通，出液主管的第一端设置有第一连接法兰，出液主管的第二端设置有第二连接法兰；压力指示装置，设置在出液主管上；温度指示装置，设置在出液主管上。
[0013]在一些实施例中，每个出液支管均包括与出液主管连接的第一管段以及与第一管段连接的第二管段，第一管段为刚性结构，第二管段为柔性结构，流量监测装置设置在第一管段上，第一管段上还设置有回水截止阀。
[0014]在一些实施例中，第二管段的与还原炉本体可拆卸连接，第二管段包括柔性管以及设置在柔性管外侧的遇水变色层。
[0015]另一方面，本申请提供一种多晶硅还原系统，包括：
[0016]多个多晶硅还原炉，多晶硅还原炉为上述的多晶硅还原炉；上位机，上位机与每个多晶硅还原炉的现场指示仪电连接。
[0017]本申请提供的多晶硅还原炉包括还原炉本体进液系统以及回液系统。具体地，还原炉本体包括外壳和设置在外壳内的多个电极，每个电极内均设置有冷却腔，电极上还设置有进液口和出液口，冷却腔与进液口和出液口分别连通。进液系统包括多个进液支管，每个电极的进液口均与对应的进液支管连通，回液系统包括多个出液支管，没个电极的出液口均与对应的出液支管连通，冷却液能够从进液支管内流入电极内，与电极换热后再经出液支管流出。每个回水支管上均设置有流量监测装置，流量监测装置能够对流经回水支管的冷却液的流量进行检测，当检测到的流量值小于预定值时，流量监测装置能够发送故障信号，从而使操作人员能够及时发现该跟回水管路的冷却液流量减小，及时进行检修。由于流量监测装置设置在回水管路上，属于整个冷却液循环装置的末端，即使冷却液在循环的过程中有损失，只要保证回水支管出的冷却液的流量满足需求，即可保证电极内的冷却液的流量满足需求。
附图说明
[0018]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
[0019]图1为本申请实施例提供的多晶硅还原炉的结构示意图；
[0020]图2为本申请实施例提供的多晶硅还原炉的进液系统的立体结构示意图；
[0021]图3为本申请实施例提供的多晶硅还原炉的回液系统的立体结构示意图；
[0022]图4为本申请实施例提供的多晶硅还原炉的现场指示仪的模块结构示意图。
[0023]附图标记说明：
[0024]10、还原炉本体；
[0025]20、进液系统；21、进液主管；22、进液支管；23、进液截止阀；
[0026]30、回液系统；31、出液主管；311、第一连接法兰；312、第二连接法兰；32、出液支管；321、第一管段；322、第二管段；33、回水截止阀；
[0027]40、流量监测装置；
[0028]50、现场指示仪；51、控制单元；52、进线接口单元；53、信号电缆接口单元；54、通讯单元；
[0029]60、压力指示装置；
[0030]70、温度指示装置；
[0031]80、多晶硅还原炉；
[0032]90、上位机。
[0033]通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。
具体实施方式
[0034]下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
[0035]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵”、“长”、“宽”、“上”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0036]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“紧固”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括：还原炉本体(10)，包括外壳和设置在外壳内的多个电极，每个所述电极内均设置有冷却腔、与所述冷却腔连通的进液口以及与所述冷却腔连通的出液口；进液系统(20)，包括多个进液支管(22)，每个所述进液口均与对应的所述进液支管(22)连通；回液系统(30)，包括多个出液支管(32)，每个所述出液口均与对应的所述出液支管(32)连通，每个所述出液支管(32)上均设置有流量监测装置(40)。2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述回液系统(30)还包括：现场指示仪(50)，每个所述流量监测装置(40)均与所述现场指示仪(50)电连接。3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述现场指示仪(50)包括控制单元(51)以及与所述控制单元(51)电连接的进线接口单元(52)，每个所述流量监测装置(40)均通过电缆与所述进线接口单元(52)电连接。4.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述现场指示仪(50)还包括：信号电缆接口单元(53)，与所述控制单元(51)电连接；所述多晶硅还原炉还包括：信号电缆，所述信号电缆的第一端与所述信号电缆接口单元(53)连接，第二端与上位机(90)连接。5.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述现场指示仪(50)还包括：通讯单元(54)，所述通讯单元(54)与所述控制单元(51)电连接，所述通讯单元包括通讯电缆接口；所述多晶硅还原炉还包括：通讯电缆，所述通讯电缆的第一端与所述通讯电缆接口连接，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭成，党昊驰，陈林，
申请(专利权)人：华陆工程科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：