【技术实现步骤摘要】
半导体模块
[0001]本专利技术涉及一种半导体模块。
技术介绍
[0002]半导体模块具有设置有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)、FWD(Free Wheeling Diode:续流二极管)等半导体元件的基板,用于逆变器装置等(例如参照专利文献1
‑
7)。
[0003]在专利文献1中记载了在形成1个臂的多个半导体元件的中央配置栅极中继层27及源极中继层28来作为控制用电路板的半导体模块。在专利文献2中记载了将用于配置半导体元件的多个电路板形成为在俯视时为U字状且进行镜像配置的半导体模块。在专利文献3中记载了将用于配置半导体元件的多个电路板沿规定方向延伸形成且在与该规定方向交叉的方向上排列多个电路板的半导体模块。在专利文献4中记载了Ω形状的作为连接导体的引线框。在专利文献5中记载了具有将芯 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体模块,具备:层叠基板,在所述层叠基板中,在绝缘板的上表面至少配置有第一电路板和第二电路板;第一半导体元件,其配置于所述第一电路板的上表面;第一主端子;以及第一金属布线板,其将所述第一半导体元件与所述第一主端子电连接,其中,所述第一金属布线板具有:第一接合部,其与所述第一半导体元件的上表面电极接合;第二接合部,其与所述第二电路板的上表面接合;第一连结部,其将所述第一接合部与所述第二接合部连结;以及第一上升部,其从所述第二接合部的端部向上方上升,其中,所述第一上升部的上端与所述第一主端子电连接。2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,在所述第一上升部的上端设置有向规定方向弯曲的第一弯曲部,所述第一主端子的一端与所述第一弯曲部接合。3.根据权利要求2所述的半导体模块,其中,所述第一弯曲部与所述第二接合部在俯视时至少一部分重叠。4.根据权利要求2所述的半导体模块,其中,所述第一弯曲部朝向所述第一连结部弯曲。5.根据权利要求2所述的半导体模块,其中,所述第一弯曲部朝向远离所述第一连结部的方向弯曲。6.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,所述第一半导体元件在所述第一电路板的上表面沿规定方向并排配置有两个,所述第一连结部将同两个所述第一半导体元件对应地配置的两个所述第一接合部与所述第二接合部连结。7.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,在所述绝缘板的上表面还配置有第三电路板,所述半导体模块还具备:第二半导体元件,其配置于所述第二电路板的上表面;第二主端子;以及第二金属布线板,其将...
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