一种具有新型场板结构的增强型氮化镓功率器件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种具有新型场板结构的增强型氮化镓功率器件，包括衬底层、成核层、缓冲层和势垒层，衬底层、成核层、缓冲层和势垒层从下至上依次设置；势垒层的上部分别设置有源极、栅极和漏极，在栅极的上方设置有场板，场板与栅极的交叠区域开设有若干第一刻蚀孔。与常规源极场板结构的不同，本发明专利技术通过对场板金属或栅极金属开设刻蚀孔，可以有效减小源极场板和栅极之间的交叠面积，从而有效减小源极场板引入的Cgs，关于源极场板金属刻蚀可以采用干法刻蚀，场板与栅极交叠的部分被部分刻蚀或全部刻蚀。场板与栅极交叠的部分被部分刻蚀或全部刻蚀。场板与栅极交叠的部分被部分刻蚀或全部刻蚀。

【技术实现步骤摘要】
一种具有新型场板结构的增强型氮化镓功率器件


[0001]本技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种具有新型场板结构的增强型氮化镓功率器件。

技术介绍

[0002]GaN功率器件具有高电流密度、高击穿电压、高开关速度、低导通电阻等传统Si功率器件无法比拟的优势，在汽车电子、数据中心、手机等领域有着广泛的应用前景。为便于驱动和防止误开启，需要设计和制造增强型GaN功率器件。目前常用的增强型GaN功率器件为PGaN栅结构，该结构利用PGaN抬升下方的AlGaN势垒层的导带能级，从而耗尽下方沟道层中的二维电子气，进而实现增强型器件。
[0003]和其他GaN功率器件一致，PGaN栅增强型器件在关态耐压时同样面临着栅极边缘或漏极边缘电场集中问题。场板结构是缓解栅极边缘或漏极边缘电场集中问题的一种有效手段，可分为源极场板、栅极场板和漏极场板。漏极场板对电场的调制效果较差，栅极场板则引入较大的寄生电容，因此源极场板是目前主流的场板形式。对于GaN功率器件而言，栅源电容Cgs是器件最大的电容，也是制约器件开关速度的关键。由于横向GaN功率器件在关态耐本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有新型场板结构的增强型氮化镓功率器件，其特征在于，包括衬底层、成核层、缓冲层和势垒层，所述衬底层、成核层、缓冲层和势垒层从下至上依次设置；所述势垒层的上部分别设置有源极、栅极和漏极，在栅极的上方设置有场板，所述场板与所述栅极的交叠区域开设有若干第一刻蚀孔。2.根据权利要求1所述的一种具有新型场板结构的增强型氮化镓功率器件，其特征在于，所述缓冲层包括与所述势垒层接触的非故意掺杂层。3.根据权利要求1所述的一种具有新型场板结构的增强型氮化镓功率器件，其特征在于，所述缓冲层下方还包括与成核层接触的过渡层。4.根据权利要求1所述的一种具有新型场板结构的增强型氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘勇，罗鹏，刘家才，朱仁强，
申请(专利权)人：深圳氮芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：