半导体工艺腔室制造技术

本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室，涉及半导体工艺技术领域，所述半导体工艺腔室包括：腔体、基座和测量装置；基座设置于腔体内，基座的底部设有底面和测试基准面，测试基准面凸出于基座的底面或相对基座的底面凹陷，测试基准面包括基准平面和位于基准平面外侧的外围面，在竖直方向上，基准平面上的各点与测量装置的间距大于或小于外围面上的各点与测量装置的间距；测量装置设置于基座下方，测量装置的检测端与基准平面相对设置，测量装置用于检测基座的底部的检测点和测量装置的间距，其中，检测点与检测端相对。检测点与检测端相对。检测点与检测端相对。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺腔室


[0001]本申请涉及半导体工艺
，尤其涉及一种半导体工艺腔室。

技术介绍

[0002]在半导体器件制造过程中，需要将晶圆设置于工艺腔室内的基座上，从而在工艺腔室内对承载于基座的晶圆进行刻蚀或沉积等半导体工艺处理。
[0003]基座起支撑晶圆的作用，在基座发生偏移的情况下，会使得晶圆也随之偏移。由此可知，基座的位置准确性对晶圆加工质量的提升，起着较为重要的作用。
[0004]在相关技术中，一般通过检测晶圆加工质量的方式，判断基座是否发生偏移，而，通过晶圆加工质量来判断基座是否偏移，需要耗费大量时间和物资。因而，本领域的技术人员亟待解决如何较便利地检测基座是否偏移的问题。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室，以解决如何较便利地检测基座是否偏移的问题。
[0006]本申请实施例提供的半导体工艺腔室包括：腔体、基座和测量装置；
[0007]所述基座设置于所述腔体内，所述基座的底部设有底面和测试基准面，所述测试基准面凸出于所述基座的底面或相对所述基座的底面凹陷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括：腔体(110)、基座(120)和测量装置(130)；所述基座(120)设置于所述腔体(110)内，所述基座(120)的底部设有底面和测试基准面(121)，所述测试基准面(121)凸出于所述基座(120)的底面或相对所述基座(120)的底面凹陷，所述测试基准面(121)包括基准平面(1211)和位于所述基准平面(1211)外侧的外围面(1212)，在竖直方向上，所述基准平面(1211)上的各点与所述测量装置(130)的间距大于或小于所述外围面(1212)上的各点与所述测量装置(130)的间距；所述测量装置(130)设置于所述基座(120)下方，所述测量装置(130)的检测端与所述基准平面(1211)相对设置，所述测量装置(130)用于检测所述基座(120)的底部的检测点和所述测量装置(130)的间距，其中，所述检测点与所述检测端相对。2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述测试基准面(121)的数量为至少三个，所述测量装置(130)的数量与所述测试基准面(121)的数量相等，各所述测量装置(130)的所述检测端与所述基准平面(1211)一一对应地相对设置。3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述基准平面(1211)为圆形；各所述测试基准面(121)的形状满足：将各所述测试基准面(121)平移至预设位置后，各所述基准平面(1211)相互重合，各所述外围面(1212)拼接成的图形在所述基座(120)的底面的正投影为圆环，所述圆环的内圆的半径与所述基准平面(1211)的半径相等。4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述外围面(1212)与穿过目...

【专利技术属性】
技术研发人员：于宸崎，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：