【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示器的，特别是涉及一种阵列基板及制作方法、显示装置。
技术介绍
1、随着显示技术的发展，轻薄化的显示面板倍受消费者的喜爱，尤其是轻薄化的显示面板(liquid crystal display，lcd)。现有的一种显示装置包括薄膜晶体管阵列基板(thin film transistor array substrate，tft array substrate)、彩膜基板(colorfilter substrate，cf substrate)以及填充在薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子，上述显示装置工作时，在薄膜晶体管阵列基板的像素电极与彩膜基板的公共电极分别施加驱动电压或者在薄膜晶体管阵列基板的公共电极和像素电极分别施加驱动电压，控制两个基板之间的液晶分子的旋转方向，以将显示装置的背光模组提供的背光折射出来，从而显示画面。
2、薄膜晶体管阵列基板上主要的器件之一为薄膜晶体管(thin film transistor，tft)，薄膜晶体管起到开关作用。但是，随着信息时代的发展，各种规格需求日益提升，常规非晶硅薄膜晶体管器件的电子迁移率受限，导致性能偏低，必须更换高电子迁移率材料取代，以满足产品性能规格。
3、金属氧化物半导体相对于低温多晶硅与非晶硅，具有更高的电子迁移率、高透光率、低漏电流、低沉积温度、低制造成本、器件制程多数相容等优点而受到广泛的关注，适合各种显示器产品导入量产。但金属氧化物器件的通道(沟道)易受制程过程h2、h2o、化学药剂等损伤，造成器件不佳甚至信赖性风险，因此，由
技术实现思路
1、为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本专利技术的目的在于提供一种阵列基板及制作方法、显示装置，以解决现有技术中金属氧化物半导体器件信赖性不佳的问题。
2、本专利技术的目的通过下述技术方案实现：
3、本专利技术提供一种阵列基板的制作方法，包括：
4、提供基底；
5、在所述基底的上方形成第一金属层，对所述第一金属层进行蚀刻，所述第一金属层形成图案化的扫描线和栅极，所述栅极与所述扫描线电性连接；
6、在所述基底上方形成覆盖所述扫描线和所述栅极的第一绝缘层；
7、在所述第一绝缘层的上方依次形成金属氧化物半导体层和第一光阻层，采用半色调掩模对所述第一光阻层进行曝光并形成图案化的第一图案光阻，所述第一图案光阻具有部分保留区和全部保留区，以所述第一图案光阻为遮挡对所述金属氧化物半导体层进行蚀刻，所述金属氧化物半导体层形成与所述栅极对应的有源层；
8、对所述第一图案光阻进行光阻灰化处理，去除部分保留区的光阻并减薄全部保留区的光阻，形成第二图案光阻；
9、在所述第一绝缘层的上方形成第二金属层，所述第二金属层覆盖所述有源层以及光阻灰化处理后的所述第二图案光阻，对所述第二金属层进行蚀刻，并剥离掉所述第二图案光阻，所述第二金属层形成图案化的数据线、源极以及漏极，所述数据线与所述源极连接，所述源极和所述漏极之间具有沟道并通过所述有源层连接，所述沟道与所述第二图案光阻相对应。
10、进一步地，对所述第二金属层进行蚀刻的方法包括：
11、在所述第二金属层的上方形成第二光阻层，对所述第二光阻层进行曝光并形成图案化的第三图案光阻，所述第三图案光阻与所述数据线、所述源极以及所述漏极相对应；
12、以所述第三图案光阻为遮挡对所述第二金属层进行蚀刻，使所述第二金属层形成图案化的所述数据线、所述源极以及所述漏极；
13、对所述第二金属层进行蚀刻后，同时剥离掉所述第二图案光阻和所述第三图案光阻。
14、进一步地，对所述第二金属层进行蚀刻的方法包括：
15、在所述第二金属层的上方形成第二光阻层，对所述第二光阻层进行曝光并形成图案化的第三图案光阻，所述第三图案光阻与所述数据线、所述源极、所述漏极以及所述沟道相对应；
16、以所述第三图案光阻为遮挡对所述第二金属层进行蚀刻，所述第二金属层形成图案化的所述数据线以及相互连接的所述源极和所述漏极；
17、对所述第二金属层进行蚀刻后，同时剥离掉所述第二图案光阻和所述第三图案光阻，所述沟道处的所述第二金属层随着所述第二图案光阻一同剥离，使所述源极和所述漏极之间断开。
18、本申请还提供一种阵列基板的制作方法，包括：
19、提供基底；
20、在所述基底的上方形成第一金属层，对所述第一金属层进行蚀刻，所述第一金属层形成图案化的扫描线和栅极，所述栅极与所述扫描线电性连接；
21、在所述基底上方形成覆盖所述扫描线和所述栅极的第一绝缘层；
22、在所述第一绝缘层的上方依次形成金属氧化物半导体层和氧化钼层，对所述金属氧化物半导体层和所述氧化钼层同时进行蚀刻，所述金属氧化物半导体层形成与所述栅极对应的有源层，所述氧化钼层形成保护层；
23、在所述第一绝缘层的上方形成第二金属层，所述第二金属层覆盖所述有源层以及所述保护层，对所述第二金属层进行蚀刻，所述第二金属层形成图案化的数据线、源极以及漏极，所述数据线与所述源极连接，所述源极和所述漏极之间具有沟道并通过所述有源层连接，所述保护层至少覆盖住所述沟道，且所述保护层与所述沟道对应的区域为非导体。
24、进一步地，所述保护层与所述沟道在所述基底上的投影相互重合，对所述金属氧化物半导体层和所述氧化钼层进行蚀刻的方法包括：
25、在所述氧化钼层的上方形成第一光阻层，采用半色调掩模对所述第一光阻层进行曝光并形成图案化的第一图案光阻，所述第一图案光阻具有部分保留区和全部保留区，所述沟道与所述第一图案光阻的全部保留区相对应，以所述第一图案光阻为遮挡对所述金属氧化物半导体层和所述氧化钼层同时进行蚀刻，所述金属氧化物半导体层形成与所述栅极对应的有源层；
26、对所述第一图案光阻进行光阻灰化处理，去除部分保留区的光阻并减薄全部保留区的光阻，形成第二图案光阻；
27、以所述第二图案光阻为遮挡对所述氧化钼层进一步蚀刻，使所述氧化钼层形成与所述沟道对应的所述保护层。
28、进一步地，所述保护层和所述有源层在所述基底上的投影相互重合，对所述金属氧化物半导体层和所述氧化钼层进行蚀刻的方法包括：
29、在所述氧化钼层的上方形成第一光阻层，对所述第一光阻层进行曝光并形成图案化的第四图案光阻，所述第四图案光阻与所述有源层相对应，以所述第四图案光阻为遮挡对所述金属氧化物半导体层和所述氧化钼层同时进行蚀刻，所述金属氧化物半导体层形成与所述栅极对应的有源层，所述氧化钼层形成与所述有源层对应的所述保护层。
30、进一步地，所述氧化钼层为导体，在对所述第二金属层进行蚀刻之后，所述制作方法还包括：
31、对所述沟道本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述第二金属层(13)进行蚀刻的方法包括：
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述第二金属层(13)进行蚀刻的方法包括：
4.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述保护层(161)与所述沟道(122)在所述基底(10)上的投影相互重合，对所述金属氧化物半导体层(12)和所述氧化钼层(16)进行蚀刻的方法包括：
6.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述保护层(161)和所述有源层(121)在所述基底(10)上的投影相互重合，对所述金属氧化物半导体层(12)和所述氧化钼层(16)进行蚀刻的方法包括：
7.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述氧化钼层(16)为导体，在对所述第二金属层(13)进行蚀刻之后，所述制作方法还包括：
8.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板的制
9.一种阵列基板，其特征在于，由于如权利要求1-8任一项所述的阵列基板的制作方法制作而成。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述第二金属层(13)进行蚀刻的方法包括：
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述第二金属层(13)进行蚀刻的方法包括：
4.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述保护层(161)与所述沟道(122)在所述基底(10)上的投影相互重合，对所述金属氧化物半导体层(12)和所述氧化钼层(16)进行蚀刻的方法包括：
6.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方...
【专利技术属性】
技术研发人员：张原豪，李振行，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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