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本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种具有新型场板结构的增强型氮化镓功率器件，包括衬底层、成核层、缓冲层和势垒层，衬底层、成核层、缓冲层和势垒层从下至上依次设置；势垒层的上部分别设置有源极、栅极和漏极，在栅极的上方设置有场板，场板...
该专利属于深圳氮芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳氮芯科技有限公司授权不得商用。

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