干蚀刻设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种干蚀刻设备，能够显著提高蚀刻的均一性，进而提升产品质量。该干蚀刻设备包括：腔室；基台，位于腔室内部，基台与腔室侧壁之间具有间隙；电极，位于基台上；第一缓冲板，环绕基台设置，第一缓冲板将基台与腔室侧壁之间的间隙进行封堵；第二缓冲板，环绕基台设置，第二缓冲板与第一缓冲板相对应，第二缓冲板位于第一缓冲板下方；进气口，位于腔室顶部，用于向腔室提供蚀刻所需气体；出气口，位于腔室底部，出气口位于第二缓冲板下方，用于排出气体；其中，第一缓冲板上设置有多个栅格，第一缓冲板上的多个栅格环绕基台，第二缓冲板的至少部分区域也设置有栅格，气体通过栅格可穿过第一缓冲板和第二缓冲板。栅格可穿过第一缓冲板和第二缓冲板。栅格可穿过第一缓冲板和第二缓冲板。

【技术实现步骤摘要】
干蚀刻设备


[0001]本技术涉及显示
，特别涉及一种干蚀刻设备。

技术介绍

[0002]干蚀刻被广泛应用于半导体器件制造、光学器件制造、微结构加工等领域。它是一种常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由等离子体能量来驱动反应。在半导体的制程中，蚀刻被用来将某种材质自物体表面上移除，最终实现对物体表面进行精密雕刻加工的技术。相比于传统的机械加工，干蚀刻技术具有加工精度高、加工质量稳定、加工速度快等优点。干蚀刻技术已成为现代微纳制造
中不可或缺的制造方法之一。目前商用的干蚀刻设备主要包括电子束蚀刻机、离子束蚀刻机、激光蚀刻机、等离子体蚀刻机等。随着微纳加工技术的不断发展，干蚀刻技术向精度更高、加工速度更快、成本更低等方向发展，对干蚀刻设备的研究和开发提出了更高的要求。
[0003]图1示出了现有的干蚀刻设备的侧视图；该干蚀刻设备包括：腔室110、基台120、电极130、缓冲板140、支撑杆150、进气口160、出气口170和排气泵180。腔室110例如为一密闭腔室，腔室110通过进气口160和出气口170与外界连通，进气口160例如用于向腔室110中提供蚀刻所需的气体，具体地，图中箭头所示的方向为气体的流动方向，气体由进气口160进入腔室110并通过出气口170排出。腔室110中还设置有基台120，基台120与腔室110的侧壁间具有一定间隙，基台120上还设置有电极130。在基台120与腔室110侧壁之间的环形间隙还设置有缓冲板140，以避免气体过快的从出气口170排出，具体地，缓冲板140下方由支撑杆150支撑，缓冲板140与基台120之间具有缝隙，缓冲板140与腔室110侧壁之间也具有缝隙，位于缓冲板140上方的气体可通过上述缝隙穿过缓冲板140流向缓冲板140下方。出气口170例如位于腔室110底部，处于缓冲板140的下方，出气口170还与排气泵180相连，以便排出腔室110中的气体。
[0004]图2示出了现有的干蚀刻设备的俯视图；从图2中可见，该腔室110为矩形，其具有长边和短边，在腔室110的长边和短边的侧壁附近均设置有缓冲板140，但出气口170仅为两个，且两个出气口170均位于长边的缓冲板140下方，因此，气体会更多的流向腔体110的长边的两侧，导致气体流动严重不均，影响蚀刻质量，具体地，参见图3所示的各区域蚀刻速率的示意图，腔室110中长边附近区域蚀刻速率更快，短边附近区域蚀刻速率较慢，导致蚀刻均一性不佳。
[0005]为了满足更高蚀刻质量的要求，亟需设计一种能够进行均匀蚀刻的干蚀刻设备。

技术实现思路

[0006]鉴于上述问题，本技术的目的在于提供一种干蚀刻设备，从而能够提高蚀刻的均一性，避免蚀刻气体集中于某一处位置，导致均一性不佳，影响产品质量的问题。
[0007]本技术公开了一种干蚀刻设备，其中，包括：腔室；基台，位于所述腔室内部，所述基台与所述腔室侧壁之间具有间隙；电极，位于所述基台上；第一缓冲板，环绕所述基
台设置，所述第一缓冲板将所述基台与所述腔室侧壁之间的间隙进行封堵；第二缓冲板，环绕所述基台设置，所述第二缓冲板与所述第一缓冲板相对应，所述第二缓冲板位于所述第一缓冲板下方；进气口，位于所述腔室顶部，向所述腔室提供蚀刻所需气体；出气口，位于所述腔室底部，所述出气口位于所述第二缓冲板下方，排出所述气体；其中，所述第一缓冲板上设置有多个第一栅格，所述第一缓冲板上的多个第一栅格环绕所述基台，所述第二缓冲板的至少部分区域设置有第二栅格，所述气体通过第一栅格和第二栅格可穿过所述第一缓冲板和所述第二缓冲板。
[0008]优选地，所述第一栅格和所述第二栅格的截面包括圆形、矩形中的至少一种。
[0009]优选地，所述第一缓冲板的内侧与所述基台相连，所述第一缓冲板的外侧与所述腔室的侧壁相连。
[0010]优选地，所述第二缓冲板的内侧与所述基台相连，所述第二缓冲板的外侧与所述腔室的侧壁相连。
[0011]优选地，所述第二栅格的位置与所述出气口相对应。
[0012]优选地，所述腔室为矩形，所述第一缓冲板和所述第二缓冲板为矩形框。
[0013]优选地，还包括抽气泵，所述抽气泵与所述出气口相连，所述抽气泵为分子泵。
[0014]优选地，所述出气口包括两个，所述抽气泵也包括两个，两个所述出气口对称设置于所述第二缓冲板的长边的投影区域。
[0015]优选地，所述第二栅格与所述第一栅格相错开。
[0016]优选地，所述第二缓冲板与所述第一缓冲板之间的距离不小于5cm。
[0017]本技术提供的干蚀刻设备，通过设置双层的缓冲板，并在不同缓冲板的对应位置设置栅格，使得设备腔室内的气体分布更加均匀，有效减小了腔室内各区域蚀刻速率的差异，增强了设备蚀刻的均一性，提高了产品质量。该干蚀刻设备不仅结构简单可靠，还易于生产制造。
附图说明
[0018]通过以下参照附图对本技术实施例的描述，本技术的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
[0019]图1示出了现有的干蚀刻设备的侧视图；
[0020]图2示出了现有的干蚀刻设备的俯视图；
[0021]图3示出了现有的干蚀刻设备中各区域蚀刻速率的示意图；
[0022]图4示出了本技术的干蚀刻设备的侧视图；
[0023]图5示出了本技术的干蚀刻设备的第一缓冲板的示意图；
[0024]图6示出了本技术的干蚀刻设备的第二缓冲板的示意图；
具体实施方式
[0025]以下将参照附图更详细地描述本技术的各种实施例。在各个附中，相同的元件或者模块采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。
[0026]同时，在本专利说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的组件。本领
域普通技术人员应当可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个组件。本专利说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。
[0027]在下文中描述了本专利技术的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本专利技术。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本专利技术。
[0028]此外，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或者操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其它变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种干蚀刻设备，其特征在于，包括：腔室；基台，位于所述腔室内部，所述基台与所述腔室侧壁之间具有间隙；电极，位于所述基台上；第一缓冲板，环绕所述基台设置，所述第一缓冲板将所述基台与所述腔室侧壁之间的间隙进行封堵；第二缓冲板，环绕所述基台设置，所述第二缓冲板与所述第一缓冲板相对应，所述第二缓冲板位于所述第一缓冲板下方；进气口，位于所述腔室顶部，向所述腔室提供蚀刻所需气体；出气口，位于所述腔室底部，所述出气口位于所述第二缓冲板下方，排出所述气体；其中，所述第一缓冲板上设置有多个第一栅格，所述第一缓冲板上的多个第一栅格环绕所述基台，所述第二缓冲板的至少部分区域设置有第二栅格，所述气体通过第一栅格和第二栅格可穿过所述第一缓冲板和所述第二缓冲板。2.根据权利要求1所述的干蚀刻设备，其特征在于，所述第一栅格和所述第二栅格的截面包括圆形、矩形中的至少一种。3.根据权利要求1所述的干蚀刻设备，其特征在于，所述第一缓冲板的内侧与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：白昊升，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：