天线结构制造技术

一种天线结构，其以电性固接于在电子装置的主机板，包括：一电路板、一高频辐射层、一低频辐射层及一电极层。该电路板上具有一正面、一背面及一缺口，该缺口将电路板下侧形成有左侧接脚及右侧接脚。该高频辐射层设于该电路板的正面。该低频辐射层设于该电路板的正面或背面上，于该低频辐射层与该高频辐射层之间形成有一耦合间隙。该电极层设于该左侧接脚及该右侧接脚上，并与该高频辐射层及该低频辐射层电性连接。天线结构属于单极馈入耦合回路接地设计，运用在不同环境的主机板尺寸时，接地的变化对天线结构的效率衰减影响程度很小。化对天线结构的效率衰减影响程度很小。化对天线结构的效率衰减影响程度很小。

【技术实现步骤摘要】
天线结构


[0001]本技术有关一种天线，尤指一种单极馈入耦合回路接地设计的天线结构，并可与电子装置的主机板直立式电性固接的天线结构。

技术介绍

[0002]随着网路的普及，人们对于网路的日渐依赖，也发展出越来越多上网装置，例如Wi
‑
Fi产品、网通产品、物联网、网络摄影机(IP CAM)、路由器或数据机等设备。而在这些设备所使用的天线结构大多数都是在电路板上的铜箔制作不同的辐射层图案来进行信号的接收与传递。
[0003]由于过去使用的天线结构属于单极类型多路径设计，缺点是当天线结构使用在不同环境的印刷电路板(PCB)尺寸时(安装于不同电子产品的内部主机板)，遇到的接地(GND)面积越小，对天线的效能衰减影响越大，降低了天线结构的接收及发射能力。

技术实现思路

[0004]因此，如何在不同环境的印刷电路板(PCB)尺寸时，接地(GND)的变化对天线的效率衰减影响程度很小，即为本技术主要解决的课题。为解决上述问题，本技术新设计的天线结构属于单极馈入耦合回路接地设计，运用在不同环境的电子装置的主机板(PCB)尺寸时，主机板的接地(GND)的变化对天线结构的效率衰减影响程度很小，以提高了天线结构的接收及发射能力。
[0005]为达上述的目的，本技术提供一种天线结构，以电性固接于在电子装置的主机板，包括：一电路板、一高频辐射层、一低频辐射层及一电极层。该电路板呈一正方形体，其上具有一正面及一背面，于该电路板的下侧具有一缺口，该缺口将该电路板的该下侧形成有一左侧接脚及一右侧接脚。该高频辐射层呈一正方形的设于该电路板的该正面的右下侧上，且位于该缺口及该右侧接脚的上方位置。该低频辐射层，呈一倒L形的设于该电路板的该正面的上侧及左侧，并位于该左侧接脚上；另，于该低频辐射层与该高频辐射层之间形成有一耦合间隙。该电极层设于该左侧接脚及该右侧接脚的该正面及该背面上，并与该高频辐射层及该低频辐射层电性连接。
[0006]在本技术的一实施例中，该高频辐射层一侧缘具有一延伸段，该延伸段与该电极层电性连接。
[0007]在本技术的一实施例中，该高频辐射层的频率为5.15GH
Z
～5.85GH
Z
及5.92GH
Z
～7.12GH
Z
。
[0008]在本技术的一实施例中，该低频辐射层的频率为2.4GH
Z
～2.5GH
Z
。
[0009]在本技术的一实施例中，该电极层具有复数个焊垫，各所述焊垫分别设于该左侧接脚及该右侧接脚的该正面及该背面。
[0010]在本技术的一实施例中，该天线结构还包括有一固接层，该固接层设于该电路板的该正面及该背面，且位于该缺口的侧边上。
[0011]在本技术的一实施例中，该主机板具有二接合孔，该二接合孔以接合该电路板的该左侧接脚及该右侧接脚，该主机板的正面具有一信号馈入层及一第一接地层，该信号馈入层一端延伸至其一该接合孔上，该第一接地层具有一接地线延伸于另一该接合孔上，在该电路板的该左侧接脚及该右侧接脚分别插接于该二接合孔时，该电极层与该接地线及该信号馈入层电性连接，另于该主机板的背面对应该二接合孔的位置具有一净空区，以及一对应该第一接地层的第二接地层。
[0012]在本技术的一实施例中，该二接合孔之间具有一固接部，在该电路板的该左侧接脚及该右侧接脚分别插接于该二接合孔时，该固接部与该固接层固接。
[0013]为达上述的目的，本技术另提供一种天线结构，以电性固接于在电子装置的主机板，包括：一电路板、一高频辐射层、一低频辐射层及一电极层。该电路板呈一正方形体，其上具有一正面及一背面，于该电路板的下侧具有一缺口，该缺口将该电路板的该下侧形成有一左侧接脚及一右侧接脚。该高频辐射层设于该电路板的该正面上。该低频辐射层设于该电路板的该背面，该高频辐射层与对应该低频辐射层之间形成有一耦合间隙。该电极层，设于该左侧接脚及该右侧接脚的该正面及该背面上，并与该高频辐射层及该低频辐射层电性连接。
[0014]在本技术的一实施例中，该高频辐射层设于该电路板的该正面的右下侧，且位于该缺口及该右侧接脚的上方位置，该高频辐射层具有一纵向线段，以及与该纵向线段一侧连接的三叉形状的第一横向线段、一第二横向线段及一第三横向线段。
[0015]在本技术的一实施例中，该高频辐射层的频率为5.15GH
Z
～5.85GH
Z
及5.92GH
Z
～7.12GH
Z
。
[0016]在本技术的一实施例中，该低频辐射层呈一F形的设于该电路板的该背面的上侧及左侧位置上，并与该左侧接脚的背面的该电极层电性连接，该高频辐射层与对应该电路板的该背面的该低频辐射层的该F形的中央位置的横向线段之间形成有该耦合间隙。
[0017]在本技术的一实施例中，该低频辐射层的频率为2.4GH
Z
～2.5GH
Z
。
[0018]在本技术的一实施例中，该电极层具有复数个焊垫，各所述焊垫分别设于该左侧接脚及该右侧接脚的该正面及该背面。
[0019]在本技术的一实施例中，该主机板具有二接合孔，该二接合孔以接合该电路板的该左侧接脚及该右侧接脚，该主机板的正面具有一信号馈入层及一第一接地层，该信号馈入层一端延伸至其一该接合孔上，该第一接地层具有一接地线延伸于另一该接合孔上，在该电路板的该左侧接脚及该右侧接脚分别插接于该二接合孔时，该电极层与该接地线及该信号馈入层电性连接，另于该主机板的背面对应该二接合孔的位置具有一净空区，以及一对应该第一接地层的第二接地层。
[0020]在本技术的一实施例中，该高频辐射层呈一正方形的设于该电路板的该正面上，且位于该缺口及该右侧接脚与部份的该左侧接脚的上方位置；另，该高频辐射层的底缘具有一斜边，该斜边与该电极层电性连接。
[0021]在本技术的一实施例中，该高频辐射层的频率为5.15GH
Z
～5.85GH
Z
及5.92GH
Z
～7.12GH
Z
。
[0022]在本技术的一实施例中，该低频辐射层设于该电路板的该背面上，该低频辐射层由一第一纵向线段、一横向线段及一第二纵向线段组成；该第一纵向线段设于该电路
板的该背面的右侧上方，该第一纵向线段一端与该横向线段电性连接，该第二纵向线段设于该电路板的该背面的左侧下方并延伸至该左侧接脚上，该第二纵向线段一端与该横向线段的另一端电性连接，该第二纵向线段的另一端与该电极层的焊垫电性连接，该低频辐射层的该横向线段及该第二纵向线段与该电路板的该正面的该高频辐射层上缘边及左侧边之间形成有该耦合间隙。
[0023]在本技术的一实施例中，该低频辐射层的频率为2.4GH
Z
～2.5GH
Z...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种天线结构，其以电性固接于在电子装置的主机板，其特征在于，包括：一电路板，呈一正方形体，其上具有一正面及一背面，于该电路板的下侧具有一缺口，该缺口将该电路板的该下侧形成有一左侧接脚及一右侧接脚；一高频辐射层，呈一正方形的设于该电路板的该正面的右下侧上，且位于该缺口及该右侧接脚的上方位置；一低频辐射层，呈一倒L形的设于该电路板的该正面的上侧及左侧，并位于该左侧接脚上；另，于该低频辐射层与该高频辐射层之间形成有一耦合间隙；一电极层，设于该左侧接脚及该右侧接脚的该正面及该背面上，并与该高频辐射层及该低频辐射层电性连接。2.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于，该高频辐射层一侧缘具有一延伸段，该延伸段与该电极层电性连接。3.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于，该高频辐射层的频率为5.15GH
Z
～5.85GH
Z
及5.92GH
Z
～7.12GH
Z
。4.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于，该低频辐射层的频率为2.4GH
Z
～2.5GH
Z
。5.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于，该电极层具有复数个焊垫，各所述焊垫分别设于该左侧接脚及该右侧接脚的该正面及该背面。6.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于，该天线结构还包括有一固接层，该固接层设于该电路板的该正面及该背面，且位于该缺口的侧边上。7.如权利要求6所述的天线结构，其特征在于，该主机板具有二接合孔，该二接合孔以接合该电路板的该左侧接脚及该右侧接脚，该主机板的正面具有一信号馈入层及一第一接地层，该信号馈入层一端延伸至其一该接合孔上，该第一接地层具有一接地线延伸于另一该接合孔上，在该电路板的该左侧接脚及该右侧接脚分别插接于该二接合孔时，该电极层与该接地线及该信号馈入层电性连接，另于该主机板的背面对应该二接合孔的位置具有一净空区，以及一对应该第一接地层的第二接地层。8.如权利要求7所述的天线结构，其特征在于，该二接合孔之间具有一固接部，在该电路板的该左侧接脚及该右侧接脚分别插接于该二接合孔时，该固接部与该固接层固接。9.一种天线结构，以电性固接于在电子装置的主机板，其特征在于，包括：一电路板，呈一正方形体，其上具有一正面及一背面，于该电路板的下侧具有一缺口，该缺口将该电路板的该下侧形成有一左侧接脚及一右侧接脚；一高频辐射层，设于该电路板的该正面上；一低频辐射层，设于该电路板的该背面，该高频辐射层与对应该低频辐射层之间形成有一耦合间隙；一电极层，设于该左侧接脚及该右侧接脚的该正面及该背面上，并与该高频辐射层及该低频辐射层电性连接。10.如权利要求9所述的天线结构，其特征在于，该高频辐射层设于该电路板的该正面的右下侧，且位于该缺口及该右侧接脚的上方位置，该高频辐射层具有一纵向线段，以及与该纵向线段一侧连接的三叉形状的第一横向线段、一第二横向线段及一第三横向线段。11.如权利要求9所述的天线结构，其特征在于，该高频辐射层的频率为5.15GH
Z
～5.85GH
Z<...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡昀展，黄柏怀，杨士弘，邱士于，
申请(专利权)人：万诚科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：