CMP修整器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种CMP修整器，包括：圆盘，沿所述圆盘的径向方向划分形成至少两个研磨区，相邻的所述研磨区之间设有至少一凹槽；每一所述研磨区内设有相同粒径的研磨颗粒；位于不同的所述研磨区内的所述研磨颗粒的粒径，由所述圆盘的边缘至中心逐渐增大；且靠近所述圆盘的中心的所述研磨区内的所述研磨颗粒数量小于远离所述圆盘的中心的所述研磨区内的所述研磨颗粒的数量。该CMP修整器便于控制切削效果，能够延长CMP修整器的使用寿命，降低使用成本。用成本。用成本。

【技术实现步骤摘要】
CMP修整器


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种CMP修整器。

技术介绍

[0002]CMP修整器用于对CMP抛光垫的表面进行磨削加工，用于使抛光垫的表面状态保持恒定、维持良好的抛光状态。在使用过程中，由于CMP修整器受到的压力不同，对CMP抛光垫的磨削效果不易控制，CMP修整器不同区域的损耗程度也不同，从而降低了磨削质量、磨削效率。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术中的缺陷，本技术实施例提供了一种CMP修整器，该CMP修整器便于控制切削效果，能够延长CMP修整器的使用寿命，降低使用成本。
[0004]为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种CMP修整器，包括：圆盘，沿所述圆盘的径向方向划分形成至少两个研磨区，相邻的所述研磨区之间设有至少一凹槽；每一所述研磨区内设有相同粒径的研磨颗粒；位于不同的所述研磨区内的所述研磨颗粒的粒径，由所述圆盘的边缘至中心逐渐增大；且靠近所述圆盘的中心的所述研磨区内的所述研磨颗粒数量小于远离所述圆盘的中心的所述研磨区内的所述研磨颗粒的数量。
[0005]优选的，所述研磨颗粒呈多个圆环状分布于所述圆盘上；位于同一所述研磨区内，且靠近所述圆盘的中心的圆环上的所述研磨颗粒的数量小于等于远离所述圆盘的中心的所述研磨区内的圆环上的所述研磨颗粒的数量。
[0006]进一步优选的，靠近所述圆盘的中心的圆环上的所述研磨颗粒的数量小于远离所述圆盘的中心的圆环上的所述研磨颗粒的数量。
[0007]优选的，所述凹槽为与所述圆盘同心的圆环槽。
[0008]优选的，所述凹槽为弧形槽，相邻的所述研磨区内设置有多个弧形槽，且多个所述弧形槽位于同一圆上。
[0009]优选的，所述圆盘上的研磨区呈阶梯结构，且由所述圆盘的边缘至中心逐渐向内凹陷。
[0010]进一步优选的，所述研磨颗粒背离所述圆盘的一侧凸起于所述圆盘的表面形成研磨面，所述研磨面呈水平面。
[0011]由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点：
[0012]1.本技术中通过沿圆盘的径向方向划分形成多个研磨区，通过在研磨区间设置凹槽，并配合在每个研磨区内设置不同粒径的研磨颗粒，使不同研磨区在受到压力作用发生弹性形变的量不同，圆盘边缘处的研磨颗粒受到更小的压力，转速更高，实现快速整平；且边缘设置较小的粒径，可防止其对CMP抛光垫的过度磨损，减少对CMP抛光垫的磨削量；中心区域设置较大的粒径，便于控制，从而快速达到最终磨削效果。
[0013]2.在边缘处的研磨颗粒的转速快，损耗也更快，通过沿边缘至中心方向排列的圆
环上的研磨颗粒的数量越来越少，使圆盘整体在各个区域内的研磨颗粒的损耗达到平衡，延长CMP修整器的使用寿命。
[0014]为让本技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1是本技术实施例一中CMP修整器俯视图；
[0017]图2是本技术实施例一中CMP修整器剖视图。
[0018]以上附图的附图标记：1、圆盘；2、研磨区；3、凹槽；4、研磨颗粒。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]实施例一：参见图1～2所示，一种CMP修整器，包括：圆盘1，沿所述圆盘1的径向方向划分形成至少两个研磨区2，相邻的所述研磨区2之间设有至少一凹槽3；每一所述研磨区2内设有相同粒径的研磨颗粒4；位于不同的所述研磨区2内的所述研磨颗粒4的粒径，由所述圆盘1的边缘至中心逐渐增大；且靠近所述圆盘1的中心的所述研磨区2内的所述研磨颗粒4数量小于远离所述圆盘1的中心的所述研磨区2内的所述研磨颗粒4的数量。
[0021]通过沿圆盘1的径向方向划分形成多个研磨区2，通过在研磨区2间设置凹槽3，并配合在每个研磨区2内设置不同粒径的研磨颗粒4，使不同研磨区2在受到压力作用发生弹性形变的量不同，圆盘1边缘处的研磨颗粒4受到更小的压力，转速更高，实现快速整平；且边缘设置较小的粒径，可防止其对CMP抛光垫的过度磨损，减少对CMP抛光垫的磨削量；中心区域设置较大的粒径，便于控制，从而快速达到最终磨削效果。
[0022]在一个可选的实施方式中，所述研磨颗粒4呈多个圆环状分布于所述圆盘1上；位于同一所述研磨区2内，且靠近所述圆盘1的中心的圆环上的所述研磨颗粒4的数量小于等于远离所述圆盘1的中心的所述研磨区2内的圆环上的所述研磨颗粒4的数量。
[0023]优选的，靠近所述圆盘1的中心的圆环上的所述研磨颗粒4的数量小于远离所述圆盘1的中心的圆环上的所述研磨颗粒4的数量。
[0024]在边缘处的研磨颗粒4的转速快，损耗也更快，通过沿边缘至中心方向排列的圆环上的研磨颗粒4的数量越来越少，使圆盘1整体在各个区域内的研磨颗粒4的损耗达到平衡，延长CMP修整器的使用寿命。
[0025]在一个可选的实施方式中，所述凹槽3为弧形槽，相邻的所述研磨区2内设置有多个弧形槽，且多个所述弧形槽位于同一圆上。为了便于加工，且整体受力均衡，所述凹槽3为
与所述圆盘1同心的圆环槽。所述圆环槽的数量、宽度、深度可根据圆盘1的材质等具体设计。所述圆盘1可选用树脂材料。
[0026]在一个可选的实施方式中，所述圆盘1上的研磨区2呈阶梯结构，且由所述圆盘1的边缘至中心逐渐向内凹陷。进一步优选的，所述研磨颗粒4背离所述圆盘1的一侧凸起于所述圆盘1的表面形成研磨面，所述研磨面呈水平面，便于控制按压研磨效果。
[0027]本技术中应用了具体实施例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CMP修整器，其特征在于，包括：圆盘，沿所述圆盘的径向方向划分形成至少两个研磨区，相邻的所述研磨区之间设有至少一凹槽；每一所述研磨区内设有相同粒径的研磨颗粒；位于不同的所述研磨区内的所述研磨颗粒的粒径，由所述圆盘的边缘至中心逐渐增大；且靠近所述圆盘的中心的所述研磨区内的所述研磨颗粒数量小于远离所述圆盘的中心的所述研磨区内的所述研磨颗粒的数量。2.根据权利要求1所述的CMP修整器，其特征在于：所述研磨颗粒呈多个圆环状分布于所述圆盘上；位于同一所述研磨区内，且靠近所述圆盘的中心的圆环上的所述研磨颗粒的数量小于等于远离所述圆盘的中心的所述研磨区内的圆环上的所述研磨颗粒的数量。3.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：山下哲二，足立卓也，小林一雄，胡小辉，陆文卿，
申请(专利权)人：江苏卓进半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：