CMP修整装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种CMP修整装置，包括：本体；多个固定片，多个所述固定片排列于所述本体上，沿所述固定片的延伸方向间隔设有多个通孔，所述通孔与所述本体相对的一端形成第一开口，所述通孔与所述本体相背的一端形成第二开口，所述第一开口的直径大于所述第二开口的直径；多个研磨颗粒，每一所述研磨颗粒位于一所述通孔内，且所述研磨颗粒的研磨部经所述第二开口延伸至所述通孔外；固定层，所述固定层至少包括位于所述通孔内的第一层，用于连接所述固定片和所述研磨颗粒。该CMP修整装置结构简单，能有效固定研磨颗粒，对研磨垫进行高质量修整，防止CMP抛光过程中对半导体晶圆的损伤。伤。伤。

【技术实现步骤摘要】
CMP修整装置


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种CMP修整装置。

技术介绍

[0002]CMP全称为ChemicalMechanicalPolishing，化学机械抛光，是半导体晶片表面加工的关键技术之一。CMP抛光垫是CMP抛光中的重要部件。为了使抛光垫的表面状态保持恒定、维持良好的抛光状态，需要定期利用CMP修整装置对CMP抛光垫的表面进行磨削加工。
[0003]随着半导体元件结构层级越来越多，以及电路细化技术的进步，对CMP抛光的要求也越来越高，也就对CMP抛光垫的表面状态要求越来越高。现有的CMP修整装置与CMP抛光垫相接触的表面上固定有用于磨削CMP抛光垫的研磨颗粒。CMP修整装置大多使用镀镍而成的电沉积金刚石。在使用过程中，部分镍会溶出到研磨浆料中，卡在抛光垫表面。卡于抛光垫表面的金属元素在CMP抛光过程中会损伤半导体晶圆。因此，急需改进现有研磨颗粒的固定方式，以减少对抛光垫、半导体晶圆的损伤。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术中的缺陷，本技术实施例提供了一种CMP修整装置，该CMP修整装置结构简单，能有效固定研磨颗粒，对研磨垫进行高质量修整，防止CMP抛光过程中对半导体晶圆的损伤。
[0005]为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种CMP修整装置，包括：
[0006]本体；
[0007]多个固定片，多个所述固定片排列于所述本体上，沿所述固定片的延伸方向间隔设有多个通孔，所述通孔与所述本体相对的一端形成第一开口，所述通孔与所述本体相背的一端形成第二开口，所述第一开口的直径大于所述第二开口的直径；
[0008]多个研磨颗粒，每一所述研磨颗粒位于一所述通孔内，且所述研磨颗粒的研磨部经所述第二开口延伸至所述通孔外；
[0009]固定层，所述固定层至少包括位于所述通孔内的第一层，用于连接所述固定片和所述研磨颗粒。
[0010]上述技术方案中，多个所述研磨部背离所述本体的一侧位于同一水平面上，形成研磨平面。
[0011]优选的，所述研磨颗粒的外围与所述通孔的内壁相抵触。
[0012]优选的，所述通孔为锥孔。
[0013]优选的，所述第二开口沿所述固定片的延伸方向等间距分布。
[0014]上述技术方案中，所述研磨部的厚度大于等于15μm。
[0015]优选的，所述研磨颗粒为金刚石颗粒，所述第一开口的直径小于2倍的研磨颗粒的直径，所述第二开口的直径小于所述研磨颗粒的直径。
[0016]优选的，所述固定层还包括位于所述固定片与所述本体间的第二层，用于连接所
述固定片和所述本体。
[0017]优选的，所述固定片由陶瓷或树脂或压延材料制成。
[0018]由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点：
[0019]1.本技术中通过在固定片上设置通孔，使研磨颗粒位于通孔内且研磨颗粒的研磨部延伸至通孔外，研磨颗粒与固定片之间通过位于通孔内的固定层连接，由该结构的设置，保证了研磨颗粒的固定，实现对抛光垫的高质量修整，防止在研磨过程中镀于研磨颗粒表面的金属元素卡于抛光垫表面，进而防止CMP抛光过程中损伤半导体晶圆。
[0020]2.使多个研磨部背离本体的一侧位于同一水平面上，形成研磨平面，便于研磨控制，保证研磨精度。
[0021]为让本技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本技术实施例一中CMP修整装置俯视图；
[0024]图2是本技术实施例一中CMP修整装置剖面视图。
[0025]以上附图的附图标记：1、本体；2、固定片；21、通孔；211、第一开口；212、第二开口；3、研磨颗粒；31、研磨部；4、固定层。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]实施例一：参见图1～2所示，一种CMP修整装置，包括：
[0028]本体1；
[0029]多个固定片2，多个所述固定片2排列于所述本体1上，沿所述固定片2的延伸方向间隔设有多个通孔21，所述通孔21与所述本体1相对的一端形成第一开口211，所述通孔21与所述本体1相背的一端形成第二开口212，所述第一开口211的直径大于所述第二开口212的直径；
[0030]多个研磨颗粒3，每一所述研磨颗粒3位于一所述通孔21内，且所述研磨颗粒3的研磨部31经所述第二开口212延伸至所述通孔21外；
[0031]固定层4，所述固定层4至少包括位于所述通孔21内的第一层，用于连接所述固定片2和所述研磨颗粒3。
[0032]通过在固定片2上设置通孔21，使研磨颗粒3位于通孔21内且研磨颗粒3的研磨部31延伸至通孔21外，研磨颗粒3与固定片2之间通过位于通孔21内的固定层4连接，由该结构
的设置，保证了研磨颗粒3的固定，实现对抛光垫的高质量修整，防止在研磨过程中镀于研磨颗粒3表面的金属元素卡于抛光垫表面，进而防止CMP抛光过程中损伤半导体晶圆。
[0033]优选的，多个所述研磨部31背离所述本体1的一侧位于同一水平面上，形成研磨平面，便于研磨控制，保证研磨精度。
[0034]其中，所述本体1可选用不锈钢材质的圆盘。所述固定片2可选用陶瓷或树脂或压延材料制成，其化学性能稳定，防止其与研磨浆料反生反应，从而溶于研磨浆料中。所述固定层4可由填充于所述通孔21内的粘合剂形成。同理，为防止固定层4与研磨浆料发生化学反应，可选用陶瓷系列粘合剂、硅胶系列粘合剂等。
[0035]在一个优选的实施方式中，所述研磨颗粒3的外围与所述通孔21的内壁相抵触，使所述固定层4位于背离所述研磨部31的一侧，从而在利用CMP修整装置对抛光垫修整的过程，研磨浆料只与研磨颗粒3相接触，防止固定层4溶于研磨浆料中，对修整质量产生影响。
[0036]参见图2所示，在一个可选的实施方式中，所述通孔21为锥孔。其加工方便，在制作CMP修整装置的过程中，便于研磨颗粒3从锥孔的一端滑入至另一端，且使研磨颗粒3能够卡于锥孔内。
[0037]为了保证研磨更为均匀，所述第二开口212沿所述固定片2的延伸方向等间距分布。
[0038]所述研磨部31外露于所述通孔21外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CMP修整装置，其特征在于，包括：本体；多个固定片，多个所述固定片排列于所述本体上，沿所述固定片的延伸方向间隔设有多个通孔，所述通孔与所述本体相对的一端形成第一开口，所述通孔与所述本体相背的一端形成第二开口，所述第一开口的直径大于所述第二开口的直径；多个研磨颗粒，每一所述研磨颗粒位于一所述通孔内，且所述研磨颗粒的研磨部经所述第二开口延伸至所述通孔外；固定层，所述固定层至少包括位于所述通孔内的第一层，用于连接所述固定片和所述研磨颗粒。2.根据权利要求1所述的CMP修整装置，其特征在于：多个所述研磨部背离所述本体的一侧位于同一水平面上，形成研磨平面。3.根据权利要求1所述的CMP修整装置，其特征在于：所述研磨颗粒的外围与所述通孔的内壁相抵触。...

【专利技术属性】
技术研发人员：山下哲二，足立卓也，小林一雄，胡小辉，陆文卿，
申请(专利权)人：江苏卓进半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：