高效合成高质量碳化硅的装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种高效合成高质量碳化硅的装置及方法，该高效合成高质量碳化硅的装置包括装置本体和石墨盖板，所述装置本体具有顶端敞口的容纳腔，所述容纳腔内沿其高度方向由底部到顶端依次设有第一过滤板和第二过滤板，并通过所述第一过滤板和所述第二过滤板分隔为原料区、过滤区和反应区；所述石墨盖板盖设在所述装置本体的顶端敞口处，用于收集合成的碳化硅晶体。采用该高效合成高质量碳化硅的装置能够合成高质量纯度的碳化硅晶体，同时能够提高合成效率，降低生产成本。降低生产成本。降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
高效合成高质量碳化硅的装置及方法


[0001]本专利技术涉及碳化硅新材料
，具体涉及一种高效合成高质量碳化硅的装置及方法。

技术介绍

[0002]以SiC为代表的第三代宽带隙半导体材料，是发展大功率、高频高温、抗强辐射蓝光激光器和紫外探测器等技术的核心。SiC的原料质量在整个碳化硅衬底片加工工艺流程着起到决定性的作用，倘若原料质量较差，生长得到的碳化硅晶圆缺陷也就较多，这是在后期加工工艺中无法改良优化的。因此，如何合成高质量碳化硅原料至关重要。
[0003]碳热还原法是目前最常见的合成碳化硅原料的方法。该方法以碳和石英(二氧化硅)作为原料，在加热炉内加热至一定温度，在高纯非氧化性气氛下两者反应生成碳化硅粉体。由于在高温环境下碳和硅粉末会挥发升华，碳化硅粉体中难免会混入杂质粉末，这时通常需要将得到的碳化硅粉体进行二次处理：将反应收集得到的碳化硅粉体在空气中加热升温至700℃以氧化去除混杂在碳化硅粉体中的碳，接着将处理后的碳化硅粉体放置于强酸中，这一步是为了去除混杂在碳化硅粉体中的二氧化硅。经过该二次处理的碳化硅粉体可达到可使用标准，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高效合成高质量碳化硅的装置，其特征在于，包括：装置本体，所述装置本体具有顶端敞口的容纳腔，所述容纳腔内沿其高度方向由底部到顶端依次设有第一过滤板和第二过滤板，并通过所述第一过滤板和所述第二过滤板分隔为原料区、过滤区和反应区；石墨盖板，所述石墨盖板盖设在所述装置本体的顶端敞口处，用于收集合成的碳化硅晶体。2.如权利要求1所述的高效合成高质量碳化硅的装置，其特征在于，所述装置本体呈上窄下宽的等腰梯形状。3.如权利要求1所述的高效合成高质量碳化硅的装置，其特征在于，所述第一过滤板、所述第二过滤板上分别设有通孔，并且所述第一过滤板上通孔的孔径大于所述第二过滤板上通孔的孔径；优选的，所述第一过滤板上通孔的孔径为2～5cm，所述第二过滤板上通孔的孔径为300～600μm。4.如权利要求1所述的高效合成高质量碳化硅的装置，其特征在于，所述容纳腔内还设有第三过滤板，所述第二过滤板置于所述第三过滤板和所述第一过滤板之间，所述第三过滤板和所述石墨盖板之间形成收集区，所述第三过滤板和所述第二过滤板之间形成所述反应区。5.如权利要求4所述的高效合成高质量碳化硅的装置，其特征在于，所述第三过滤板为夹层结构，其包括相对设置的两层网孔板和夹设在所述两层网孔板之间的吸收层，所述吸收层采用木屑和食盐混合形成；优选的，所述网孔板的孔径为300～...

【专利技术属性】
技术研发人员：余雅俊，陈素春，林骞，占俊杰，徐良，刘建哲，夏建白，
申请(专利权)人：金华博蓝特新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：