在氧化镓衬底上实现良好欧姆接触的方法技术

本发明专利技术属于半导体器件欧姆接触技术领域。针对现有技术存在的工艺复杂、容易损伤晶格，稳定性不好的问题，提供了一种在氧化镓衬底上实现高效欧姆接触的方法，步骤如下：(1)对β

【技术实现步骤摘要】
在氧化镓衬底上实现良好欧姆接触的方法


[0001]本专利技术属于半导体器件欧姆接触
，尤其涉及一种在氧化镓衬底上实现良好欧姆接触的方法。

技术介绍

[0002]β相氧化镓(β
‑
Ga2O3)作为宽禁带半导体材料之一，因其大的禁带宽度(4.9eV)、高的击穿场强(～8MV cm
‑1)及Baliga优值(3000)，使其在高频、大功率、抗辐射电力电子器件及日盲探测方面优势明显。鉴于其独特的材料特性及重要的应用前景，多种熔体生长方法已用于大尺寸、低成本β
‑
Ga2O3衬底制备，其中导模法已实现了6英寸β
‑
Ga2O3晶体生长，2英寸及4英寸衬底商业化。基于各种取向β
‑
Ga2O3衬底的功率和光电探测器件已得到了深入研究，器件指标也在被不断刷新。
[0003]金属
‑
半导体接触是制作半导体器件中十分重要的课题，接触情况直接影响器件的性能。从性质上可以将金属
‑
半导体接触分为肖特基接触和欧姆接触。欧姆接触的特点是不产生明显的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在氧化镓衬底上实现良好欧姆接触的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)对β
‑
Ga2O3单晶衬底进行湿法化学腐蚀处理，所述β
‑
Ga2O3单晶衬底采用非故意掺杂晶体或高导电晶体，所述β
‑
Ga2O3单晶衬底的X射线衍射θ角度为19.2
°
，衬底表面原子以Ga或者O为截止；采用的腐蚀剂为30％
‑
50％wt的KOH碱性溶液，腐蚀温度为100
°‑
130
°
，腐蚀时间为0.5h
‑
3h；或者采用的腐蚀剂为80
‑
90％wt的H3PO4酸性溶液，腐蚀温度为110
°‑
140
°
，腐蚀时间为1h
‑
3h；(2)对处理后的β
‑
Ga2O3单晶衬底进行清洗和干燥；(3)在β
‑
Ga2O3单晶衬底上依次沉积钛层和金层，钛层的厚度为10nm～150nm，金层的厚度为10nm～150nm；(4)将步骤(3)得到的材料在真空或者惰性气体中进行热处理，热处理温度：200℃～600℃；热处理时间：30s～900s；热处理压强：1
×
10
‑6Pa～1
...

【专利技术属性】
技术研发人员：付博，王海婷，于志鸿，张栩朝，汪倩文，高树静，
申请(专利权)人：青岛科技大学，
类型：发明
国别省市：